本发明提供一种待测超导器件物性测试装置及测试方法，待测超导器件物性测试装置包括：上位机、源表、开关切换模块和N通道低通滤波阵列；其中N为大于1的自然数；上位机电连接源表的控制端和开关切换模块的控制端；上位机控制源表输出相应的激励信号范围...

本发明涉及一种全包围栅铁电场效应晶体管及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，通过在沟道区处生长全包围栅铁电极介质层，形成全包围栅铁电场效应晶体管，使其具有优秀的电荷输运控制能力，且制备工艺兼容传统CMOS工艺节点，具有...

本发明涉及一种厚度测量装置及方法。所述装置包括：光源，用来发射太赫兹光束；测量模块，用来将所述太赫兹光束转化为参考光束和探测光束，进而引导所述探测光束穿过可转动的被测样品后与所述参考光束合束形成干涉光束；计算模块，用来对所述被测样品转动...

本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的...

本发明涉及一种互补型场效应晶体管(CFET)器件及其制备方法，其特点在于在同一器件沟道阵列中同时制备全包围栅结构n、p型晶体管，并通过对不同沟道区域设置不同材料、厚度的功函数层，分别调控CFET器件n、p型晶体管的阈值电压，且其制备工艺...

本发明涉及一种SNSPD低温读出电路及装置，包括第一电阻、第一电容和LC滤波电路；第一电容与SNSPD的输出端口连接并与后级电路的输入电阻形成RC滤波回路，RC滤波回路用来获取完整的SNSPD脉冲信号并将SNSPD脉冲信号输出至低温放大...

本发明提供一种嵌入微型线圈式电磁驱动MEMS扫描镜，采用金属漆包线绕制的空芯微型线圈嵌入扫描镜芯片的埋线槽中，不仅简化微型线圈制造工艺，大幅度增加了微型线圈的匝数，降低驱动功耗，提升了电磁驱动力或力矩；并且，采用磁聚焦的局部强磁场偏置及...

本发明涉及一种异质界面的TEM制样方法，通过对机械手延伸的方法解决了现有技术存在的问题，能够精准控制机械手的延伸长度，延伸长度可在几至几十微米的范围内选择，本文中机械手延伸长度通过控制挖槽宽度和U切，利用机械手在空间旋转180°将延伸长...

本发明公开了一种集成无源器件射频缺陷定位方法，包括对待检验晶圆进行整晶圆射频参数测试获取晶圆测试结果，对晶圆测试结果进行去嵌，获取待检验晶圆中每个无源器件的S参数数据；从每个无源器件的S参数数据中提取预设频点的预设参数作为分析参数，对每...

本发明涉及一种多阈值纳米片全包围栅场效应晶体管(GAAFET)器件阵列及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，包括第一沟道和第二沟道，所述第一沟道和第二沟道的厚度不同，得到不同厚度的纳米片。此外，对第一沟道和第二沟道设置...

本发明涉及一种CSI伪数据生成方法，包括以下步骤：将噪声数据输入CSI数据生成模型获得CSI伪数据，所述CSI数据生成模型包括：编码器，用来提取输入图像的特征图；扩散模型，用来根据所述特征图生成伪特征图；解码器，用来将所述伪特征图复原为...

本发明提供一种低噪声超导量子干涉磁感线圈、超导线圈及排布结构，包括：第一约瑟夫森结、第二约瑟夫森结、第一电阻、第二电阻；第一约瑟夫森结与第一电阻并联形成第一并联结构；第二约瑟夫森结与第二电阻并联形成第二并联结构；第一并联结构与第二并联结...

本发明涉及一种基于网络状态的无线传感网节点调度方法，应用于大规模随机非均匀无线传感网，包括：被预激活的传感器节点根据通信需求度调整通信半径和感知半径；被预激活的传感器节点采用动态成簇机制确定任务簇的簇头和候选节点集；任务簇的簇头评估网络...

本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，由上至下包括：顶层硅层(1)、宽禁带半导体层(8)、N<supgt;+</supgt;型缓冲层(9)、集电区(10)和集电区电极(11)。本发明采用宽禁带半导体晶圆与硅晶圆键合的晶...

本发明提供一种栅介质层、MOSFET器件及其制备方法，所述栅介质层的材料由式A<subgt;α</subgt;Si<subgt;1‑α</subgt;O<subgt;γ</subgt;所表示，式中，A...

本发明涉及一种基于双电感技术的迈克尔逊型电光调制器，包括光学结构部分和电学结构部分；所述光学结构部分包括多模干涉耦合器、掺杂波导区域、第一反射器和第二反射器；所述多模干涉耦合器的输出端分为与第一反射器连接的第一干涉臂和与第二反射器连接的...

本发明提供一种多通道超导单光子探测器，将正极焊盘和射频接头从自对准金属封装块上移除，正极焊盘设置于PCB走线板，射频接头设置于阵盘，有效利用了冷台空间，实现64通道的自对准SNSPD的集成布局；并且，本申请中自对准金属封装块相较于现有技...

本发明提供一种半导体器件终端结构的设计方法及半导体器件结构，提供半导体器件结构，增大场限环环宽度至阻断电压随环宽度增大的速率小于等于预设速率；将场限环分为全耗尽区域和未全耗尽区域，设置未全耗尽区域场限环环间距从内向外等差递增，调整递增公...

本发明涉及一种基于语义指导融合的多标签图像分类方法，包括：获取待分类图像；将待分类图像输入至多标签图像分类网络，得到多标签图像分类结果；其中，多标签图像分类网络包括：空间特征相关性提取模块，用于从输入图像中提取特征图，并得到空间特征全局...

本发明涉及一种薄膜材料的平面TEM样品制备方法，本发明利用信息标记定位方法，实现界面精准定位，进而能够在原子级分辨率下，从薄膜平面方向有效地区分出单层薄区(≤5nm)和双层薄区，从大面积观测角度获取原子排列、元素分布、晶粒粒径等信息。同...