本发明提供一种SOI MOS器件及其制作方法，所述SOI MOS器件的源区采用加固源区，其结构由中间部分的重掺杂第一导电类型区、从纵向两端及横向外端包围所述重掺杂第一导电类型区的重掺杂第二导电类型区以及浅第一导电类型区组成，这种加固源区...

本发明提供一种抗总剂量效应的SOI MOS器件及其制作方法，所述SOI MOS器件的源区采用加固源区，其结构由中上部分的重掺杂第一导电类型区、从纵向两端及底部包围所述重掺杂第一导电类型区的重掺杂第二导电类型区以及浅第一导电类型区组成，这...

本发明提供一种SOI六晶体管SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成...

本发明提供一种SOI双端口静态随机存储器单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NMOS晶体管组...

本发明提供一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NMOS晶体管...

本发明提供一种SOI单端口静态随机存储器单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管...

本发明提供一种SOI六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体...

本发明提供一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NMOS晶体管组成。...

本发明提供一种微弱涡流磁场测量装置及方法，用于测量被测对象的涡流磁场，其中，该装置包括一屏蔽室，所述屏蔽室内设有一亥姆霍兹线圈、一被测对象托台和一磁传感器，所述屏蔽室外设有一数据同步源、一信号源、一功率放大器和一数据采集组件；其中，所述...

本实用新型提供一种石墨烯玻璃，所述石墨烯玻璃包括：第一玻璃；石墨烯薄膜，形成于所述第一玻璃表面；第二玻璃，覆盖于所述石墨烯薄膜上，使得所述石墨烯薄膜夹在所述第一玻璃及第二玻璃之间，所述石墨烯薄膜的尺寸小于所述第一玻璃及第二玻璃的尺寸；其...

本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多...

本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备层数可控石墨烯的方法，利用离子注入精确控制碳离子剂量，直接在各种绝缘衬底上制备不同层数的石墨烯。首先在绝缘衬底上沉积金属镍薄膜，接着使用离子注入将不同层数对应的碳离子剂量分别注入到镍薄膜中，然后在镍上沉...

本发明提供一种中心静脉压自动监测系统，包括三通管、压力传感器接头、压力传感器、信号传输系统以及记录显示系统。中心静脉压通过所述压力传感器接头作用到所述压力传感器上，之后压力传感器输出与中心静脉压对应的电信号，再通过信号传输系统传递到记录...

本发明提供一种太赫兹量子级联激光器光学拍频信号检测系统及方法，其中，检测系统包括：太赫兹量子阱探测器，用于探测太赫兹量子级联激光器发射的太赫兹多模激光以及光学拍频信号，并转化成电信号；离轴抛面镜组，用于汇聚激光器产生的太赫兹多模激光并将...

本发明涉及一种基于数字PCR芯片的基因甲基化程度定量方法，包括：(1)针对待检测的目的基因，确定富含甲基化敏感性限制性内切酶切割位点的区域，并对该区域设计引物与taqman探针；(2)将待检测样本分成两份，其中一份经甲基化敏感性限制性内...

本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所...

本发明提供一种三维非易失性存储器件及其制备方法，三维非易失性存储器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基板，于基板表面形成第一绝缘层和第一导电层交替叠置的第一叠层结构；2)于所述第一叠层结构的至少一侧形成与所述第一叠层结构平行间隔的第二...

本发明提供一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯。本...

本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在...

本发明提供一种三维心磁源定位方法、系统及服务器，所述三维心磁源定位方法包括步骤：在通过全张量心磁图仪在人体胸腔上方的指定区域内进行测量之后，获取一个测量点或多个测量点的均匀场分量数据和均匀场分量数据对应的一阶梯度张量数据；根据预先建立的...