本申请提供基于人机交互的眼电控制手指康复方法、装置、终端及介质，通过采集患者的眼电信号，并对眼电信号进行数据分类，以获取眼电信号对应的眼部运动类型，通过眼部运动类型控制机械手套帮助患者执行对应的康复动作。本申请可以使患者在自身运动意愿和...

本发明提供超导纳米线单光子探测器及其制备方法和自对准封装结构，包括：覆盖硅片表面的图形化金属镜层；覆盖金属镜层和硅片表面的第一介质层；平坦化第一介质层；第一介质层上设置超导薄膜；图形化第一介质层和硅片为锁孔形；金属镜层完全覆盖锁孔形的圆...

本发明涉及一种基于卷积循环神经网络的野外运动车辆目标检测方法，包括：接收输入音频；将输入音频输送至野外运动车辆目标检测模型，得到野外运动车辆目标检测结果；其中，野外运动车辆目标检测模型包括：特征提取部分，用于从所述输入音频中提取出能够有...

本发明涉及一种晶圆键合方法，通过在外延生长GaN/AlN的过程中，引入富氢的GaN/AlN介质层，进一步达到降低剥离过程中离子注入剂量的方法，以提高剥离下来的GaN/AlN薄膜的质量，达到更好的异质集成效果。

本发明涉及一种基于环绕视角表征的含时序栅格占据率估计方法，包括：接收车辆周围相机传感器获取的多视角相机图像；将所述多视角相机图像输入至栅格占据率估计模型中，得到栅格占据率预测结果；其中，所述栅格占据率估计模型包括：特征提取模块，用于从所...

本发明涉及一种基于循环二维谱图去模糊的深度学习调制识别方法，包括：制作易混淆信号的循环二维谱图的模板，并得到的模板保存至模板库；接收待识别信号，并将待识别信号转换为循环二维谱图；将待识别信号的循环二维谱图与模板库中的模板进行匹配；若匹配...

本发明涉及一种基于多重约束的栅格占据率估计方法、设备及介质，方法包括：接收车辆周围相机传感器获取的多视角相机图像；将多视角相机图像输入至栅格占据率估计模型中，得到栅格占据率预测结果；其中，栅格占据率估计模型增加了对每个视角的二维重投影监...

本发明涉及一种石墨烯场效应管及其制备方法，本发明可以避免在器件制作过程中因多次使用有机胶而对石墨烯沟道引入的污染，避免导电沟道因杂质散射对器件直流和射频性能的降级。

本发明涉及一种可重构片上任意波形生成器及其制备方法，其中，可重构片上任意波形生成器包括：n个延时单元和波形合成器；所述n个延时单元依次连接；所述延时单元包括光开关、延时结构和可调光衰减器；所述光开关与所述延时结构依次连接；所述延时结构包...

本发明提供一种高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对每个凹槽中的芯片实现立体围绕式散热，加之直接采用金属作为芯片封装体，提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；芯片嵌入进金属基板中，可使芯片具有...

本发明提供一种具有散热功能的芯片封装结构及其制备方法，通过在金属基板上设置由散热通道、第一通道、第二通道及孔形成可与外界连通的散热腔将芯片进行立体围绕，可通过将冷却液等冷却物质通入该散热腔对芯片进行立体围绕式散热，再加之直接采用金属基板...

本发明提供一种高散热芯片的晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对芯片实现立体围绕式散热，再加之直接采用金属作为芯片封装体，大大提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；另外，芯片嵌入金属晶圆中，可使芯片具有更佳的保护强度；第三...

本发明涉及材料技术领域，特别涉及一种柔性感知设备、感知系统及其应用。柔性感知设备包括依次层叠设置的柔性基底层、柔性电路层和保护层；柔性基底层的底面设有丝蛋白薄膜；柔性基底层的底面与待装配物体贴附；柔性电路层包括柔性电路板和位于柔性电路板...

本发明涉及一种用于端面耦合的碳化硅光子芯片分离方法，利用光刻、刻蚀和研磨工艺将晶圆分离成单个芯片的制备方法。相比于正常的切割工艺，这种方法的主要优点是能够实现更光滑的垂直切面，有利于芯片与光纤或其他芯片的端面进行耦合。

本发明涉及一种分子束外延中标定衬底温度的方法，本发明可以精确掌控分子束外延中的衬底温度，在样品架热偶失效的情况下也可以对衬底实际温度进行测量，对于分子束外延尤其是生长温度区间较窄的材料具有重要的实际应用价值。

本发明涉及一种利用砷压调控砷化铟量子点发光波长的方法，该方法利用砷化铟量子点发光波长随砷压变化发生改变的规律，通过分析测得的砷压‑峰值发光波长曲线，从而得到生长目标发光波长砷化铟量子点样品所需要的砷压。本发明对在实际应用中调控量子点的发...

本发明涉及一种可见光片上光谱仪及其制备方法，其中，片上光谱仪包括：输入耦合器，用于导入可见光；分光器组，输入端与所述输入耦合器的输出端耦合，共有2<supgt;n</supgt;个输出端，用于将所述可见光分为2<sup...

本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度...

本发明涉及一种OTS开关材料、存储器件及其制备方法，所述OTS开关材料的化学通式为(Sb<subgt;x</subgt;Se<subgt;100‑x</subgt;)<subgt;100‑y</sub...

本申请公开了一种异质集成结构及制备方法，包括提供第一衬底，所述第一衬底包括光电层、光学隔离层和基底，所述光学隔离层位于所述基底与所述光电层之间；在所述光电层背离所述光学隔离层的表面形成光场调控层；所述光电层和所述光场调控层中二者择一的热...