本发明提供一种超导量子干涉器磁传感器，其包括：超导量子干涉器件；与所述超导量子干涉器件相连的前置放大器；与所述前置放大器的输出端相连、且反馈至所述超导量子干涉器件的第一反馈电路；与所述前置放大器的输出端相连的积分器；与所述积分器的输出端...

本发明提供一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在...

本发明提供一种石墨烯-氮化硼异质结的制备方法，包括以下步骤：S1：在热释放胶带上粘附石墨烯；S2：将所述热释放胶带表面粘附有所述石墨烯的一面贴合到氮化硼上；S3：加热使所述热释放胶带失去粘性，然后揭去所述热释放胶带，得到石墨烯-氮化硼异...

本发明提供一种超导量子干涉器磁传感器的性能测试装置及方法，其中，超导量子干涉器磁传感器包括：SQUID和与SQUID相连并向该SQUID反馈磁通的磁通锁定环路。该性能测试装置包括：外部磁通加载单元，用于向超导量子干涉器磁传感器提供包含频...

本发明公开了一种用于EGFR基因突变检测试剂盒及其应用，其特征在于本试剂盒包含用于EGFR基因突变位点20条特异性扩增的引物、5条野生序列的高效封阻探针，4条EGFR基因特异性TaqMan荧光探针。该试剂盒可以检测突变拷贝数低至5～10...

本发明提供一种局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法，方法包括：提供局域供碳装置；制备镍铜合金衬底，将镍铜合金衬底置于局域供碳装置内；将放置有镍铜合金衬底的局域供碳装置置于化学气相沉积系统的腔室中，在局域供碳装置中通入气态碳源...

本发明涉及一种基于建筑格局约束的复杂室内环境下的定位方法，包括以下步骤：(1)对环境噪声分布的评估；(2)对移动目标初始位置的计算阶段；(3)实时定位过程中的位置估计阶段。其中提出的先验分布针对目标所处的不同区域，修正候选位置的分布函数...

本发明提供一种绝缘体上应变薄膜结构，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的埋氧层及形成于所述埋氧层上的顶层应变半导体层；所述顶层应变半导体层中形成有预设图形微结构；所述微结构包括一主体及分布于所述主体边缘的至少两条桥线；所述微结构下方...

本发明涉及一种无线自组织网络中的功率动态分级方法，其特征在于利用节点的剩余能量作为分级的衡量标准，依据自身的能量消耗情况动态的确定发射功率门限值，利用节点剩余能量信息对发射功率门限进行分级。本发明所述的方法在节点需要提高发射功率进行通信...

本发明涉及一种深度图像中基于多叉树的局部凸出对象提取方法，包括以下步骤：对输入深度图像进行逐像素邻域差分，建立基于多叉树数据结构的深度树模型以及深度树节点与图像像素的映射图；对深度树的叶子节点进行局部优化，去除噪声；遍历深度树的叶子节点...

本发明提供一种基于键合技术的光学读出红外探测器阵列的制作方法，所述制作方法至少包括：1)提供一牺牲衬底和一玻璃衬底，将所述牺牲衬底与所述玻璃衬底键合，减薄所述牺牲衬底形成牺牲层；2)在所述牺牲层上制作形成像素结构阵列，所述像素结构阵列包...

本发明涉及一种基于欠奈奎斯特采样的通信信号检测与识别方法，流程如下：模拟前端的欠奈奎斯特采样数据作为信号重构模块的输入，信号重构以SOMP算法为基础，在每次迭代计算中产生一个能量观测值用于频谱检测，同时恢复的频域信号用于循环谱估计。频谱...

本发明提供一种交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计，所述交叉栅结构MOSFET的版图设计包括：半导体衬底、十字形交叉栅结构、源区及漏区；所述十字形交叉栅结构包括第一条状栅及与所述第一条状栅垂直的第二条状栅，所述第一...

本发明提供一种可控金属纳米颗粒的制作方法，包括：首先提供一包括基体和顶绝缘层的基板；然后在顶绝缘层上方沉积金属纳米薄膜；接着采用光刻和刻蚀的方法得到微米金属图形；最后采用聚焦离子束辐照的方法，刻蚀金属的同时得到尺寸可控的金属纳米颗粒。本...

本发明涉及一种功能材料热力学参数的测试方法，为使用谐振式微悬臂梁作为微质量传感器，将功能材料负载于谐振式微悬臂梁的自由端，实时测试功能材料在特定温度下，对不同压力气体的吸附量，得到功能材料的吸附等温线，然后进一步计算所述功能材料的热力学...

本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压来调制所述窄边...

本发明提供一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型，提取单一器件尺寸、规模及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数并建立工艺模型和器件模型；依据实验流片的参数测试结果校验得到的工艺模型参数和器件模型参数；根...

本发明涉及一种相变存储器器件单元的皮秒级脉冲测试系统，包括主控计算机、皮秒脉冲信号发生器、数字源表和器件夹具盒，所述主控计算机分别与所述皮秒脉冲信号发生器和数字源表相连；所述皮秒脉冲信号发生器和数字源表还分别与所述器件夹具盒内的偏置器相...

本发明提供一种钇掺杂氧化锆单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括：提供一待处理的钇掺杂氧化锆单晶衬底，将所述钇掺杂氧化锆单晶衬底置于高温炉中，在1350℃～1450℃下进行空气氛围退火2～4小时，获得原子尺度的表面台阶，其中，所述钇掺杂氧...

本发明提供一种超导量子干涉器磁传感器。所述磁传感器包括：第一超导量子干涉器件；欠反馈电路，用于将第一超导量子干涉器件所输出的电信号按预设比例放大后负反馈至第一超导量子干涉器件，使得反馈后的第一超导量子干涉器输出的电信号以周期单值特性输出...