【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体光电，具体为一种钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片。
技术介绍
1、随着现代信息技术的不断发展，数据通信容量与速度需求不断增加，而在这一领域中，低驱动压、大带宽、低插损的调制器等光电器件是突破技术瓶颈的关键因素。目前集成电光器件主要依赖硅，磷化铟和铁电材料的三大平台。硅基电光调制器主要利用载流子色散效应，会引入较大插入损耗；磷化铟基调制器具有理想的电压和带宽性能，但是消光有限，限制了适用范围。与前两者均不同，铌酸锂、钽酸锂为主的铁电光学材料不仅光学损耗极低，而且线性电光系数高，非常适合实现低插损，低驱动电压和高线性度的电光调制器，以及其它的基于电光效应的集成光学器件。但是铁电晶体材料通常展现出比较明显的各向异性，尤其x切-铌酸锂薄膜，虽然目前是研究电光效应的主要平台，但在薄膜平面内，双折射现象严重，因此不同偏振的光学模式间会发生耦合，这在弯曲波导，微环谐振腔中尤其明显，严重影响了电光调制器，高速调制孤子光频梳的应用稳定性。x-切钽酸锂薄膜同样具备非常低的光学损耗、宽范围的透明窗口与可调的指向性拉曼抑制效应，并...
【技术保护点】
1.一种钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法，其特征在于，所述采用晶圆键合法在所述钽酸锂薄膜层上制备氮化硅薄膜层，包括：
3.根据权利要求2所述的钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法，其特征在于，所述沉积法包括化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积技术或者低压化学气相沉积法中的一种；
4.根据权利要求1所述的钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述氮化硅薄膜层，形成图案化氮化硅薄膜层，包括：
5.根据权利要求4所述的钽酸锂-氮化硅...
【技术特征摘要】
1.一种钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法，其特征在于，所述采用晶圆键合法在所述钽酸锂薄膜层上制备氮化硅薄膜层，包括：
3.根据权利要求2所述的钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法，其特征在于，所述沉积法包括化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积技术或者低压化学气相沉积法中的一种；
4.根据权利要求1所述的钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述氮化硅薄膜层，形成图案化氮化硅薄膜层，包括：
5.根据权利要求4所述的钽酸锂-氮化硅光电芯片的制备方法，其特征在于，所述第一曝光胶包括负性曝光胶；
6.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，周李平，蔡佳辰，王成立，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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