本发明提供一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法，所述方法至少包括：1)提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面生长氧化物掩膜层；2)在所述SiC外延片待刻蚀区域的所述氧化物掩膜层表面形成光刻胶层；3)在所述氧化物掩膜层和所述...

本发明提供一种三维磁场测量组件及制备方法，组件至少包括：衬底、制备在所述衬底上第一SQUID器件、第二SQUID器件、第三SQUID器件、第一探测线圈、第二探测线圈以及第三探测线圈，其中，所述第一探测线圈与第一SQUID器件相连，且所述...

本发明提供一种共面键合结构及其制备方法，所述制备方法包括步骤：a)提供一待键合的器件结构，所述器件结构包括至少两个定义的功能区，其中，各所述功能区均具有待引出面，且至少两个所述待引出面位于不同高度的平面；b)将各所述待引出面通过绝缘层和...

本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成多层薄膜滤波器；其中，所述多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有带通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射...

本发明涉及一种无线自组织网络构建方法，通过自适应选频占有合适通讯频点的无线节点成为根节点或复杂功能节点，并拥有挂载子设备的权限；无法占有合适通讯频点的无线节点自动转变为普通功能节点；其中，普通功能节点的通信频点取决于其所挂靠的上级设备；...

本发明涉及一种长寿命锂离子电池及其制备方法，所述电池包括正极极片、负极极片、隔膜和电解液，所述电解液包括锂盐、有机溶剂和添加剂；其中，添加剂为如R‑O‑(O＝)C‑C‑C(＝O)‑R1所示的化合物。制备方法包括：将正极极片、负极极片和隔...

本发明提供一种膜片结构，所述膜片结构至少包括悬空支撑在单晶硅片上方的膜片和沿所述膜片外围排列的释放孔。本发明另提供一种基于上述膜片结构的压力敏感膜结构，所述压力敏感膜结构包括梁‑岛结构、外框、薄膜、沿外框排布的释放孔和分布在岛上的释放孔...

本发明提供一种面向基于图像传感器的无线传感器网络的目标跟踪方法，包括以下步骤：采用分散式的基于簇的跟踪结构，多个节点构成一个任务簇同时跟踪目标，各簇节点得到目标测量值并进行独立计算后将结果传递给簇头节点；簇头节点利用SRCI融合来自不同...

本发明提供一种Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法，所述Ge复合衬底的制备方法包括：提供Ge衬底，且所述Ge衬底具有注入面，其中，所述Ge衬底为具有斜切角度的Ge衬底；于所述注入面进行离子注入，以在所述Ge衬底的预设深度处形成缺陷层；...

本实用新型提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器，包括：基板；电极器件，形成于所述基板上，其中，所述电极器件包括测试电极、供电引线、供电电极；石墨烯，位于所述电极器件上；活性薄膜，形成于所述石墨烯的表面；光受体蛋白，形成于所述活性薄...

本发明提供一种基于石墨烯场效应管的微区加方法及结构，所述微区加热结构包括以下步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电...

本发明提供一种文件系统的控制方法、装置及终端，通过设置iNode区，iNode节点包括N‑ary树级数字段、N‑ary树根节点字段以及快照版本指针字段；以根节点页为基础建立N‑ary树结构数据区；设置由页索引记录组成的链表管理区；每条页...

本发明提供一种太赫兹量子级联激光器锁相系统及锁相方法，锁相系统包括：太赫兹光源模块，用于实现太赫兹信号的输出；太赫兹信号下变频模块，与太赫兹光源模块相连接，用于接收所述太赫兹信号并产生太赫兹信号的拍频信号；锁相模块，与太赫兹信号下变频模...

本发明涉及一种基于多功能纳米级蛋白薄膜的石墨烯肿瘤标志物传感器及其制备方法，包括转移至二氧化硅衬底上的石墨烯、多功能纳米级蛋白薄膜以及反应腔。制备方法包括：(1)石墨烯转移至钛金电极表面；(2)失活BSA蛋白薄膜修饰石墨烯；(3)光刻与...

本发明提供一种开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法，包括：基于第一及第二电流采样模块分别获取充磁电压的采样电流及退磁电压的采样电流；基于第一检测电压产生模块产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一检测电压；基于第二检测电...

本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元...

本发明提供一种航空超导全张量磁梯度测量系统安装误差标定装置及方法，用于标定航空超导全张量磁梯度测量系统的全张量测量子系统中的组合惯导与全张量磁梯度测量组件之间的安装误差，其中，所述标定装置包括亥姆赫兹线圈、设置在所述亥姆赫兹线圈的磁梯度...

本实用新型提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为2:...

本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，S...

本实用新型提供一种微热导检测器：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保...