本发明涉及一种射频涡旋波前优化装置及方法，其中，所述优化装置包括：一发射端模块以及一接收端模块，其中，所述发射端模块包括：N个分别连接在所述数字域轨道角动量多模态复用模块与2N个DAC模块之间的第一加权单元，以及一与所述N个第一加权单元...

本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；...

本发明涉及一种微腔式多色荧光数字PCR芯片及应用，包括进液口、双侧微腔阵列和双侧废液仓。所述芯片用于微量癌症稀有突变分析、差异基因表达分析或高精度拷贝数变异分析。本发明使用多色荧光检测，可大幅提高单个芯片的检测通量，极大提高反应效率，操...

本发明提供了一种PVDF/石墨烯柔性压电材料的制备方法，包括：步骤S1：将PVDF类聚合物溶解于有机溶剂中得到PVDF类聚合物溶液，并加入石墨烯分散液，得到均匀的石墨烯/PVDF类聚合物分散液；步骤S2：使PVDF/石墨烯分散液浸润一负...

本发明涉及一种IGBT短路过流检测电路，其包括：带通滤波器，其与所述第一IGBT的栅极连接；第一比较器，其与所述带通滤波器连接，并接收第一基准电压；T触发器，其与所述第一比较器连接，并输出第一逻辑信号；第二比较器，其与所述第一IGBT的...

本发明提供一种高温锂电池的钼酸锂正极材料，其化学结构式为Li2MoO4。并提供其高温固相制备方法，包括按摩尔比称取锂盐和钼源，球磨2～5h后将其取出研磨并过筛；在空气气氛下200～800℃烧结10～16h，降至室温。还提供其水溶液合成制...

本发明提供一种薄膜异质结构的制备方法，包括步骤：提供晶圆衬底，具有注入面；自注入面对晶圆衬底进行离子注入，于晶圆衬底内的预设深度处形成注入缺陷层；提供支撑衬底，将支撑衬底及晶圆衬底进行升温键合；对得到的结构进行退火处理，形成连续缺陷层；...

本发明提供一种基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法，包括：1）提供单晶压电衬底；2）自注入面向单晶压电衬底内进行离子注入后于注入面形成图形化下电极，或在注入面形成均匀下电极，自均匀下电极面向单晶压电衬底内进行离子注入后将均匀下电极图...

本发明涉及一种锁相环电路单粒子敏感性的量化评估方法，其包括：步骤S1，通过电路仿真或示波器测试，获得锁相环在被辐照前的输出波形；步骤S2，对所述锁相环进行单粒子效应仿真或实验，捕获所述锁相环在被辐照后的输出波形；步骤S3，计算获得所述锁...

本发明涉及一种用于锁相环的锁定检测电路，所述锁相环包括输入分频器以及反馈分频器，所述锁定检测电路包括：两个输入缓冲器、三个数字锁定检测模块以及一多数表决器，其中，一个所述输入缓冲器接收由所述输入分频器提供的参考信号，并同时向三个所述数字...

本发明涉及一种基于SOI工艺的压控振荡器电路，其包括：依次连接的偏置单元、四级差分延迟模块以及输出缓冲单元，其中，所述偏置单元接收一外围输入的电压信号，并向所述四级差分延迟模块提供一偏置电压；所述四级差分延迟模块四个依次连接的延迟单元，...

本发明提供一种自加热相变存储单元及自加热相变存储结构。自加热相变存储单元包括自加热电极以及和所述自加热电极相连接的相变存储介质，所述自加热电极包括至少一层自加热材料层，所述相变存储介质包括至少一层相变存储材料层，其中，所述自加热材料层和...

本发明提供一种瞬态信号的混合采样系统及方法，所述方法包括：获取瞬态电信号；分别对瞬态电信号进行放大处理，获取两路具有增益一致性的放大信号；利用Δ‑Σ型ADC和SAR型ADC同步采集一路、二路放大信号，并分别对一路、二路放大信号进行模数转...

本发明涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构及其制作方法，其中，所述耦合结构包括：多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底，其中，每个所述微腔单元包括：一上金属电极，以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探...

本发明涉及一种冲击型加速度计灵敏度随温度变化的测试装置，包括温控箱、金属杆、气动系统、加速度计信号放大器、激光干涉测速装置、和用于数据采样及数据处理的计算机，金属杆由一支撑结构水平支撑并可轴向自由移动，其一端与气动系统相对中，另一端固定...

本发明提供一种SOI NMOS总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法，包括：通过测试获取SOI NMOS侧壁晶体管在不同漏端偏置下的转移特性数据及在不同剂量辐照及不同漏端偏置下的转移特性数据；筛选数据、提取参数；在侧壁晶体管电流模型中引入漏...

本发明提供一种数字PCR芯片及其制备方法以及使用方法。该数字PCR芯片包括自下而上依次设置的：玻璃支撑层、密封层、反应层、空腔层以及防水层，其中，所述反应层与密封层通过键合在反应层与密封层之间形成主流道和通过主流道间隔开的多个独立的PC...

本发明提供一种提高超导纳米线单光子探测器计数率的方法及系统，方法包括如下步骤：于所述超导纳米线单光子探测器的输出端串联一电衰减器；其中，所述电衰减器包括输入端及输出端，所述电衰减器的输入端与所述超导纳米线单光子探测器的输出端相连接。本发...

本发明提供一种大光敏面超导纳米线单光子探测器，包括至少一层超导纳米线结构，超导纳米线结构包括：若干条平行间隔排布的直线部，包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线；若干个第一连接部，将直线部依次首尾连接成蜿蜒状；若干个第二连接部，位于直线部...

本发明提供一种约瑟夫森结结构、存储单元、存储单元阵列及制备方法，约瑟夫森结结构的制备包括：提供半导体衬底，依次形成底层NbN材料层、中间铁磁材料层及顶层NbN材料层；刻蚀以得到由底层NbN层、中间铁磁层及顶层NbN层构成的约瑟夫森结；形...