本发明提供一种可植入式多功能复合型蚕丝蛋白微针及其制备方法，所述蚕丝蛋白微针阵列由微针和基底组成，与传统微针相比，具有多功能、可控缓释、柔性、高效、低价、易制备、生物相容性好、可自然降解等一系列突出的优势。根据实际需要，不仅可以在微针和...

本发明涉及一种用于核酸单碱基改变的核酸反应理论分析方法，包括：(1)计算互补反应和错配反应的标准焓变化量ΔrH和标准熵变化量ΔrS；(2)穷举计算出所有单碱基改变的焓变化量ΔΔH与熵变化量ΔΔS，得到核酸单碱基改变的焓变化量与熵变化量数...

本发明提供一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的组分通式为CrxGe2Sb2Te5，其中，x为Cr元素的原子比，且满足0.5<x<1.5。本发明通过对Ge...

本发明涉及一种监控网络中基于业务服务质量的数据多跳路由采集方法，包括以下步骤：利用本地邻居节点信息，确定转发节点集合Ci；计算转发节点集合中各候选转发节点优先级：终端通过计算各候选转发节点所产生的时延，选择合适的路由方式：其中，Tdi为...

本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述...

本发明提供一种提高SQUID磁传感器测量灵敏度的方法、装置及系统，该方法包括：利用三轴磁强计将背景磁场转换成电信号；所述背景磁场包括环境磁场和信号磁场；对所述电信号进行调理后获得反应所述环境磁场的主要电信号；将所述主要电信号转换成环境抵...

本发明提供一种相变存储器及其恢复数据的方法，包括：获取基准参考电阻值的预写相变存储单元；存储数据的正常访问相变存储单元；控制写入数据及读取数据的电学控制模块；控制温度的温度控制模块。在预写地址和正常访问地址中写入数据；改变环境温度；读取...

本发明涉及一种高灵敏度的氨类气体传感器，以谐振式微悬臂梁为质量型敏感检测平台，以高羧基含量（重量百分比为20%以上）的介孔纳米颗粒材料为敏感材料，依靠酸性基团与具有碱性的氨类气体之间存在的酸碱特异性吸附作用，获得灵敏度为ppb量级的氨类...

本发明涉及一种码分多址系统的自适应多径管理方法，先计算时延扩展函数，从中递归搜索出满足一定门限的峰值，记录峰值各自的位置和峰值大小，并根据能量大小排序形成峰值表；对峰值表中的峰执行路径检查，并输出检测标记；根据路径检测的结果，刷新指峰的...

本发明涉及一种基于液滴移动发电的微型能量采集电极装置及制备方法，所述液滴移动发电的微型能量采集电极装置，自下而上包括衬底基片、电极层、电介质层和疏水层。能量采集电极装置中疏水层一侧为液滴移动通道，且另一侧与电介质接触。电极层嵌置于电介质...

本发明涉及一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法，所述单晶具有与ZrCuSiAs相同的四方的晶体结构，起始超导转变温度为21K。本发明的制备方法采用CaAs做自助熔剂，通过缓慢降温结晶的方法制得基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶...

本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法，包括如下步骤：S1：提供一六角氮化硼衬底；S2：在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层，并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形；S3：在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积...

本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤：提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。

本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后，采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要...

本发明涉及基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法，其特征在于通过氧化亚铜薄膜衬底，直接制备出低成核密度石墨烯单晶，具体制备步骤包括：(1)氧化亚铜薄膜的制备；(2)低密度石墨烯单晶制备。本发明提出了新的制备工艺，使CVD石墨...

本发明提供一种红外探测器阵列及其制作方法，该红外探测器阵列的结构特点在于在非致冷红外探测器像素的悬桥结构上制作两组热敏单元B1和B2，在衬底上制作另外两组热敏单元S1和S2，再通过惠斯通电桥形式将这四组热敏单元连接起来，差分输出电信号，...

本发明提供一种超高分辨率光子晶体超棱镜的设计方法，包括以下步骤：S1：选定介质材料，确定光子晶体的结构类型和结构参数；S2：获得光子晶体的等频图，寻找自准直区域；S3：获得所述等频图中各点的群速度分布，寻找低群速度区域；S4：优化光子晶...

本发明涉及一种基于MEMS工艺的细胞微阵列结构及其制备方法，所述结构分为槽型结构、柱型结构。所述槽型结构主要通过一次DRIE干法刻蚀结合热氧化工艺实现；柱型结构主要通过两次DRIE干法刻蚀结合热氧化工艺实现，且其阵列单元中的硅微纳米线只...

本发明提供了一种高效晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池结构相比于传统结构，在倒金字塔结构表面还具有微绒结构，该结构可进一步减少光反射，提高器件的光谱响应。该技术适用于p型和n型太阳电池，采用离子注入实现p+层和n+层的掺杂制备，通过...

本发明涉及一种基于量子点(QDs)荧光共振能量转移(FRET)检测基因甲基化程度的方法，包括：(1)巯基乙胺包裹的CdSe/CdS/ZnS核/壳/壳结构量子点的制备；(2)样本组织的准备；(3)基因的选择及引物设计；(4)甲基化的检测。...