本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC基材表面形成栅介...

本发明提供一种基于SOI的MOS器件结构及其制作方法，所述结构包括背衬底、绝缘埋层、有源区以及浅沟槽隔离结构；其中：所述有源区中形成有MOS器件，所述MOS器件包括栅区、位于所述栅区下的体区、位于所述体区横向第一侧的第一导电类型源区及位...

本发明提供一种基于SOI的双端口SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NMOS晶体管组...

本发明提供一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管...

本发明涉及一种基于SOI工艺的D触发器电路，包括时钟信号单元、输入级延迟单元、第一双互锁存储单元、第二双互锁存储单元和输出判定级单元，所述时钟信号单元的输入端与时钟信号输入端CK相连，输出端有两个分别与输入级延迟单元、第一双互锁存储单元...

本发明提供一种超导纳米线单光子探测器，所述超导纳米线单光子探测器包括至少一层超导纳米线结构，所述超导纳米线结构包括若干条平行间隔排布的直线部及将所述直线部依次首尾连接的第一连接部；其中，所述直线部包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线，各...

本发明提供一种宽谱超导纳米线单光子探测器件，所述宽谱超导纳米线单光子探测器件包括：衬底；反射镜，位于所述衬底表面；叠层结构，位于所述反射镜表面；所述叠层结构中包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线。本发明的宽谱超导纳米线单光子探测器件通过...

本发明提供一种晶须单光子探测器件，所述晶须单光子探测器件包括：衬底；功能结构层，所述功能结构层位于所述衬底表面；所述功能结构层至少包括一层晶须。本发明的晶须单光子探测器件使用晶须替代现有超导纳米线单光子探测器件中的超导纳米线，本发明的晶...

本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成表面钝化层，并于...

本发明提供一种自时钟数字式微机械陀螺∑△M闭环检测电路系统，包括：微机械陀螺仪、前置接口放大电路、多位模数转换器组件、FPGA、多位数模转换器、反馈开关及自时钟模块。本发明的自时钟数字式微机械陀螺∑△M闭环检测电路系统具有较高的自适应性...

本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构，通过上述...

本发明提供一种激光配准系统，包括：支架；磁探头，设于所述支架上；至少两个激光发射装置，设于所述支架上；其中，各所述激光发射装置发出的激光脉冲汇聚于一交点且所述交点位于所述磁探头的正下方。本发明提供的激光配准系统包括至少两个激光发射装置，...

本实用新型提供一种基于光子学技术的太赫兹成像系统，包括光频梳产生模块、光混频器模块、扫描模块、移动平台、聚焦模块、太赫兹探测器模块和终端处理模块，其中，光频梳产生模块产生光拍频信号；光混频器模块将光拍频信号转化成太赫兹信号；扫描模块对太...

本发明涉及一种基于石墨烯热电效应的室温太赫兹探测器及其制备方法，所述探测器包括硅衬底、位于硅衬底上的SiO2薄膜、位于SiO2薄膜上的石墨烯有效区以及天线；所述石墨烯有效区两端欧姆接触电极使用不同功函数不同热导率的金属材料。制备方法包括...

本发明提供了一种显微立体图像采集装置，包括采集单元和标准双视图处理单元，所述采集单元用于在两个以上的不同位置同时采集待测物体的两幅以上的原始图像或视频，所述标准双视图处理单元用于对所述原始图像或视频进行处理并生成标准双视图。本发明提供了...

一种广播电视无线网络与宽带移动通信网络融合网络的分布式业务测试方法及系统，包括服务器端及客户端；服务器端通信连接有第一测试设备，客户端通信连接有第二测试设备，包括：第一测试设备发起服务器端测试请求；第二测试设备接收到测试请求，与第一测试...

本发明提供一种电磁吸收超材料，其上表面处于工作环境中，包括周期性谐振单元阵列，所述电磁吸收超材料所述电磁吸收超材料上表面设有一层电介质复合薄膜，该薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加所述电介质复合薄膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、...

本发明提供一种圆片级封装结构及其制备方法，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有半导体结构；2）于晶圆的上表面形成重新布线层，并在形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后...

本发明提供一种不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法，不连续结晶硅基薄膜制备包括：提供一晶体硅衬底；于晶体硅衬底的至少一个表面沉积不连续结晶硅基薄膜，其包括无定形硅基结构和结晶化硅基结构。通过上述方案，本发明提供的不连续结晶...

本发明提供的生物磁图仪探头，包括：壳体，所述壳体包括装有第一液态惰性气体的第一容纳部；探头本体，设于所述壳体内；所述探头本体包括出气口、电子部件、以及装有第二液态惰性气体的第二容纳部；其中，所述第一液态惰性气体用于冷却所述电子部件；所述...