本发明提供一种光神经网络及光神经网络芯片结构，所述光神经网络包括：光波导、光无源器件、光调制器及光探测器；其中，所述光波导用于传输光信号，所述光无源器件与所述光波导连接，共同构建光信号输入网络及光输出网络；所述光调制器用于改变在光波导中...

本发明涉及一种基于关联航迹簇的分布式多目标跟踪融合方法和装置，其中方法包括：针对所有传感器节点，提取出视场存在重叠部分的节点对；对每一对节点对中的传感器节点进行航迹匹配，得到匹配结果；根据匹配结果构建关联航迹簇；根据每个关联航迹簇选出一...

本发明涉及一种过流检测电路及保护装置。其中，过流检测电路包括：第一采样模块，用来提取半导体开关的栅极电压；第二采样模块，用来提取所述半导体开关的漏极电压；分析模块，用来比较所述栅极电压和第一参考电压的大小，以及所述漏极电压和第二参考电压...

本发明涉及一种基于TSV结构的光电合封结构及其制备方法和应用，包括转接板(1)，所述转接板(1)中设置有硅通孔TSV(101)和重布线RDL(102)；所述转接板(1)的一面与光集成电路PIC芯片(2)通过第一凸点(201)连接；所述转...

本发明涉及一种基于TSV结构的2.5D封装结构及其制备方法和应用，包括转接板(1)，所述转接板(1)中设置硅通孔TSV(101)和重布线RDL(102)；所述转接板(1)的正面与光集成电路PIC芯片(2)通过第一凸点(201)连接；所述...

本发明涉及一种汞离子检测荧光探针及其制备方法和应用，其结构式如下：本发明的汞离子检测荧光探针在一定的环境下，可实现对汞离子的高选择、高灵敏性、比率响应，探针对汞离子的最低检测限低至10.0nM。

本发明涉及一种在云边协同下基于远程直接内存访问的数据传输系统，包括云边协同全局管理平台和多台边缘计算节点，在协同处理时将发出资源调度请求的边缘计算节点作为数据发送端，将协同处理的边缘计算节点作为数据接收端，数据发送端包括M个发送内存块、...

本申请涉及生物技术领域，具体涉及一种基于串联DNA框架结构的光学复合编码载体及其用途。本申请提供一种编码载体，包括若干个串联的DNA四面体框架结构，各DNA四面体框架结构由四条DNA单链组装而成，各单链的5’端和3’端位于DNA四面体框...

本发明提供一种约瑟夫森结制备方法及超导电子器件制备方法，先形成呈条状的上电极超导线条，然后将上电极超导线条刻蚀形成块状的上超导电极，相对直接形成块状的超导电极能够更加精确的控制约瑟夫森结的尺寸，提高制备得到的超导电子器件的工作性能及稳定...

本发明涉及一种用于通信信号实时处理的可扩展协处理器，包括控制单元和信号处理单元，所述控制单元包括微控制器和片内存储模块，所述信号处理单元包括若干数字信号处理模块，且每个所述数字信号处理模块对应一路信号采样数据通道；所述微控制器根据核心处...

本发明涉及一种高精度多点测量土壤温湿度传感器及其应用，包括温湿度敏感单元、可复用电路阵列、覆盖保护层、温湿度检测电路、LoRa模块和显示模块。本发明可实现不同深度的土壤温湿度的同步多点测量，可以用于指导科学的合理调整灌溉的时间及灌溉水量...

本发明涉及一种多点测量土壤湿度传感器及其应用，包括湿度敏感单元、可复用电路阵列、覆盖保护层、湿度检测电路、LoRa模块和显示模块。本发明可实现不同深度的土壤湿度的同步多点测量，可以用于指导合理调整灌溉的时间及灌溉水量，同时可以评估不同农...

本发明提供一种卫星边缘计算的星间卸载方法，包括：利用当前卫星预测得到在预测时隙为相邻卫星提供的冗余计算资源大小；当前卫星接受其相邻卫星发送的用于指示相邻卫星预测的冗余计算资源大小的星间卸载信令消息；当前卫星将相邻卫星预测的冗余计算资源大...

本发明涉及一种低功耗广域网多跳路由方法、装置、设备及介质，其中，方法应用于待传输数据的数据节点，包括：向外广播ADV包，所述ADV包中携带数据包的目的网关信息；接收满足转发数据包条件的邻居节点回复的REQ包，所述REQ包中携带有邻居节点...

本发明提供了一种基于脉冲频率调制技术且能够自补偿的时间‑数字转换电路，包括：脉冲频率调制单元，所述脉冲频率调制单元包含电压复位结构、电容充电结构、电容放电结构、反相器链构成的简易比较器；多位脉冲计数器，所述多位脉冲计数器由多个T触发器组...

本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种卫星通信系统的用户聚类方法，主要包括：队列初始化；计算用户属性值；待聚类用户排序，得到待聚类队列；根据所应用的调度流程设置聚类检测条件；按照待聚类队列的顺序，使用聚类检测条件对所有用户检测，得到用...

本发明涉及一种具有石墨烯散热层的芯片封装结构及其制备方法，本发明使用较传统的具备更高导热效率的石墨烯散热材料，并通过晶圆级芯片封装技术，将石墨烯散热材料集成于芯片级封装结构中，从而在不增加封装体体积的同时，大大提高芯片散热效率。同时，由...

本发明涉及一种利用钽插入层调节Ni/Ge反应及NiGe/n‑Ge肖特基接触的方法，本发明采用金属Ta层作为插入层，在快速退火阶段Ta层的存在使Ni原子扩散变缓，使得与Ge衬底的反应更加的平衡，从而避免发生团聚现象，获得了一种均匀性良好，...

本发明提供一种脑电极装置，包括电路板、第一胶带层、柔性电极结构、第二胶带层和芯片；柔性电极结构包括连接的植入结构和后端结构；所述后端结构包括焊盘容置孔和多个电路板暴露通孔，第一胶带层和第二胶带层的材质为聚酰亚胺，第二胶带层的电极焊料容置...

本发明涉及一种高密度MIM电容器及其制备方法，所述电容器通过在电容区域内增加金字塔状区域，实现单位芯片面积内实际电容结构面积的提升，能显著增加电容密度，提高器件集成度，同时，由于仅增加了一步预刻蚀工艺，其制作难度也较低，不会显著增加制作...