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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
超导量子干涉器件的特性扫描装置及方法制造方法及图纸
本发明提供一种超导量子干涉器件的特性扫描装置及方法。本发明中包括:基于互感原理输出变化电压信号并向超导量子干涉器件提供高频交流扫描磁场环境的扫描磁通加载单元;与所述超导量子干涉器件的供电端相连、且提供变化的偏置电流的偏置电压发生单元;与...
基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜技术
本发明提供一种基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜,制备包括:提供第一单晶衬底及第二单晶衬底,分别具有第一离子注入面及第二离子注入面;对第一单晶衬底进行第一离子注入,形成第一缺陷层,对第二单晶衬底进行第二离子注入,形成第二缺...
基于边缘信息的传感器感知事件判断与报警系统及方法技术方案
本发明涉及一种基于边缘信息的传感器感知事件判断与报警系统及方法,所述系统包括:感知数据输入模块,其对所述传感器敏感元件采集的数据进行量化处理,以形成格式化的感知数据;边缘计算模块,其对所述感知数据进行特征提取,以形成边缘计算时域信息;融...
太赫兹共焦显微成像系统技术方案
本实用新型提供一种太赫兹共焦显微成像系统,包括光源模块;数据采集模块;数据处理与图像还原模块;载物台模块,用于承载一待成像物体并其进行旋转和平移,以及将该待成像物体的旋转平移二维信息发送至数据处理与图像还原模块;光路传输模块,用于将所述...
一种频谱扫描模式配置方法技术
本发明涉及一种频谱扫描模式配置方法,其包括以下步骤:步骤S1,基站或网络控制器为终端设备或监测站选择频谱扫描模式,其中,所述频谱扫描模式包括:按序扫描、区间扫描、固定间隔跳频扫描、预设模式扫描、随机扫描;步骤S2,所述基站或网络控制器向...
一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法技术
本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法,所述制备方法包括:步骤1)提供一绝缘衬底;步骤2)于所述绝缘衬底的上表面由下至上依次形成锗层和石墨烯层;以及步骤3)对步骤2)所得结构中的所述锗层进行氧化挥发处理,以去除所述锗层,实现于所...
在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法技术
本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法,所述制备方法包括:提供一GOI结构,所述GOI结构包括绝缘衬底,和形成于所述绝缘衬底上的锗层;对所述GOI结构进行退火处理,以于所述绝缘衬底上形成锗量子点阵列;于所述锗量子点阵列...
基于队列长度和冲突风险的信道接入方法技术
本发明涉及一种基于队列长度和冲突风险的信道接入方法,包括以下步骤:节点在发送之前根据队列信息中各节点的状态预测数据包的冲突风险,优先发送冲突风险小的数据包;当接收节点一跳范围内有活跃节点时,发送节点以通知帧形式传输队列信息,发送成功后再...
一种检测过氧化氢的方法技术
本发明涉及一种检测过氧化氢的方法,包括如下步骤:S1,提供具有下式(I)的硼氮芳环化合物;S2,在基底上制备基于硼氮芳环化合物的荧光传感材料,该荧光传感材料是通过旋涂法制备的传感薄膜,或者通过浸泡后自然风干的方法制备的传感试纸;S3,待...
基于SiC热电材料的高温热流传感器制造技术
本实用新型提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器,包括:SiC衬底,具有第一表面和第二表面,第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域;复合介质膜,覆盖沟槽及平台区域;隔热腔体,设于SiC衬底中,由第二表面向内凹入,位于平台区域的...
无缺陷穿硅通孔结构的制备方法技术
本发明提供一种无缺陷穿硅通孔结构的制备方法,包括如下步骤:1)提供第一晶圆,于第一晶圆内形成穿硅通孔;2)于第一晶圆的第一表面上形成第一金属层;3)提供第二晶圆,于第二晶圆的一表面形成第二金属层;4)将第一晶圆与第二晶圆贴置在一起;5)...
双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法技术
本发明提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法,包括:n型硅衬底;窗口层,包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅;背场层,包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅;第一透明导...
一种双面胶粘性力学行为的温度特性测试装置及测试方法制造方法及图纸
本发明涉及一种双面胶粘性力学行为的温度特性测试装置,包括一金属杆,该金属杆由一支撑结构支撑并可轴向自由移动;该金属杆一端为冲击端,该冲击端与一冲击摆锤相对中;另一端则通过待测双面胶固定一目标加速度计并置于温控箱内;所述金属杆上还设有与目...
Ge-Se-O双向阈值开关材料、选通器单元及制备方法技术
本发明提供一种Ge‑Se‑O双向阈值开关材料、选通器单元及制备方法,所述Ge‑Se‑O双向阈值开关材料的化学通式为GexSeyO100‑x‑y,其中x、y均指元素的原子百分比,且满足30
基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法技术
本发明提供的基于硅‑石墨烯的光电探测器的制备方法,采用柔软的固定层作为光电探测器的衬底,提高了器件的柔性;另外采用SOI衬底作为制备探测器的前驱,使用SOI衬底的顶层硅以及石墨烯作为异质结,石墨烯只有一个原子厚度,同时顶层硅的厚度也很小...
光伏器件电容-电压特性曲线测试方法技术
本发明提供一种基于迟滞效应分析的光伏器件电容‑电压特性曲线测试方法,基于常规光伏器件电流‑电压曲线测量方法,首先对光伏器件在不同扫描时间、相同扫描点数测试条件下的一系列电流‑电压曲线进行测量,其中每种测试条件下,光伏器件从0伏到开路电压...
Ge-Se-Sb复合材料、1S1R相变存储器单元及制备方法技术
本发明提供一种Ge‑Se‑Sb复合材料、1S1R相变存储器单元及制备方法,其化学通式为GexSeySb100‑x‑y,其中x、y均指元素的原子百分比,且满足20
太赫兹共焦显微成像系统及其成像方法技术方案
本发明提供一种太赫兹共焦显微成像系统,包括光源模块;数据采集模块;数据处理与图像还原模块;载物台模块,用于承载一待成像物体并其进行旋转和平移,以及将待成像物体的旋转平移二维信息发送至数据处理与图像还原模块;光路传输模块,用于将太赫兹光束...
一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构制造技术
本实用新型涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构,其包括:多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底,其中,每个所述微腔单元包括:一上金属电极,以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层,该外延层...
Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法技术
本发明提供一种Ta‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法,所述Ta‑Sb‑Te相变材料包括钽、锑、碲三种元素,所述Ta‑Sb‑Te相变材料的化学式为TaxSbyTez,其中,3≤x≤15,50≤y≤70,25≤z≤35,且x+...
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