本发明提供一种MEMS微镜及其阵列的高精度标定测试与驱动方法，包括微镜驱动信号按照设定步长进行扫描，以微镜多个驱动信号所对应的多个扫描角度，得到扫描测试数据表函数；进行函数求逆运算，得到驱动测试数据表函数；利用拟合算法或插值算法进行数据...

本发明涉及一种具备背面石墨烯散热层的扇出封装结构及其制备方法，本发明使用较传统的更高导热效率的石墨烯散热材料，并通过晶圆级芯片封装技术，将石墨烯散热材料集成于芯片级封装结构中，同时，由于扇出封装结构，能够形成比芯片尺寸更大的散热面积，使...

本发明涉及一种高热可靠性单片集成硅基GaN半桥电路及其制备方法，在硅基GaN功率器件制备完成后经晶圆减薄，键合到半绝缘型SiC衬底上，再经凹槽刻蚀、介质隔离而得。本发明实现高低边硅基GaN功率器件的完全隔离，彻底解决硅基GaN功率器件半...

本发明涉及一种基于法里分数的太赫兹光频梳频率锁定方法及装置。其中，光频梳频率锁定方法包括以下步骤：利用光频梳源生成光梳信号；向所述光频梳源注入射频信号；通过调节所述射频信号的注入频率和注入功率锁定所述光梳信号的重复频率，所述注入频率与锁...

本发明涉及一种单片集成SiC基GaN半桥电路及其制备方法，包括高边功率管和低边功率管；所述高边功率管和低边功率管由下往上依次包括：半绝缘SiC衬底、低阻SiC外延层、AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN层；所...

本发明涉及一种基于硅基GaN功率管的单片集成半桥电路及其制备方法，在硅基GaN功率器件制备完成后通过晶圆减薄、键合、凹槽刻蚀、介质隔离而得。本发明实现高低边硅基GaN功率器件的全介质隔离，彻底解决硅基GaN功率器件半桥电路单片集成面临的...

本发明涉及一种非接触式生理信号采集单元及生理信号采集系统。其中，生理信号采集系统包括多个非接触式生理信号采集单元、若干生物信号处理芯片、以及控制单元，所述多个信号采集单元用来采集不同位置的人体生理信号，所述控制单元控制所述生物信号处理芯...

本发明涉及一种增强自组网通信性能的涡旋波束调控方法，包括：将两个半径不同的均匀圆阵列天线进行同心放置，形成同心圆环天线阵列；根据目标位置的俯仰角确定同心圆环天线阵列中处于内圈的均匀圆阵列天线的模态，再结合给定的波束数量确定同心圆环天线阵...

本发明涉及一种改善SiC VDMOS导通电阻的方法，通过控制JFET区离子注入的能量实现不同深度的JFET区掺杂，得到埋层注入JFET区的SiC VDMOS器件。本发明得到的器件栅氧化层中的最大电场得到有效降低，埋层注入JFET区的设计...

本发明公开了一种存算一体单元结构，包括：SRAM存储单元和多布尔逻辑运算单元。多布尔逻辑运算单元包括：第一和第二放电路径；第一放电路径包括串联在第一输入端和第一位线之间的第一PMOS管和第一传输管，第一PMOS管的栅极连接第一存储节点。...

本发明涉及一种硅基非易失片上模式选择器，包括：解复用器、复用器、第一模式选择通过型耦合器和第二模式选择通过型耦合器；第一模式选择通过型耦合器的第一输入端与解复用器的第一输出端相连，第一模式选择通过型耦合器的第一输出端与复用器的第一输入端...

本发明公开了一种存算一体单元结构，包括：SRAM存储单元和乘法计算单元。乘法计算单元的两读取位线和中间节点之间分别连接有第一和第二以及第三和第四解耦晶体管。中间节点还连接使能信号线并连接第一使能信号。第一和第三解耦晶体管的沟道导电类型相...

本发明公开了一种存算一体单元结构，包括：SRAM存储单元和功能切换单元。功能切换单元包括：连接在两位线之间的第一和第二存储数据控制管，串联中间节点和第二行信号线之间的行和列信号控制管，4个控制管的栅极连接分别连接第一和第二存储节点以及第...

本发明提供一种目标物校准响应曲线获取方法及目标物含量测量方法。本发明首先对硅纳米线传感器进行表面改性处理，尽可能排除硅纳米线表面附着的干扰物，之后通过测量零目标物溶液的阈值电压以及不同目标物含量的量化溶液的阈值电压，本发明可以构建目标物...

本发明提供一种SOI衬底结构及其制备方法，包括：自下而上堆叠的衬底层、中间隔离层、绝缘层和顶功能层，中间隔离层包括多晶材料组成的多晶向结构以及沿多晶材料的晶界分布的钝化结构，中间隔离层远离衬底层的第一主面之上交替叠置至少一绝缘层和至少一...

本发明提供一种SOI衬底结构及其制备方法，包括：自下而上堆叠的衬底层、绝缘层和顶功能层，衬底层与绝缘层之间设置有中间隔离层，中间隔离层包括第一面、相对于第一面远离衬底层的第二面，以及自其第一面向第二面凸出的多个柱状支撑结构，柱状支撑结构...

本发明涉及一种不等比例L型U型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的...

本发明提供一种波长复用的全息图超表面，其由多个亚波长尺度的功能基元在平面上有序排布形成，每个功能基元由衬底材料与所述衬底材料的第一表面上的纳米柱组成；每个功能基元的结构是中心对称的且其纳米柱为根据编码矩阵得到的多边形柱，且所述功能基元包...

本发明涉及一种基于先验深度与高斯溅射模型融合的场景三维重建方法，包括：获取多视角下的场景图像；将多视角下的场景图像输入至场景三维重建模型中，完成场景的三维重建；其中，场景三维重建模型包括：单目深度估计网络与视觉里程计，用于基于多视角下的...

本发明涉及一种基于薄膜铌酸锂平台的折叠型电光调制器，包括光波导(1)、金属电极(2)、交叉波导(3)、多模干涉耦合器(4)和铌酸锂‑氮化硅‑硅层间耦合器(5)。本发明使用交叉波导和双转折信号电极，可以有效减少电光调制器的光学损耗与射频损...