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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
一种基于多源传感数据关联度的分级事件报告系统及方法技术方案
本发明涉及一种基于多源传感数据关联度的分级事件报告系统及方法,其中,所述系统包括:依次连接的一传感器接口单元、一处理器单元以及一事件传输单元,其中,所述处理器单元包括:一多源数据筛选器、一关联度搜索器、一关联数据队列集存储器、一关联度计...
基于太赫兹光谱仪的可弯曲样品的固定装置、测量系统和测量方法制造方法及图纸
本发明公开了一种基于太赫兹光谱仪的可弯曲样品的固定装置,该固定装置包括:第一夹具组件和第二夹具组件,其中第一夹具组件至少包括第一固定夹,第二夹具组件至少包括第二固定夹,第一固定夹和第二固定夹被设置为:分别夹持待测样品的第一端和第二端,第...
具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路及其实现方法技术
本发明提供一具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路及其实现方法,所述电路包括:上电复位模块,用于在上电时检测电源电压,并在电源电压大于第一阈值电压时产生上电阶跃信号;掉电检测模块,连接于上电复位模块,用于在掉电时检测电源电压,并在电源电...
圆片级硅基集成小型化分形天线及其制备方法技术
本发明提供一种圆片级硅基集成小型化分形天线及其制备方法,包括如下步骤:1)提供一晶圆,所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面;2)于所述晶圆内形成穿硅通孔,并于所述穿硅通孔的内壁形成绝缘层;3)于所述穿硅通孔内填充金属层以形成导电穿硅通孔...
一种基于碳纳米管的传感材料及其制备方法及其在有机胺挥发性气体检测中的应用技术
本发明提供一种基于碳纳米管的传感材料,包括:单壁碳纳米管和2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌,其中,2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌通过非共价相互作用吸附在单壁碳纳米管的表面。本发明还提...
基于气压稳定的SQUID测量系统及稳定气压的方法技术方案
本发明提供一种基于气压稳定的SQUID测量系统及稳定气压的方法,包括:设置于SQUID检测模块的杜瓦中的气压传感器,对杜瓦中的气压进行检测;连接气压传感器的控制电路,基于气压检测信号产生控制信号;通过气路与杜瓦连接的气压调节模块,杜瓦中...
基于SQUID三轴磁强计的矢量磁场稳定系统技术方案
本发明提供一种基于SQUID三轴磁强计的矢量磁场稳定系统,包括:设置于三轴补偿线圈中,用于探测三个轴向磁场的SQUID三轴磁强计;读出SQUID三轴磁强计检测到信号的SQUID读出模块;将SQUID三轴磁强计的检测信号反馈到相应的三轴补...
可拆卸封装结构及其制备方法技术
本发明提供一种可拆卸封装结构及其制备方法,可拆卸封装结构包括:基板,所述基板的上表面形成有凹槽;可拆卸盖板,所述可拆卸盖板卡置于所述凹槽的内部,以在所述可拆卸盖板与所述凹槽底部之间形成密封空腔;MEMS器件结构,密封于所述密封空腔内。本...
联合优化能量效率和负载均衡的多点协作动态分簇方法及系统技术方案
本发明公开了一种联合优化能量效率和负载均衡的多点协作动态分簇方法,其首先构建能量效率与负载均衡联合优化模型,然后用符合该联合优化模型的解的分簇方法进行多点协作动态分簇。负载均衡优化使得不满意用户数最小,能量效率优化提升能量效率,由于本发...
温度不敏感马赫曾德尔干涉仪制造技术
本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪,包括:第一模式转换器;第二模式转换器,位于第一模式转换器的一侧,且与第一模式转换器具有间距;连接臂,位于第一模式转换器与第二模式转换器之间,一端与第一模式转换器相连接,另一端与第二模式转换器相连...
磁传感器的低频本征噪声测试系统及测试方法技术方案
本发明提供一种磁传感器的低频本征噪声测试系统及测试方法,包括:设置于补偿模块的稳场磁传感器及待测磁传感器;读取稳场磁传感器及待测磁传感器的输出信号的检测信号读出模块;将稳场磁传感器检测到的信号反馈到补偿模块中的反馈模块;产生与环境磁场波...
一种多通道电阻测试系统及其测试方法技术方案
本发明提供一种多通道电阻测试系统及其测试方法,所述系统包括:样品支撑结构,用于放置N个待测试样品,N个待测试样品依次串联并引出2N+2个引出端;多通道切换开关控制模块,包括N个正电压端控制开关及N个负电压端控制开关,用于根据测试选择信号...
高密度锗纳米线的制备方法技术
本发明提供一种高密度锗纳米线的制备方法,包括如下步骤:1)提供一锗衬底,锗衬底包括相对的第一表面及第二表面;2)于锗衬底的第一表面生长石墨烯;3)于锗衬底的第一表面形成铟催化剂层,且铟催化剂层至少覆盖石墨烯;4)于铟催化剂层远离锗衬底的...
一种太赫兹量子级联激光器及其光谱调制方法技术
本发明提供一种太赫兹量子级联激光器,包括耦合腔、直流源、T型偏置器以及RF源,该耦合腔具有短腔和长腔,其中长腔连接直流源,所述短腔通过T型偏置器和直流源相连,所述T型偏置器还与RF源相连。本发明还提供了该太赫兹量子级联激光器的光谱调制方...
薄膜沉积方法及约瑟夫森结制备方法技术
本发明提供一种薄膜沉积方法及约瑟夫森结制备方法。薄膜沉积方法包括步骤:1)提供一衬底;2)在第一沉积条件下于衬底表面沉积具有第一应力的第一超导薄膜层;3)在第二沉积条件下于第一超导薄膜层表面沉积具有第二应力的第二超导薄膜层,第一超导薄膜...
一种单细胞分选芯片及其制造方法以及单细胞分选方法技术
本发明提供了一种单细胞分选芯片,包括自上而下依次贴合的一上层芯片和一玻璃片;上层芯片的下表面为其结构面,其上刻蚀有一主通道,主通道包含多个U型部,每个U型部的两个直段之间均刻蚀有一捕获通道,每个捕获通道的中央均通过一释放通道与刻蚀于该结...
一种离心式液滴微流控芯片制造技术
本发明涉及一种离心式液滴微流控芯片,其包括:一基片以及一安装在该基片上的盖片,所述盖片包括:一油相储存腔;一水相储存腔;一与所述油相储存腔和所述水相储存腔相连的液滴生成结构;以及一与所述液滴生成结构相连并设有至少一个储油结构的液滴储存腔...
一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法技术
本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法,包括:在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜,将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理,通入气态碳源,低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱,进而提高石墨烯的电学性能,...
半导体结构及其制备方法技术
本发明提供一种半导体结构及其制备方法,半导体结构的制备方法包括如下步骤:1)提供一基底;2)于基底的表面形成具有预设深度的凹槽;3)于凹槽内形成介质层,介质层填满凹槽,且介质层裸露的表面与基底形成有所述凹槽的表面相平齐。本发明通过先在基...
柔性半导体复合薄膜及其制备方法技术
本发明提供一种柔性半导体复合薄膜及制备方法,柔性半导体复合薄膜的制备包括:提供一异质复合结构,包括牺牲衬底以及位于牺牲衬底表面的异质薄膜,牺牲衬底具有一刻蚀面,牺牲衬底中形成有自刻蚀面向内延伸的凹槽结构,异质薄膜位于刻蚀面的表面;提供一...
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