【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，涉及一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、氧化镓由于具有较宽的带隙、较高的临界击穿场强，以及较大的baliga优值，是制备功率器件的优选材料，但其热导率较低，使得其应用受到了限制。利用异质集成的方法将氧化镓与高导热衬底结合，是解决氧化镓功率器件散热问题的一种很有潜力的途径。
2、碳化硅材料及金刚石材料都具有较高的导热性能，可与其他半导体材料结合以作为高导热的衬底应用，目前碳化硅与硅、氮化镓、氧化镓等材料已能实现高强度的键合，金刚石虽然具有良好的稳定性质，但由于金刚石表面粗糙度较大、不易抛光等因素，金刚石和氧化镓等半导体材料的键合还非常困难。
3、因此，提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，实属必要。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，解决金刚石和氧化镓的结合问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种金刚石基氧化...
【技术保护点】
1.一种金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：于所述碳化硅层的表面形成所述氧化镓薄膜的方法包括键合研磨法或智能剥离转移法。
3.根据权利要求1所述的金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一表面处理包括表面化学刻蚀处理或表面抛光处理。
4.根据权利要求1所述的金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第二表面处理包括表面抛光处理；表面抛光处理后，所述碳化硅层的表面粗糙度小于0.5nm。
5.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：于所述碳化硅层的表面形成所述氧化镓薄膜的方法包括键合研磨法或智能剥离转移法。
3.根据权利要求1所述的金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一表面处理包括表面化学刻蚀处理或表面抛光处理。
4.根据权利要求1所述的金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第二表面处理包括表面抛光处理；表面抛光处理后，所述碳化硅层的表面粗糙度小于0.5nm。
5.根据权利要求1所述的金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述金刚石基底包括单晶金刚石基底或多晶金刚石基底。
6.根据权利要求1所述的金刚石基氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：硅离...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，赵天成，徐文慧，游天桂，瞿振宇，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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