本发明提供一种单芯片双轴水平光纤加速度传感器及其制备方法，包括：在第一基底上形成两个敏感方向相互正交的、对水平加速度敏感的单轴加速度敏感单元，单轴加速度敏感单元包括微反光镜、弹性梁以及光高反射膜，在第二基底表面形成微反光镜扭转空间；将第...

本发明提供一种（111）单硅片集成的三轴微机械加速度传感器及制作方法。三轴加速度传感器采用单硅片单面体硅微机械工艺，通过在（111）单硅片的同一个面上一次成型制作而成。其中X轴和Y轴方向的加速度传感单元采用双悬臂梁结构，Z轴方向的加速度...

本发明涉及一种单天线雷达探测器馈电结构，包括收/发天线、波导反射面、发射馈线和接收馈线，所述收/发天线固定在所述波导反射面上方；所述发射馈线和接收馈线相互垂直设置，共用所述波导反射面上的一个波导口，并通过不同的波导电磁波激励模式进行馈电...

本发明提供一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构,至少包括：半导体超晶格器件；该半导体超晶格器件设有衬底及位于其上且由势垒和势阱交替堆叠而成的周期性结构；位于该周期性结构上的重掺杂接触层及该重掺杂接触层上的上电极；与该半导体超晶格器件构成闭...

本发明涉及一种磷化铟基高电子迁移率晶体管结构及制备方法，其特征在于采用半绝缘单抛的InP(100)衬底，采用GSMBE工艺先在InP衬底上外延生长一层In0.52Al0.48As缓冲层，然后依次生长In0.53Ga0.47As沟道层、I...

本发明涉及一种基于收发双源本振的毫米波收发前端，发射本振基频源用于产生发射工作频率信号，接收本振基频源用于产生接收工作频率信号；所述发射本振基频源的输出端与所述发射倍频单元的输入端相连，所述发射倍频单元的输出端与功放或发射天线相连；所述...

本发明涉及一种餐厅自动结算方法及系统，方法包括：拍摄检测区域中整体图像，并通过图像处理方法提取整体图像轮廓；利用轮廓信息，通过图像识别技术判断检测区域中是否有托盘及餐盘图像，将其整体图像及轮廓信息进行存储；然后利用图形学和图像处理方法提...

本发明涉及一种道路窨井盖实时监测系统，包括井盖监测终端、区域控制终端、辅助管理终端和监控管理中心，所述井盖监测终端利用多传感器实时协同监测井盖状态；所述区域控制终端与井盖监测终端传输组网，并与监控管理中心实现通联，用于实现区域内井盖监测...

本发明提供一种太阳电池串中相邻太阳电池同侧互联的光伏组件制作方法，至少包括：将太阳电池串中彼此相邻的太阳电池片的正、负电极方向设置为相反，通过导电带将一太阳电池片的正极与一相邻太阳电池片同面的负极相连，该相邻太阳电池片另一面的正极则与下...

本发明提供一种铜-铜金属热压键合的方法，所述方法至少包括步骤：先提供待键合的第一圆片和第二圆片，所述第一圆片包括第一衬底、第一钝化层及第一Ti-Cu合金薄膜，所述第二圆片包括第二衬底、第二钝化层及第二Ti-Cu合金薄膜；再将所述第一圆片...

本发明提供一种基于多通道的超导量子干涉传感系统，包括：多个超导量子干涉器件；至少一个集成式读出电路结构，其中，所述集成式读出电路结构包括：多个读出电路板，用于将所述超导量子干涉器件所提供的感应信号进行放大、反馈处理，并予以输出；将各所述...

本发明提供一种偏离（111）硅片解理晶向的高强度悬臂梁结构及制作方法，所述悬臂梁结构包括：（111）单晶硅片；至少一根悬臂梁，悬臂梁沿特定的晶向分布于（111）单晶硅片上，使得悬臂梁的横截面偏离（111）单晶硅片的解理面。本发明解决了以...

本发明提供一种实现太赫兹光谱探测的方法及系统，采用一对高稳定性的单纵模近红外激光器作为种子光源，利用光纤调制激光信号，光混频器在外加偏压下向外辐射出连续的太赫兹波；在信号接收端，采用光电导开关和天线对太赫兹波进行相干探测。通过对激光器进...

本发明提供一种SOI ESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接所述硅控整流器的P型...

本发明涉及一种超导全张量磁梯度测控装置的同步精度的平行标定方法，其特征在于首先采用数字锁相环对GPS组合惯导秒脉冲信号PPS倍频产生重采样的时钟，然后利用计数器获得ADC采样时钟与重采样时钟的相位关系从而完成对原始信号的重采样；随后在接...

本发明提供一种具有数据处理功能的文件系统及其使用方法，其中，所述具有数据处理功能的文件系统具有一个系统进程，用于启动该文件系统，并能进行数据处理；在应用进程发出数据处理请求时，所述系统进程基于特殊文件接受所述应用进程发出的数据处理请求，...

本发明提供一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法，包括步骤：1）于第一衬底表面外延一掺杂的单晶薄膜；2）依次外延一重掺杂单晶层及一顶层半导体材料；3）将剥离离子注入至单晶薄膜下方的第一衬底预设深度的位置；4）提供表面具有绝缘层的第二...

本发明提供一种用于采用超导量子干涉器件的传感器的调试系统及方法，至少包括：与所述读出电路和超导量子干涉器件连接的数字电压转换器，用于将外接的电源分别转换成超导量子干涉器件的偏置电压和读出电路的偏移电压；与所述读出电路的测试信号输入端、输...

本发明提供一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法，包括步骤：1）于第一衬底表面外延一掺杂的单晶薄膜；2）外延一顶层半导体材料；3）沉积绝缘层；4）从所述绝缘层表面将剥离离子注入至所述单晶薄膜下方的第一衬底预设深度的位置；5）提供第二...

本发明提供一种深槽结构电容及其制造方法，所述制造方法包括步骤：1）提供一衬底，于所述衬底中刻蚀出深槽结构；2）于所述深槽结构内表面及衬底表面形成第一金属层，作为电容的下电极；3）于所述第一金属层表面形成介质层；4）于所述介质层表面形成金...