本发明专利技术提供一种高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对每个凹槽中的芯片实现立体围绕式散热，加之直接采用金属作为芯片封装体，提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；芯片嵌入进金属基板中，可使芯片具有更佳的保护强度；将系统集成芯片的嵌入和芯片的散热腔一次性加工成型，降低封装复杂性及成本；还可根据不同芯片的不同散热需求进行散热腔的不同设计，实现散热性能差异化的集成散热整体封装，达到针对性散热，利于提高散热效率的同时减小封装体积；散热腔的进出液开口设置在封装体侧壁，进一步降低封装结构的厚度；以晶圆级形式进行整体封装，有效提高封装效率以及进一步降低封装成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及系统集成芯片的晶圆级封装，特别是涉及一种高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法。
技术介绍
1、随着微电子技术的不断进步，集成电路的特征尺寸不断缩小，互连密度不断提高，对封装体的尺寸要求也越来越严格，而如何将多种不同的芯片高密度集成封装在一个尽可能小的模组中，无疑是如今芯片封装领域小型化潮流中的一个主要方向。目前，业内主流的有扇出型晶圆封装技术，其是一种嵌入式封装，是在晶圆尺寸级实现芯片的扇出封装，也是一种i/o数较多、集成灵活性好的先进封装工艺之一，可实现一个封装体内垂直和水平方向多芯片集成。从架构上来讲，sip(system in a package，系统级封装)是将多种功能芯片，包括处理器、内存等功能晶元集成在一个封装体内，从而形成一个一个实现特定功能的标准封装体。
2、目前的系统集成芯片冷却技术主要是在系统集成芯片完成封装后在其垂直面增加散热片或者液冷系统，这些方式不利于最终产品的小型化和轻薄化的发展，同时在与芯片的连接上不可避免的要使用低散热的胶类材质，不仅如此芯片与散热模组的距离也相对较远存在这样一系列的弊端而且本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述金属基板的材料为铜、可伐合金、不锈钢、钛合金或铝合金。
3.根据权利要求1所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述金属基板的所述第二表面中具有凹凸结构。
4.根据权利要求3所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述凹凸结构由盲孔和/或槽形成。
5.根据权利要求3所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述凹凸结构在所述金属基板的所述第二表面中均匀布置。
>6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述金属基板的材料为铜、可伐合金、不锈钢、钛合金或铝合金。
3.根据权利要求1所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述金属基板的所述第二表面中具有凹凸结构。
4.根据权利要求3所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述凹凸结构由盲孔和/或槽形成。
5.根据权利要求3所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述凹凸结构在所述金属基板的所述第二表面中均匀布置。
6.根据权利要求1所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述密封层为光敏性干膜，且所述光敏性干膜嵌入所述第一散热通道、所述第一通道及所述第二通道预设深度。
7.根据权利要求1所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述第一散热通道包括依次嵌套且间隔设置的两个以上第一散热通道环，且相邻两所述第一散热通道环通过开口连通。
8.根据权利要求7所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述第一散热通道环的数量根据其所围绕的所述凹槽中粘合的所述芯片的产热能力决定，当围绕的所述凹槽中粘合的所述芯片的产热能力越大，所述第一散热通道环的数量越多。
9.根据权利要求1或7或8所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第二散热通道，所述第二散热通道沿周向间隔围绕于所有所述第一散热通道的外侧，且所述第二散热通道与所述第一散热通道通过开口连通，所述第一通道及所述第二通道通过所述第二散热通道与所述第一散热通道连通。
10.根据权利要求9所述的高散热系统集成芯片封装结构，其特征在于：所述第二散热通道包括依次嵌套且间隔设置的两个以上第二散热通道环，且相邻两所述第二散热通道环通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖克来提，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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