一种异质集成结构及制备方法技术

本申请公开了一种异质集成结构及制备方法，包括提供第一衬底，所述第一衬底包括光电层、光学隔离层和基底，所述光学隔离层位于所述基底与所述光电层之间；在所述光电层背离所述光学隔离层的表面形成光场调控层；所述光电层和所述光场调控层中二者择一的热光系数为正值，另一的热光系数为负值。本申请采用其一热光系数为正值、另一为负值的光电层和光场调控层相结合，调节异质集成结构中的光场分布，以修正温度变化带来的光学性能改变及器件性能抖动，大大降低异质集成材料整体的温度敏感性，热稳定性好。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及信息功能材料制备，特别涉及一种异质集成结构及制备方法。

技术介绍

1、集成光子技术发展半个世纪以来，高性能集成光电器件的温度敏感性难题是集成微波光电子领域的重大技术挑战；高性能集成器件中如高品质因子(q)谐振腔受到温度抖动的影响可以分为两个部分：外界环境温度变化对器件温度的影响，以及高品质因子谐振腔内由于光吸收损耗而产生的热量造成的谐振腔温度变化；以上两部分的影响最终造成影响器件整体性能的温度抖动。现有技术中的光电器件尚未能够摆脱温度抖动的影响，而由温度差异带来的光学性能变化，会导致器件性能抖动，无法稳定。

技术实现思路

1、针对现有技术的上述问题，本申请提供一种异质集成结构及制备方法。具体技术方案如下：

2、一方面，本申请提供一种异质集成结构的制备方法，包括：

3、提供第一衬底，所述第一衬底包括光电层、光学隔离层和基底，所述光学隔离层位于所述基底与所述光电层之间；

4、在所述光电层背离所述光学隔离层的表面形成光场调控层；所述光电层和所述光场调控层中二者择一的热光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质集成结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光电层的材料包括硅、二氧化硅、铌酸锂、氮化硅和砷化镓中的一种或多种的复合；

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述异质集成结构中，所述光场调控层厚度与所述光电层厚度间的比值为7:2～7:6。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述光电层背离所述光学隔离层的表面形成光场调控层通过以下步骤得到：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在对所述第二衬底的表面进行离子注入的过程中，注入离子的种类包括氢离子和氦离子...

【技术特征摘要】

1.一种异质集成结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光电层的材料包括硅、二氧化硅、铌酸锂、氮化硅和砷化镓中的一种或多种的复合；

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述异质集成结构中，所述光场调控层厚度与所述光电层厚度间的比值为7:2～7:6。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述光电层背离所述光学隔离层的表面形成光场调控层通过以下步骤得到：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在对所述第二衬底的表面进行离子注入的过程中，注入离子的种类包括氢离子和氦离子，注入能量为20kev～200kev，注入剂量为1×1016cm-2～1×1017cm-...

【专利技术属性】
技术研发人员：游天桂，宋秋冬，伊艾伦，王成立，欧欣，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：