本发明提供一种超导量子干涉器磁传感系统，包括：包含第一超导量子干涉器件的第一磁传感器，用于实时调整第一超导量子干涉器件的锁定工作点，并在每次锁定后的一个磁通量程范围内感应并输出与外部磁通的变化相对应的第一感应信号；与第一磁传感器处于同一...

本发明涉及一种气相扩散型结晶芯片及使用方法，其特征在于：①所述结晶芯片是由一个表面加工有微管道结构且具有疏水特性的基片和一个表面平整且具有亲水特性的基片键合构成；②表面加工有微管道结构的基片为圆盘状微流控芯片，包含多组辐射状对称排列的微...

本发明涉及一种基于遗传算法和最大熵阈值分割算法的图像分割方法，包括以下步骤：计算图像的灰度直方图；对图像的灰度值进行编码，产生M个初始种群；利用最大熵阈值分割算法计算种群中每一个个体的适应度；对种群进行遗传操作得到新种群，遗传操作包括选...

本发明涉及一种基于指导图像引导的高精度立体匹配方法，包括以下步骤：计算指导图像；计算复合梯度；计算复合匹配代价；匹配代价的聚合；视差计算；视差求精。本发明可以搭建一种可以应对常见匹配场景的高效的匹配方法，为双目立体测量技术的设计应用提供...

本发明涉及一种基于遗传算法的矢量量化码书设计方法，包括以下步骤：将染色体编码；产生初始种群；计算每条染色体的适应度；选择进入下一代的个体；染色体交叉；染色体变异；产生新种群。本发明以种群为对象，使用选择算子对种群中进行针对性的择优操作，...

本发明涉及一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法，包括：(1)将CVD方法生长的带有金属衬底的石墨烯浸到金属离子溶液中进行修饰，静置后取出并吹干；(2)将修饰好的带有金属衬底的石墨烯采用湿法转移工艺转移到绝缘衬底上；(3)采用电子束蒸发...

本发明公开了一种航空超导磁测量系统同步精度的标定方法及装置，能提供真正意义上的百纳秒级同步测量精度。所述方法，在航空超导磁测量系统原测控装置中替换影响同步精度直接标定的组件，引入可与GPS组合惯导测量同一标定源的传感器组件及其配套设备，...

本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构，通过在磷化物中掺入少量铋原子，在磷化物禁带内产生新的杂质能带，杂质能带与磷化物导带边和价带边距离可通过改变磷化物中Al、Ga、In元素组分来调控，并在一个较宽的范围内实现理论预期...

本发明提供一种运动状态下监/检测心电信号的运动干扰移除方法，其特征在于利用多个独立的自适应滤波器单元，每个独立滤波器子单元采用各自独的滤波算法且每个独立滤波器子单元的输出通过自适应权重调整；经过运算最终得到的组合滤波器输出，从而使组合滤...

本发明提供一种用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr-Sb-Te系列相变材料的化学式为Zr100-x-ySbxTey，其中0＜100-x-y＜20，0.5≤x/y≤4。本发明的用于相变存储器的Zr-Sb-Te...

本发明涉及一种基于三维深度图数据的密集人流量实时检测方法，包括以下步骤：通过摄像机获取三维深度图数据；通过前景提取和人头目标区域检测获得初步的人头目标；对行人进行跟踪并且记录运动轨迹；根据轨迹信息判断人数和运动方向。本发明在三维深度图上...

本发明涉及一种3mm波段小型探测器前端，包括3mm小型化双天线、发射支路、接收支路、微带功率分配器和本振源倍频链路。其中，3mm小型化双天线包括发射天线和接收天线；本振源倍频链路用于提供可调频的本振信号；微带功率分配器将本振信号分成两路...

本发明提供一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括步骤：首先，提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；然后，将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀...

本实用新型提供一种用于分子束外延生长和角分辨光电子能谱测试的样品托，包括：圆形托、压片、方形托；所述压片通过固定件固定在所述圆形托上；所述方形托包括样品承载部和与所述样品承载部相连的手柄，所述样品承载部压在所述压片和圆形托之间；所述圆形...

本发明涉及一种适用于围界防入侵的应用重构带状网系统，采用综合应用、网络传输、物理感知三层架构，包括超节点和工作节点两种功能实体，用户通过网络上传新的应用代码到超节点；超节点和工作节点之间采用网络进行通信，超节点包含位于物理感知构架中的网...

本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条...

本发明提供一种SQUID磁传感器及其最佳工作点锁定方法，包括被测磁通信号放大并转换为响应磁通信号的SQUID磁通放大电路；将响应磁通信号线性转换为检测电压信号的SQUID磁通检测电路；根据检测电压信号输出与所述被测磁通信号成比例的响应电...

本发明涉及一种通过高温高压提高石墨烯表面洁净度的方法，包括：将转移完毕的有机胶、石墨烯和目标衬底的结合体放入装有除胶溶剂的密闭容器中于150kPa-2000kPa、50-500℃下加热，即得除完有机胶的石墨烯。本发明通过将有机胶、石墨烯...

本发明提供一种化学气相沉积法（CVD）石墨烯薄膜区域择优选取的方法，包括以下步骤：1）提供一长有CVD石墨烯的金属衬底；2）将长有石墨烯的生长衬底置于反应腔中，并于保护气体气氛中将所述生长衬底加热至预设温度；3）通入反应气体，于预设气压...

本发明提供一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法，通过在生长磷化铟(InP)材料时加入少量镓(Ga)和铋(Bi)元素形成全新的InGaPBi材料，通过改变Ga元素的百分比含量实现晶格常数的调控，室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极...