本发明提供一种微电极阵列芯片及其制作方法，所述制作方法包括：在第一基底上制作微电极阵列结构；在第二基底上制作带有微管道阵列的覆盖层；将覆盖层揭下并在所述覆盖层上打孔，形成进样口阵列；将带有进样口阵列的覆盖层与微电极阵列结构对准贴合；在进...

本发明涉及一种脉冲模式太赫兹量子级联激光器射频调制系统及方法，其中所述系统包括：一通过一电极片与所述太赫兹量子级联激光器连接的脉冲源，其驱动所述太赫兹量子级联激光器工作在脉冲模式并产生激光器纵模间拍频信号；一通过一微带线与所述太赫兹量子...

本发明提供一种Y‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Y‑Sb‑Te相变材料为包括钇、锑及碲三种元素的化合物，所述Y‑Sb‑Te相变材料的化学式为Y100‑x‑ySbxTey，其中0<100‑x‑y<50，0...

本发明提供一种心磁信号质量评估方法、系统、及服务器，心磁信号质量评估方法包括：对采集到的用于记录心脏电活动产生的心磁信号的MCG数据进行预处理；识别预处理后的MCG数据中QRS波的R峰，并对预处理后的MCG数据进行周期分割；基于周期分割...

本发明提供一种约瑟夫森结电路模型和超导集成电路结构及建立方法，所述电路模型建立方法包括：在仿真软件中定义nano‑bridge约瑟夫森结的结类型定义语句，并根据结类型定义语句建立初级电路模型；对初级电路模型进行测试，得到相应测试曲线；提...

本发明提供一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法，包括如下步骤：S1：提供一Ge衬底，对所述Ge衬底进行离子注入；S2：进行退火，使所述Ge衬底中的注入离子至少有一部分析出到所述Ge衬底表面，以增加所述Ge衬底表面的石墨烯成核点；S3：...

本实用新型提供一种多通道光伏组件户外发电特性与并网衰减状况测试系统，包括光伏组件、光伏组件选择控制器、电流‑电压特性曲线测试仪、逆变器、标准太阳电池、热电偶、热电偶选择器以及处理系统。所述测试系统可以实现对并网状态下光伏组串中的任意光伏...

本实用新型提供一种开关电源电感的电流过零检测电路，包括：分别获取充磁电压的采样电流及退磁电压的采样电流的第一及第二电流采样模块；产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一检测电压的第一检测电压产生模块；产生与充磁电压和占空比导通时间...

本发明提供一种三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法，实现在对三维垂直型存储器进行读/写操作时，将所述三维垂直型存储器中的所有位线置为读不选择位线电压或写不选择位线电压，将其所有字线置为读不选择字线电压或写不选择字线电压，将其所有...

本发明涉及一种表面金属氧化物涂层的磷酸铁锂复合电极，包括磷酸铁锂极片和涂层，其中，该涂层由金属氧化物、分散剂和粘结剂涂覆在磷酸铁锂极片的外表面形成，金属氧化物的粒径为50nm～500nm，涂层的厚度为1μm～10μm，涂层的质量占复合电...

本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯‑硒化铌平面超导异质结...

本发明涉及一种基于合作缓存的数据选择性缓存方法，其包括以下步骤：步骤S1，当前用户接收到邻近用户对各数据的请求，或从邻近用户或基站接收到各数据时，记录并更新各数据的请求次数；步骤S2，当前用户根据各数据的请求次数预测各数据未来被请求的概...

本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述铜铟镓硒吸收层进...

本发明提供一种三维垂直型存储器读出电路及其读出方法，通过在所述读参考电流中引入位线寄生参数和位线上的漏电、字线上的漏电、垂直晶体管寄生参数、及读传输门寄生参数，以分别抵消所述半选通存储单元的位线寄生效应和位线上的漏电、字线上的漏电、第一...

本实用新型提供一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端，包括三维定位装置、远程传输装置、MCU、能量储存装置、能量捕获装置及充电控制电路；MCU设置为控制三维定位装置采集待追踪资产的三维位置信息，并控制远程传输装置将三维位置信息上传至一远...

本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电...

本发明提供一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法，所述电路结构包括N位循环计数器电路，与所述N位循环计数器电路连接的N个地址产生电路，及与N个所述地址产生电路连接存储器阵列，通过把对一个存储器字的N次操作分散到N个不同的存储器字中，避免...

本发明提供一种沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底的表面形成外延层；2）于所述外延层中刻蚀出环形沟槽；3）于所述环形沟槽内侧形成环形阱区，于所述环形阱区中形成源区和重掺杂区；4）依次形成栅...

本发明提供一种高分离效率的硅基微气相色谱柱及其制备方法，所述制备方法包括：1）于硅衬底上制作微沟道及微流控端口；2）制作掩膜层保护所述硅衬底上的键合面；3）于所述微沟道内构筑纳米介孔氧化硅；4）将一封装盖板键合于所述硅衬底的键合面上；5...

本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下...