【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波天线，具体涉及一种双波段多极化共口径阵列天线。
技术介绍
1、在复杂电磁环境下，单极化、单波段天线的电子设备容易受到干扰，双波段多极化共口径天线能够增强其在战场环境下的生存能力。双波段多极化共口径天线主要是通过对单位面积内天线种类密度的提高实现天线波段和极化的拓展。
2、基于可靠性等优点考虑，共口径天线多为金属偶极子、反射面或波导阵列形式，这三类天线可靠性较高，但剖面较高，且较难实现共口径阵列天线的二维宽角扫描。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种低剖面、双波段多极化共口径阵列天线的解决方案。
2、本专利技术是通过以下技术方案解决低剖面、共口径阵列天线二维宽角扫描技术问题的。本专利技术包括介质、铜箔片及介质金属化结构实现的低波段水平极化阵列天线、低波段垂直极化阵列天线、高波段垂直极化阵列天线与电磁表面；其中：
3、所述介质为四层介质板压合实现的层叠结构，所述四层介质板分别为第一介质板、第二介质板、第三介质板和第四介质板；p>
4、各个所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种双波段多极化共口径阵列天线，其特征在于：包括介质、铜箔片及介质金属化结构实现的低波段水平极化阵列天线、低波段垂直极化阵列天线、高波段垂直极化阵列天线与电磁表面；其中：
2.根据权利要求1所述的一种双波段多极化共口径阵列天线，其特征在于，所述第一平面偶极子与第二平面偶极子同列交错分布；所述第三平面偶极子与横向两侧的条带形铜箔为一组，每两组与低波段的平面偶极子横向交错排列。
3.根据权利要求1或2所述的一种双波段多极化共口径阵列天线，其特征在于，所述多个第一平面偶极子与多个第二平面偶极子均为二维阵列分布的普通密集阵，横向间距与纵向间距均为d...
【技术特征摘要】
1.一种双波段多极化共口径阵列天线，其特征在于：包括介质、铜箔片及介质金属化结构实现的低波段水平极化阵列天线、低波段垂直极化阵列天线、高波段垂直极化阵列天线与电磁表面；其中：
2.根据权利要求1所述的一种双波段多极化共口径阵列天线，其特征在于，所述第一平面偶极子与第二平面偶极子同列交错分布；所述第三平面偶极子与横向两侧的条带形铜箔为一组，每两组与低波段的平面偶极子横向交错排列。
3.根据权利要求1或2所述的一种双波段多极化共口径阵列天线，其特征在于，所述多个第一平面偶极子与多个第二平面偶极子均为二维阵列分布的普通密集阵，横向间距与纵向间距均为d低，d低＝0.5λ0，其中λ0为低波段的中心频率真空波长；
4.根据权利要求1所述的一种双波段多极化共口径阵列天线，其特征在于，所述电磁表面为多个条带形铜箔构成的普通密集阵，纵向为等间距排列，间距为0.5d高，横向为不等间距排列，平均间距为0.5d高，其中第三平面偶极子两侧的两根条带形铜箔的间距大于同侧的两根条带形铜箔的间距，其中d高的长度与d低相等。
5.根据权利要求1所述的一种双波段多极化共口径阵列天线，其特征在于，所述第一平面偶极子包括第一辐射臂以及将第一辐射臂与铜箔片电性连接的第一馈电同轴；所述第二平面偶极子包括第二辐射臂以及将第二辐射臂与铜箔片电性连接的第二馈电同轴；所述第三平面偶极子包括第三辐射臂与以及将第三辐射臂与铜箔...
【专利技术属性】
技术研发人员：李广忠，邹嘉佳，冯森，杨兆军，周织建，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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