本发明提供一种基于Si/SiGe/Si量子阱MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一Si/SiGe/SOI衬底；2）于所述Si/SiGe/SOI衬底表面制作出器件区域；3）于Si/SiGe/Si顶层两侧中注入P...

本发明提供一种瞬变电磁接收机，包括：超导量子干涉器传感器；与所述超导量子干涉器传感器相连的同步信号处理单元，用于从所述超导量子干涉器传感器所输出的感应信号中提取同步信号；与所述超导量子干涉器传感器和同步信号处理单元相连的数据采集单元，用...

本发明涉及一种基于锗纳米线场效应晶体管的生物传感器、方法及应用，其特征在于以具有锗纳米线沟道的锗纳米线场效应晶体管作为换能器，采用表面修饰剂对锗纳米线沟道进行功能化修饰以生成不同用途的生物传感器。依不同表面修饰剂对锗纳米线沟道表面进行功...

本发明提供一种绝对磁场测量设备及所适用的绝对磁场测量方法。所述设备包括：设置在超导环境中的三轴超导量子干涉器磁强计；与所述三轴超导量子干涉器磁强计处于同一磁场环境且设置在常温环境中的三轴磁通门计；数据采集处理装置，用于利用各轴向的所述超...

本发明提供一种多晶硅应力传感器及其制作方法，所述多晶硅应力传感器至少包括：硅衬底；硅孔结构，形成于所述硅衬底中；第一阻挡层，覆盖于所述硅衬底正表面及所述硅孔结构的上部侧壁；多晶硅层，形成于所述第一阻挡层表面、及所述硅孔结构的下部侧壁及底...

本发明提供一种基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底绝缘层的厚度为20nm~40nm；2）制作器件区域；3）形成源区及漏区及沟道区；4）于所述SOI衬底表面...

本发明提供一种h-BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h-BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h-BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h-BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方法直接在h-BN...

本发明提供一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Sb-Te-Cr相变材料的化学通式为SbxTeyCr100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足30<x<45，40<y<100-...

本发明提供一种具有初始化功能的相变存储器写擦电路，所述相变存储器写擦电路至少包括：初始化控制电路，与电源连接，用于接入内部电路上电复位信号及外部信号并发出初始化复位信号；初始化电路，包括原始电流源；所述初始化电路与所述电源及所述初始化控...

本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底； 在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理或等离子体物理吸...

本发明提供一种基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一sSOI衬底，所述sSOI衬底的顶层应变硅的厚度为10nm~50nm；2）制作器件区域；3）形成N+源区及N+漏区及应变沟道区；4）于所述sS...

本发明提供一种用于分子束外延生长和角分辨光电子能谱测试的样品托，包括：圆形托、压片、方形托；所述压片通过固定件固定在所述圆形托上；所述方形托包括样品承载部和与所述样品承载部相连的手柄，所述样品承载部压在所述压片和圆形托之间；所述圆形托上...

本发明提供一种读出电路及所适用的双级的超导量子干涉传感器。所述传感器包括：双级超导量子干涉组件；与所述双级超导量子干涉组件相连的读出电路；与所述读出电路中的受控积分反馈子电路相连、且与所述第一级超导量子干涉器件互感的第一反馈线圈；与所述...

本发明提供一种锗基石墨烯的抗菌用途。抗菌实验表明，锗基石墨烯对多种革兰氏阳性菌及革兰氏阴性菌具有良好的杀菌和抗菌能力，通过接触细菌，使细菌的细胞质流出来达到杀菌效果，有效抑制细菌的增殖和分裂；同时，锗基石墨烯中的锗对人体具有保健功效如抗...

本发明提供一种标定电路结构及利用所述结构进行标定的方法。根据本发明所述标定电路结构，所述标定电路结构包括：印刷电路板，印制第一线圈和多个第二线圈，其中，所述第一线圈的尺寸大于所述多通道超导量子干涉传感阵列的尺寸；各所述超导量子干涉器磁传...

本发明涉及一种面向无线传感网的网络协议性能测试床系统及测试方法，基于共性硬件接口设施，以分簇网络拓扑结构为基础，完成测试代码的快速分发及测试状态参数的快速获取。测试床系统以快速可靠的代码分发更新为目标，在传感器网络协议的内存段使用方式格...

本发明提供一种偏移电压调节电路及所适用的超导量子干涉传感器。其中，所述传感器包括：与外接的可调偏置电源相连的偏置电路；与所述偏置电路相连的超导量子干涉器件；与所述偏置电源和外接的可调偏移电源相连的偏移电压调整电路，用于根据所述偏置电源和...

本发明提供一种应用于静态随机存储器电路的灵敏放大器，所述灵敏放大器至少包括：获取电路，用于感知输入信号电压差；连接于所述获取电路的隔离电路，用于隔离所述输入信号及差分输出信号，削弱所述输入信号及所述差分输出信号的耦合作用；连接于所述隔离...

本发明提供一种支持高频率敏感度自准直现象的光子晶体及设计方法和应用。其中，所述支持高频率敏感度自准直现象的光子晶体具有由至少两种材料形成的周期性折射率分布；且光子晶体色散空间内的某个能带内存在平直的等频线或平坦等频面、且在平直等频线或平...

本发明提供一种灵敏放大器，至少包括：电流隔离电路，用于隔离输入信号及输出信号；连接于所述电流隔离电路的电流放大电路，用于将输入电流放大，并输出相应电压信号；连接于所述电流放大电路的降压电路，用于对所述电流放大电路输出的信号进行降压；连接...