本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为被测模块提供电源...

本发明提供一种用于并行数据存储的超导高速缓冲存储器，包括M个并行的N位存储单元，用于存储N位数据，并在清除操作期间，基于清除控制信号清除指定清除位的数据；在写入操作期间，基于写入控制信号将输入数据写入指定写入位；清除写入地址译码器，连接...

本发明涉及一种基于分布式泛在计算的高并发服务请求处理方法和设备，所述方法包括：处理设备根据请求间的相似性将请求分组，相似性判定依据同时包括请求的功能特性和非功能特性；处理设备提取一组请求中的服务需求，并根据该需求找到可满足需求的微服务。...

本发明涉及一种面向QoE需求的物联网安全路由方法，包括分簇阶段和数据传输阶段；在所述分簇阶段时，节点随机成为簇头，传感接收到多个簇头信息时，选择信任值最大的加入；在所述数据传输阶段时，数据源节点根据QoE和数据类型的需求查询节点存储的数...

本发明提供一种具有石墨烯的器件及其制备方法，具有石墨烯的器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯；3)于石墨烯远离基底的表面生长量子点。本发明的具有石墨烯的器件的制备方法通过分子束外延工艺生长量子点，通过调...

本发明提供一种高敏感度中红外光电探测器及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的上表面形成石墨烯层；3)于石墨烯层的上表面形成量子点；4)于形成有量子点的石墨烯层上表面形成第一电极及第二电极，第一电极与第二电极之间具有导通...

本发明提供一种电子光学系统，所述电子光学系统至少包括：磁场和非轴对称透镜群，其中，所述磁场用于分离初始入射电子和出射电子的运动轨道并实现电子运动方向的偏转，使得所述初始入射电子偏转第一设定角度，并使得所述出射电子偏转第二预定角度；所述非...

本发明提供一种图像型电子自旋分析器，包括：电子光学系统、散射靶和二维图像型电子探测器；所述电子光学系统包括非轴对称透镜群和磁场，非轴对称透镜群与磁场相配合使入射电子与出射电子的运动轨道相分离以增加自旋分析器各部件几何配置的自由度，将入射...

本发明涉及一种射频注入调制的片上太赫兹双频梳装置，包括太赫兹量子级联激光器和T型偏置器，所述太赫兹量子级联激光器在同一水平面上同时具有两个激光谐振腔，两个激光谐振腔分别具有各自的上电极和增益介质，并共享同一个下电极，分别独立工作；两个激...

本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管的源极均嵌有隧穿二极管结构，可以在不增加器件面积的情况下(最终的有效单元面积可小于7.5μm

本发明提供一种滤波器封装结构及其封装方法，包括如下步骤：1)提供一高阻硅基板；2)于高阻硅基板的第一表面形成具有预设深度的凹槽，并于高阻硅基板内形成穿硅通孔；3)于穿硅通孔的内壁形成绝缘层；4)形成导电穿硅通孔结构；5)形成第一地线及第...

本发明涉及一种电力无线通信系统中的快速信道切换方法，其中，基站为终端设备配置一个或多个备用信道；如果强干扰造成下行传输失败，则终端设备向基站反馈重传指示和备用信道切换指示，备用信道切换指示中包含优选的备用信道索引；基站接收到重传指示和备...

本发明提供一种非晶薄膜的后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法，后氢化处理方法包括：提供一待处理非晶薄膜，并将其置于一设置有热丝的反应腔室中；向反应腔室中通入反应气体，热丝催化分解反应气体至少产生氢原子，并对待处理非晶薄膜进行热辐射，...

本发明提供一种三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法，晶体管制备包括：提供基底，并于基底表面沉积由第一材料层及第二材料层交替的叠层材料层，第二材料层为含硅材料层；形成沟道区及与其两端相连接的源区和漏区的图形；刻蚀叠层材料层，...

本发明提供一种异质结构的制备方法，包括提供供体衬底，并于供体衬底表面形成牺牲层；于牺牲层表面形成薄膜盖层，其远离所述牺牲层的表面为注入面；从注入面进行离子注入，以在牺牲层中形成缺陷层；提供受体衬底，并将受体衬底与薄膜盖层的注入面键合；沿...

本发明涉及一种电力无线通信系统中的QoS保障方法，其包括：步骤S1：将用户设备终端通过当前激活链路与基站保持通信连接；步骤S2：通过所述用户设备终端对可用信道载波的信道状态进行测量，并获得当前激活链路的QoS保障系数；步骤S3：当所述当...

本发明涉及一种物联网智能感知终端，其包括：一主控模块、一信息采集模块、一无线通信模块、一供电模块，以及一能量回收模块，其中，所述能量回收模块包括：一与所述信息采集模块和/或无线通信模块连接的剩余能量收集装置，其回收所述信息采集模块和/或...

本发明涉及一种CMOS电路与超导SFQ电路的单片集成方法，其包括：步骤S1，进行CMOS集成电路流片，并沉积第一SiO2钝化层；步骤S2，对所述第一SiO2钝化层进行抛光；步骤S3，进行超导SFQ集成电路流片；步骤S4，制作用于将CMO...

本发明涉及一种基于麦克风阵列的信号增强方法，其包括：步骤S1，获得频域观测信号；步骤S2，将所述频域观测信号输入一固定波束形成器中进行固定波束形成，以获得含有残留噪声的语音信号；步骤S3，将所述频域观测信号输入一阻塞矩阵，并经过与该阻塞...

本发明涉及一种D2D系统中的QoS保障方法，其包括：步骤S1：建立D2D簇，并且使其运行在当前免授权频段上；步骤S2：簇头侦听当前免授权频段上D2D簇的QoS状态；步骤S3：通过簇头根据本地信道质量和D2D链路的实际速率，确定当前免授权...