本发明提供一种相变材料，其组分通式为CrxSbyTe1的化合物，其中，元素的原子比满足：0<x<1，2.0≤y≤3.5。本发明还提供一种包括所述相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的制备方法。本发明提供的Cr-Sb-Te基...

本发明公开了一种基于GPS同步的航空超导全张量磁梯度测控装置，其特征在于所述的装置位于悬吊与吊舱子系统中的吊舱内；航空超导全张量磁梯度测控装置由SQUID读出电路、数据采集与通讯组件、飞行位置与姿态信息记录组件、工作环境监测组件以及人机...

本发明提出了一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区，体接触区为第一多叉指栅极结构及第二多叉指栅极结构共用。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率...

本发明提出一种冲击加速度传感器交叉轴响应的空间分波测试方法，采用具有一定长径比金属杆，有利于实现扭转波和纵波的自动分离，从而使扭转波不对主波产生影响，排除了非本征的干扰因素，获得器件固有的交叉轴响应；根据纵波和扭转波具有不同的波速而将两...

本发明涉及一种用于荧光定量PCR反应的荧光探针。其特征在于所述的探针包含一条寡核苷酸序列，其5’端为扩增靶序列特异性寡核苷酸序列，并修饰荧光基团，3’端为一段与5’序列反向互补回文结构核苷酸序列，并修饰荧光淬灭基团。在一定条件下，该探针...

本发明提供一种SOIESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括缓冲电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管以及偏置电阻，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接NMOS晶体管的...

本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，包括步骤：1）于衬底上制备GeTe材料薄膜层；2）于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3）将GeTe材料薄膜层送入具有BCl3和Ar的气体刻蚀腔中；4）...

本发明涉及化学机械抛光领域，特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的双氧化剂化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种双氧化剂的GST化学机械抛光液，其原料按重量份计，包括如下组分：抛光颗粒0.2-30份；氧化剂A0.01-5份...

本发明提供一种波荡器，其中，所述波荡器至少包括：M个沿电子束传输方向依次排列的永磁铁周期，每个所述永磁铁周期包括四排永磁铁结构，每排所述永磁铁结构包括N排永磁铁组，每排所述永磁铁组包括K个永磁铁单元，其中，M、N、K均为大于等于1的自然...

本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围的有源区表面形成...

本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜。本发明通过...

本发明的一种具有数据拆分加密功能的嵌入式系统的使用方法，通过拆分加密实现嵌入式系统所存储数据的有效分离存储；嵌入式系统向片外非易失存储器写数据时以数据块为单位将被写入数据基于全文关联变换后拆分成主体信息数据及抽离信息数据，并分别写入不同...

本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于裸露的种子层表面...

本发明涉及一种无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构，其特征在于在约瑟夫森结的周围制作一圈超导壁，超导壁包围了约瑟夫森结，超导壁起到一个微型磁屏蔽的作用，使外加磁场对约瑟夫森结的干扰得到抑制。超导壁的高度远大于约瑟夫森结的绝缘...

本发明提供一种测试MOS器件阱电阻的方法，所述测试MOS器件阱电阻的方法至少包括：选取芯片中的一个MOS管，将其源极及体区接地，并在栅极加上工作电压VDD，在漏极加上扫描电流ID，同时测量漏极电压VD及体区电流Ibody；绘制VD-ID...

本发明提供一种具有数据拆分加密功能的手持设备的使用方法，通过拆分加密实现手持设备所存储数据的有效分离存储；在手持设备中向文件系统写数据时以文件为单位将被写入数据基于全文关联变换后拆分成影子文件及主体文件，并将影子文件及主体文件分别写入不...

本发明涉及一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法，其特征在于所述的方法是利用牺牲层腐蚀技术，使用接触式曝光光刻和湿法腐蚀工艺，即通过三次光刻工艺和进行三次BOE腐蚀工艺制备。本发明在传统“自上而下”方法的基础上，结合独特的设计，不借助于...

本发明涉及一种基于石墨烯量子点与蚕丝蛋白的抗菌复合材料、制备及应用，其特征在于石墨烯量子点或掺杂的石墨烯量子点与蚕丝蛋白的质量比为1:1-1:10000；所述的掺杂的石墨烯量子点为含有掺杂原子的具有弱氧化或还原性的或易发生配位作用的非金...

本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，...

本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区，所述有源区中形成有MOS晶体管；所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间，所述MOS晶体管还包括一对侧...