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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
一种紫外探测器及其制作方法技术
本发明提供一种紫外探测器及其制作方法,该探测器从下而上依次由绝缘衬底、下电极、紫外敏感薄膜、金属上电极和石墨烯透明电极构成。所述下电极分为两种:一种是由单金属或复合金属薄膜;另一种下电极由透明导电薄膜ITO和制作在该薄膜上环绕在紫外敏感...
一种光导型紫外探测器及其制作方法技术
本发明提供一种光导型紫外探测器及其制作方法,该紫外探测器从下而上依次由绝缘衬底、紫外敏感薄膜、金属电极和石墨烯透明梳齿电极构成,其中绝缘衬底可采用石英玻璃片或表面生长或沉积了氧化硅或氮化硅等绝缘介质的硅片,紫外敏感薄膜可以是氮化镓、掺铝...
一种石墨烯的制备方法技术
本发明提供一种石墨烯的制备方法,以天然石墨或人造石墨为原料,在水相环境下进行边缘氧化插层,不破坏面内石墨结构,增大石墨片边缘层间距离,采用气泡剥离法对其进行剥离,从边缘逐渐扩大石墨片层之间的层间距离,使石墨片层间相互脱离,达到剥离效果,...
加速度计内嵌压力传感器的单硅片复合传感器结构及方法技术
本发明涉及一种加速度计内嵌压力传感器的单硅片复合传感器结构及方法,所述复合传感器结构包括一块单晶硅基片和均集成在单晶硅基片上的加速度传感器及压力传感器;加速度传感器与压力传感器集成于单晶硅基片的同一表面,且压力传感器悬浮在加速度传感器的...
一种无死区时间的磁通量子计数装置制造方法及图纸
本实用新型提供无死区时间的磁通量子计数装置,包括:第一磁通锁定环及第二磁通锁定环,分别连接相对为高灵敏度的第一SQUID及相对为低灵敏度的第二SQUID;阈值检测单元,分别连接第一磁通锁定环及第二磁通锁定环的输出端;复位单元,分别接入第...
半刷新机制的双端口静态随机存储器单元制造技术
本发明提出了一种半刷新机制的双端口静态随机存储器单元,至少包括:单稳态锁存器及连接于所述单稳态锁存器的传输门;单稳态锁存器包括上拉管及下拉管;传输门包括第一获取管、第二获取管、第三获取管及第四获取管。本发明相对传统双端口静态随机存储器单...
半刷新机制的单端口静态随机存储器单元制造技术
本发明提出了一种半刷新机制的单端口静态随机存储器单元,至少包括:单稳态锁存器及连接于所述单稳态锁存器的传输门;所述单稳态锁存器包括上拉管及下拉管;所述传输门包括第一获取管及第二获取管。本发明相对传统静态随机存储器单端口单元而言,其单元晶...
一种基于双纳米金探针检测标志物的蛋白芯片制造技术
本发明涉及一种基于双纳米金探针检测标志物的蛋白芯片,由含有捕获抗体的蛋白芯片、标记检测抗体和DNA探针1的检测探针以及标有DNA探针2的信号探针组成。本发明40min内可对多种蛋白进行高灵敏联合检测,敏感快捷、成本低、小型化、不需要复杂...
一种介孔氧化硅纳米材料的用途制造技术
本发明涉及一种介孔氧化硅纳米材料的新用途,即将介孔氧化硅纳米材料应用于有机磷农药的吸附降解;介孔氧化硅纳米材料依靠介孔氧化硅材料表面的硅羟基(Si-OH)基团与有机磷农药分子中P=O(或P=S)基团的特异性作用,将有机磷农药分子吸附至介...
一种相变存储单元及其制作方法技术
本发明提供一种相变存储单元及其制作方法,所述相变存储单元包括:镶嵌于衬底中的至少一个下电极;连接于所述下电极上方的刀片状加热电极;连接于所述刀片状加热电极上方的刀片状相变材料结构;连接于所述相变材料结构上方的上电极。本发明的相变存储单元...
单模可调谐太赫兹量子级联激光器的器件结构及制作方法技术
本发明提出了一种单模可调谐太赫兹量子级联激光器的器件结构及制作方法,至少包括:半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、第一接触层、有源区、第二接触层、第一金属层及第二金属层;有源区、第二接触层及第一金属层在第一接触层上形成脊型结构;脊型结构...
一种基于麦克风阵列的声目标分类方法技术
本发明涉及一种基于麦克风阵列的声目标分类方法,其特征在于包括以下步骤:(1)麦克风阵列对声目标进行定向,通过定向算法的结果对声音信号进行常规波束形成;(2)将常规波束形成后的信号所提取到的特征和定向角度变化量一起送入分类器进行分类。本发...
一种基于稀铋磷化物材料的多结太阳能电池结构制造技术
本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料多结太阳能电池结构,采用基于稀铋磷化物材料取代常规锗材料作为红外波段0.46-1.0eV结太阳能电池。在磷化物中掺入少量铋原子,会在禁带内产生新的杂质能带,其室温发光波长随铋的掺入浓度改变在1.2-2....
一种快速检测多种致病菌的方法技术
本发明提供了一种快速检测多种致病菌的方法,其特征在于首先是制备双功能复合纳米球。然后,分别将不同尺寸的量子点和复合功能纳米球与可以特异性识别目标菌的单克隆抗体连接,得到几种能够与目标菌表面抗原进行抗原-抗体反应的免疫量子点探针和免疫复合...
SOI四端口网络及其系统技术方案
本发明提供一种SOI四端口网络及其系统,包括:第一端口、第二端口、第三端口以及第四端口,所述SOI器件进行射频建模时,栅极与所述第一端口连接,漏极与所述第二端口连接,源极与所述第三端口连接,体极与所述第四端口连接。通过SOI四端口网络,...
剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法技术
本发明提供一种剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法,包括以下步骤:S1:提供一Si衬底,在其表面外延生长一掺杂单晶层;所述掺杂单晶层厚度大于15nm;S2:在所述掺杂单晶层表面外延生长一单晶薄膜;S3:在所述单晶薄膜表面形成一SiO...
一种MOSFET的建模方法技术
本发明提供一种MOSFET的建模方法,包括步骤:首先,获得模型的源漏寄生电阻;然后,将获得的模型的源漏寄生电阻挂到DC模型上,进行IV/CV特性拟合;最后,当IV/CV特性拟合精度满足要求时,进行S参数的拟合,直至S参数的拟合满足精度要...
一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法技术
本发明提供一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法,至少包括以下步骤:1)提供一Si1-xGex层,于所述Si1-xGex层表面形成Ti金属薄膜,其中,0.05≤x≤0.9;2)于所述Ti掺入层表面形成Ni金属层;3)采用快速退火工...
一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法技术
本发明提供一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法,包括以下步骤:S1:提供一Si衬底,在所述Si衬底表面外延生长掺杂单晶薄膜;S2:接着再外延生长一待转移层;S3:从所述待转移层正面进行离子注入,使离子注入到所述掺杂单晶薄膜与所述Si衬...
双功能复合纳米球及快速检测食源性致病菌的方法技术
本发明提供了一种双功能复合纳米球及快速检测食源性致病菌的方法,其特征在于采用二氧化硅同时包埋量子点和磁性纳米颗粒,构建了同时具有光学性质和超顺磁性的复合纳米球。分别将相应的量子点和纳米球与可以特异性识别食源性致病菌的单克隆抗体连接,得到...
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