【技术实现步骤摘要】
本专利技术申请属于封装，尤其涉及一种led及其控制芯片的堆叠结构及其封装方法。
技术介绍
1、芯片封装的意义重大，获得一颗ic芯片要经过从设计到制造漫长的流程，然而一颗芯片相当小且薄，如果不在外施加保护，会被轻易的刮伤损坏，此外，因为芯片的尺寸微小，如果不用一个较大尺寸的外壳，将不易安置在电路板上，所以需要使用到封装技术，封装有着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁，芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制电路板上的导线与其他器件建立连接，因此，封装对集成电路起着重要的作用。
2、对于led的封装，是在控制芯片上堆叠led灯珠晶粒，通过控制芯片实现led灯珠晶粒的开和关，由于led灯珠晶粒的发光面需要临空或者发光面涂覆透明胶水保护，而控制芯片需要封装密封，所以控制芯片和led灯珠晶粒之间需要堆叠起来。控制芯片和led灯珠晶粒之间堆叠后通过重布线层实现电性连接，同时，堆叠结构需要通过钻孔并电镀导电柱实现重布线层的电性连接，但是由于控制芯片的高度尺寸，钻孔电镀导电柱时，需要钻很大的孔才能暴露待电性连接的重布线层，大孔电镀后意味着需要封装更大的尺寸，整个封装体的体积变大，达不到小尺寸封装的要求，导致堆叠结构的难以贴装在有限的空间。
3、故，设计一种led及其控制芯片的堆叠结构及其封装方法，来解决上述技术问题。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中如何缩小led和控制芯片堆叠结构封装尺寸的问题
2、为实现上述目的，本专利技术申请提出的一种led及其控制芯片的堆叠结构，包括封装体，所述封装体内部包封有控制芯片，封装体上方设置有与控制芯片电性连接的led晶粒，所述封装体内通过两次钻孔和重布线电镀有电连接上层和电连接下层，电连接上层和电连接下层在钻孔电镀区域相连接。
3、进一步，所述电连接上层包括钻孔内电镀的上导电柱、上导电柱顶部电性连接的上重布线层以及上重布线层上电镀的顶层焊盘。
4、进一步，所述顶层焊盘顶面暴露于封装体顶面，led晶粒与顶层焊盘焊接。
5、进一步，所述led晶粒包裹有透明胶水，且led晶粒的发光面临空。
6、进一步，所述电连接下层包括钻孔内电镀的下导电柱，下导电柱底部电性连接的下重布线层及其下重布线层上电镀的铜柱，铜柱底面暴露于封装体底面，并电镀有焊脚。
7、一种led及其控制芯片的堆叠结构的封装方法，包括以下步骤：
8、电连接下层形成步骤：在基板上装贴控制芯片后包封并研磨暴露出控制芯片上的植球面，通过第一次钻孔，并在孔中和包封料上电镀出与控制芯片电性连接的电连接下层，拆板并包封控制芯片背面；
9、电连接上层形成步骤：在控制芯片背面的包封料上第二次钻孔并连通第一次的钻孔，并在孔中和包封料上电镀出与电连接下层相连接的电连接上层；
10、led晶粒堆叠步骤：继续包封电连接上层，整体形成封装体，电连接上层顶面与封装体表面共面并外露，led晶粒通过焊接在外露的电连接上层实现与控制芯片的堆叠和电性连接。
11、进一步的，所述电连接下层形成步骤，电连接下层包括钻孔内电镀的下导电柱，下导电柱底部电性连接的下重布线层及其下重布线层上电镀的铜柱，铜柱底面暴露于封装体底面，并电镀有焊脚。
12、进一步的，所述电连接上层形成步骤，电连接上层包括钻孔内电镀的上导电柱、上导电柱顶部电性连接的上重布线层以及上重布线层上电镀的顶层焊盘。
13、进一步的，所述电连接上层形成步骤，顶层焊盘顶面暴露于封装体顶面，led晶粒与顶层焊盘焊接。
14、进一步的，所述电连接上层形成步骤，led晶粒包裹有透明胶水，且led晶粒的发光面临空。
15、本专利技术申请：下导电柱与上导电柱电镀连接在一起，使得电连接上层和电连接下层电性连接，两次钻孔可通过更小尺寸的孔尺寸实现电性互联，孔的尺寸可以做的更小，从而达到更小的封装尺寸，达到封装要求，顶层焊盘的尺寸可以根据led晶粒的实际尺寸进行设计，只需调整顶层焊盘的尺寸即可对应不同尺寸和厚度的led晶粒的焊接，封装的灵活性更强，不同大小、结构或类型的控制芯片可通用。
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1.一种LED及其控制芯片的堆叠结构，包括封装体，所述封装体内部包封有控制芯片，封装体上方设置有与控制芯片电性连接的LED晶粒，其特征在于，所述封装体内通过两次钻孔和重布线电镀有电连接上层和电连接下层，电连接上层和电连接下层在钻孔电镀区域相连接。
2.根据权利要求1所述的LED及其控制芯片的堆叠结构，其特征在于，所述电连接上层包括钻孔内电镀的上导电柱、上导电柱顶部电性连接的上重布线层以及上重布线层上电镀的顶层焊盘。
3.根据权利要求2所述的LED及其控制芯片的堆叠结构，其特征在于，所述顶层焊盘顶面暴露于封装体顶面，LED晶粒与顶层焊盘焊接。
4.根据权利要求1所述的LED及其控制芯片的堆叠结构，其特征在于，所述LED晶粒包裹有透明胶水，且LED晶粒的发光面临空。
5.根据权利要求1所述的LED及其控制芯片的堆叠结构，其特征在于，所述电连接下层包括钻孔内电镀的下导电柱，下导电柱底部电性连接的下重布线层及其下重布线层上电镀的铜柱，铜柱底面暴露于封装体底面，并电镀有焊脚。
6.一种LED及其控制芯片的堆叠结构的封装方法，其特征
7.根据权利要求6所述的LED及其控制芯片的堆叠结构的封装方法，其特征在于，所述电连接下层形成步骤，电连接下层包括钻孔内电镀的下导电柱，下导电柱底部电性连接的下重布线层及其下重布线层上电镀的铜柱，铜柱底面暴露于封装体底面，并电镀有焊脚。
8.根据权利要求6所述的LED及其控制芯片的堆叠结构的封装方法，其特征在于，所述电连接上层形成步骤，电连接上层包括钻孔内电镀的上导电柱、上导电柱顶部电性连接的上重布线层以及上重布线层上电镀的顶层焊盘。
9.根据权利要求8所述的LED及其控制芯片的堆叠结构的封装方法，其特征在于，所述电连接上层形成步骤，顶层焊盘顶面暴露于封装体顶面，LED晶粒与顶层焊盘焊接。
10.根据权利要求9所述的LED及其控制芯片的堆叠结构的封装方法，其特征在于，所述电连接上层形成步骤，LED晶粒包裹有透明胶水，且LED晶粒的发光面临空。
...【技术特征摘要】
1.一种led及其控制芯片的堆叠结构，包括封装体，所述封装体内部包封有控制芯片，封装体上方设置有与控制芯片电性连接的led晶粒，其特征在于，所述封装体内通过两次钻孔和重布线电镀有电连接上层和电连接下层，电连接上层和电连接下层在钻孔电镀区域相连接。
2.根据权利要求1所述的led及其控制芯片的堆叠结构，其特征在于，所述电连接上层包括钻孔内电镀的上导电柱、上导电柱顶部电性连接的上重布线层以及上重布线层上电镀的顶层焊盘。
3.根据权利要求2所述的led及其控制芯片的堆叠结构，其特征在于，所述顶层焊盘顶面暴露于封装体顶面，led晶粒与顶层焊盘焊接。
4.根据权利要求1所述的led及其控制芯片的堆叠结构，其特征在于，所述led晶粒包裹有透明胶水，且led晶粒的发光面临空。
5.根据权利要求1所述的led及其控制芯片的堆叠结构，其特征在于，所述电连接下层包括钻孔内电镀的下导电柱，下导电柱底部电性连接的下重布线层及其下重布线层上电镀的铜柱，铜柱底面暴露于封装体底...
【专利技术属性】
技术研发人员：张光耀，
申请(专利权)人：合肥矽迈微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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