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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
SQUID 全张量测量模块、心磁信号探测装置及方法制造方法及图纸
本发明提供一种SQUID全张量测量模块、心磁信号探测装置及方法,包括:将被测对象的心脏置于SQUID全张量测量模块的正下方,SQUID全张量测量模块包括全张量梯度计和三轴磁强计;对心磁信号进行采集,同时得到磁强计信号和梯度计信号;根据梯...
一种基于麦克风阵列的风噪声检测方法技术
本发明涉及一种基于麦克风阵列的风噪声检测方法,包括以下步骤:先对麦克风阵列采集的声音信号进行预处理,包括分帧,去均值等,再利用延时估计算法计算各个通道间的时延值,判断计算的时延值是否超过设定的阈值,如果超过则为风噪声,否则为其他声信号。...
一种高品质因数电容制造方法技术
本发明涉及一种高品质因数电容制造方法,该制造方法至少包括以下步骤:提供一硅基板,在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面的掩膜层上形成腐蚀窗口;沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构;使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板;在所述...
一种制备无褶皱的石墨烯的方法技术
本发明提供一种制备无褶皱的石墨烯的方法,包括以下步骤:S1:提供一催化基底,在所述催化基底表面预设区域进行离子注入以破坏注入区域的催化性能,并使得所述催化基底表面形成若干分立的未注入单元;S2:将所述催化基底放入生长腔室,将所述催化基底...
一种相变型氧化钒材料及其制备方法技术
本发明提供一种相变型氧化钒材料及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供氧化钒基材,对所述氧化钒基材进行气体离子注入,得到具有预设相变温度的相变型氧化钒材料。后续可选择性地通过进一步退火来调整氧化钒中注入气泡的形成情况,进一步调整应力...
基于纳米孪晶铜的凸点下金属层及制备方法技术
本发明提供一种基于纳米孪晶铜的凸点下金属层及制备方法,所述凸点下金属层包括粘附层以及位于所述粘附层之上的纳米孪晶铜层。凸点下金属层(UBM)是芯片封装应力最大的地方之一,往往容易先行失效。本发明通过在UBM层中引入纳米孪晶铜,可以利用纳...
一种转移石墨烯的方法技术
本发明提供一种转移石墨烯的方法,包括:提供一锗催化衬底,将其放入生长腔室,并通入含氢气氛,以在所述锗催化衬底表面形成Ge-H键;将所述催化衬底加热至预设温度,并往所述生长腔室内通入碳源,在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯;提供一键合基底...
基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法技术
本发明提供一种基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法,所述CMOS器件包括:PMOS器件,包括硅衬底、埋氧层、应变硅层、SiGe层以及应变硅盖帽层,形成于所述SiGe层中的SiGe沟道、形成于所述SiGe层及应变硅...
一种SQUID芯片及其检测方法技术
本发明提供一种SQUID芯片,包括:SQUID器件;并联的反馈线圈和加热器。所述反馈线圈工作于超导状态时,所述加热器不工作,所述SQUID器件对磁通信号进行检测并转化为电压信号输出;所述反馈线圈工作于失超状态时,所述加热器开始加热,使所...
一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法技术
本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法,所述方法包括步骤:首先,提供一基板,所述基板包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层;然后,在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列;最后,进行退火处理,所述微米铜图形阵列在退火过程中被...
一种基于可调中频衰减器的毫米波成像系统技术方案
本发明涉及一种基于可调中频衰减器的毫米波成像系统,包括控制与处理单元、频率源、发射单元和接收单元,所述频率源向所述发射单元和接收单元提供工作频率;所述发射单元与发射天线阵列相连,所述接收单元与接收天线阵列相连,所述控制与处理单元用于控制...
一种带有幅度修正的毫米波全息成像方法技术
本发明涉及一种带有幅度修正的毫米波全息成像方法,包括以下步骤:在毫米波扫描平面上获得信号f(x,y,ω);将所述信号f(x,y,ω)乘以一个幅度修正项M(x,y),得到幅度修正信号;将上述幅度修正信号做关于x和y的二维离散傅里叶变换,得...
基于液滴冷凝的热电转换能量采集装置及制备方法制造方法及图纸
本发明提供一种基于液滴冷凝的热电转换能量采集装置及制备方法,所述热电转换能量采集装置包括散热端、上极板、下极板、传热板和超疏水壁面。所述传热板是具有超强导热能力的金属极板,其下表面与外界废热源相连,用于将外部热能传递到传热板上表面的液态...
一种基于麦克风阵列的运动目标计数方法技术
本发明涉及一种基于麦克风阵列的运动目标计数方法,其特征在于所述的计数方法包括以下步骤:麦克风阵列通过目标检测算法获悉是否出现运动目标;检测到运动目标出现后,麦克风阵列在每个时间帧上利用该帧的采集信号按一个声源对运动目标进行定向,从而得到...
一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法技术
本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法,涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域,以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—超导/半导体材料—h-BN的新型器件结构,可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料...
一种褶皱状石墨烯的制备方法技术
本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法,包括:提供一催化基底,将所述催化基底放入生长腔室,往所述生长腔室通入碳源,并将所述催化基底加热至预设温度,在所述催化基底表面生长得到石墨烯;在非氧化性保护气氛下,调节降温速率,使所述石墨烯表面出现预...
一种高线密度极紫外多层膜闪耀光栅的制备方法技术
本发明的高线密度极紫外多层膜闪耀光栅的制备方法,包括步骤:首先,提供一衬底,采用低能离子束辐射所述衬底的表面,形成锯齿状纳米结构周期阵列;然后在所述锯齿状纳米结构周期阵列的表面生长周期性多层膜,形成极紫外多层膜闪耀光栅。本发明制备极紫外...
一种微悬臂谐振结构传感器及其制造方法技术
本发明提供一种微悬臂谐振结构传感器的制造方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底中形成有微悬臂结构;所述微悬臂结构的微悬臂梁表面形成有亲水层;在所述微悬臂梁的敏感区域表面形成一保护层;在所述衬底表面形成疏水分子层;去除所述保护层,露出其...
一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法技术
本发明提供一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法,在所述相变存储器中的相变层与上电极界面、相变层中间以及相变层与下电极界面加入石墨烯,以改善相存储器单元的器件性能。在相变层与上电极界面加入石墨烯,能够减小重复操作中相变材料与上电极形成空...
无线自组织网络中的单向链路通告方法技术
本发明涉及一种无线自组织网络中的单向链路通告方法,其特征在于根据无线自组织网络中的功率分级方法,对交换邻居列表方法进行改进,改进了单向链路的利用策略,通过提高下游节点发射功率,使单向链路两端节点均能获得链路信息;也即链路信息从链路下游通...
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