本发明提供一种微热导检测器及制备方法：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄...

本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间...

本实用新型提供一种电磁吸收超材料，其上表面处于工作环境中，包括周期性谐振单元阵列，所述电磁吸收超材料所述电磁吸收超材料上表面设有一层电介质复合薄膜，该薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加所述电介质复合薄膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化...

本实用新型涉及一种太赫兹准高斯平行激光束的实现装置，包括太赫兹量子级联激光器与驱动电源连接并发出太赫兹发散激光；可移动地安装在低温样品架上的调节系统；安装于调节系统上的离轴抛物面反射镜，其收集太赫兹发散激光并输出太赫兹准平行激光束；设置...

本发明提供一种ESD保护结构，包括：第一NMOS管，其栅极接一低压电源端；第二NMOS管，其栅极和源极接地，漏极接所述第一NMOS管的源极；以及至少一个二极管，串联在一高压输入端与所述第一NMOS管的漏极之间。本发明通过将现有单个NMO...

本发明提供一种Al‑Sb‑Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Al‑Sb‑Ge相变材料包括铝、锑、锗三种元素，其化学式为AlxSbyGez，其中，15≤x≤25，50≤y≤60，20≤z≤35，且x+y+z＝100。该相变材料...

本发明提供一种Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述Ge‑Te‑Al‑As材料的化学通式为(GexTe100‑x)100‑z(Al100‑yAsy)z，其中10≤x≤30，50≤y≤90，0≤z≤30。本...

本发明涉及一种气体传感器的制造方法，包括：在硅衬底上产生硅突出平台；淀积第一金属薄膜层，在第一金属薄膜层上得到矩形的金属反射层图形；淀积第二金属薄膜层，在第二金属薄膜层上得到加热电阻图形；淀积第三金属薄膜层，在第三金属薄膜层上得到气敏电...

本发明提供了一种跨层路由准则的实现方法，包括：目的节点接收从源节点到目的节点的不同路径的各单跳链路的信道状态信息；根据接收到的从源节点到目的节点的不同路径的沿途各单跳链路的信道状态信息，计算每个路径的端到端的误比特率；在端到端误比特率满...

本发明提供了一种DSR改进路由协议的实现方法，包括：在当前的数据帧发送失败时感知当前的链路是否失效，若感知到链路未失效，则在链路层上生成相应的指示信息并传送给网络层；若网络层收到该指示信息，则将感知链路失效次数归零，否则将其值累积加1；...

本发明提供一种基于垂直遂穿的场效应晶体管及生物传感器及制备，晶体管制备包括：提供SOI衬底；减薄顶层硅，定义出硅纳米线沟道图形及连接于两端的源区图形及漏区图形；将上述图形转移至顶层硅上，并进行离子注入形成硅纳米线沟道、源区及漏区；减薄源...

本发明提供一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路，其中，该NMOS器件的P阱形成为低压P阱，该器件的栅极形成为高压栅极；所述NMOS器件为多指并联结构；所述NMOS器件的源漏区未掺杂NLDD和PHALO。当本发明的NMO...

本发明提供一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路，该器件为多指并联的GGNMOS，其包括埋氧层、P阱区、源极、漏极和栅极，还包括P+接触区和伪栅极，其中，所述P+接触区设置在所述源极的远离所述漏极的一侧，且所述P+接触区...

本发明提供一种基于多级页表目录结构的文件系统的实现、访问方法、终端，包括：以页为单位管理文件系统中所有文件数据；在文件系统中设置iNode区和数据区；所述数据区包括目录页和数据页，所述iNode区所存储的iNode节点包括iNode节点...

本发明提供一种光学胶折射率测量器件、测量系统及测量方法，所述光学胶折射率测量器件包括：衬底；微纳光纤，位于贴置于所述衬底的上表面，且所述微纳光纤的两端延伸至所述衬底的外侧；光学胶，位于所述衬底的上表面，且固化包覆于所述微纳光纤的外围。本...

本发明涉及一种高冲击加速度计热灵敏度漂移的测试装置，包括温控箱、金属杆、第一信号放大电路、第二信号放大电路和计算机，所述金属杆一端用于固定待测加速度计，另一端用于固定参考加速度计，所述用于固定待测加速度计的一端置于温控箱内，用于固定参考...

本发明提供一种LLC谐振半桥转换器，包括控制模块，用于向半桥驱动模块提供控制信号，并根据反馈信号调节控制信号；与控制模块连接的半桥驱动模块，用于对控制信号进行处理，以产生驱动信号，并通过驱动信号控制半桥驱动模块中高端开关管及低端开关管的...

本发明提供一种太赫兹量子级联激光器系统及其表征模式稳定性的方法，所述系统包括：直流驱动源，用于向太赫兹量子级联激光器系统供电；与直流驱动源连接的T型偏置器，用于将直流驱动源提供的信号进行偏置，并将偏置信号提供给太赫兹量子级联激光器，及耦...

本发明提供一太赫兹量子级联激光器系统，包括直流源；与其连接的T型偏置器，用于将偏置信号提供给所述激光器，及耦合所述激光器的拍频信号并将该信号引出到环形器；或将偏置信号与射频信号叠加输入所述激光器；与T型偏置器一端连接的环形器，用于隔离射...

本发明涉及一种自谱分时段傅里叶变换高量程加速度计共振频率提取方法，包括以下步骤：获取待测加速度传感器及其系统在瞬时冲击过程中响应输出电压与时间的关系，即传感器受到瞬时冲击的时域谱；将冲击过程所记录的曲线按时间顺序划分出来，其中至少包含三...