薄膜沉积方法及约瑟夫森结制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜沉积方法及约瑟夫森结制备方法。薄膜沉积方法包括步骤：1）提供一衬底；2）在第一沉积条件下于衬底表面沉积具有第一应力的第一超导薄膜层；3）在第二沉积条件下于第一超导薄膜层表面沉积具有第二应力的第二超导薄膜层，第一超导薄膜层和第二超导薄膜层的厚度和材质相同，第一应力与第二应力方向相反。本发明专利技术通过分步沉积方法沉积薄膜，使得最终制备的薄膜同时在应力和粗糙度上都满足要求，提高超导电路器件的性能及其稳定性。采用本发明专利技术的约瑟夫森结制备方法制备出的约瑟夫森结，能有效避免漏电流产生，提高约瑟夫森结的性能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积方法及约瑟夫森结制备方法
本专利技术涉及超导器件制备领域，特别是涉及一种薄膜沉积方法及约瑟夫森结制备方法。
技术介绍
超导电路包括单磁通量子器件(SFQ)、超导量子干涉器(SQUID)等应用超导约瑟夫森结的电路，这其中，单磁通量子器件(SingleFluxQuantum,SFQ)是利用约瑟夫森结内的单个磁通量子来表示逻辑“1”和“0”的超导电路技术，以此为基础的超导数字电路时钟频率可达770GHz，可用于雷达和通信系统的超宽带模数/数模转换器、宽带网络交换器、射电天文的数字式自相关器以及超导计算机等。因其具有速度快、功耗低等优点，目前美国和日本均投入巨资进行单磁通量子器件的战略研究；而超导量子干涉器件(superconductingquantuminterferencedevice,SQUID)是基于约瑟夫森效应和磁通量子化原理的超导量子器件，它的基本结构是在超导环中插入两个约瑟夫森结。SQUID是目前已知的最灵敏的磁通探测传感器，典型的SQUID器件的磁通噪声在μΦ0/Hz1/2量级(1Φ0＝2.07×10-15Wb)，其磁场噪声在fT/Hz1/2量级(1fT＝1×10-1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括步骤：1)提供一衬底；2)在第一沉积条件下于所述衬底表面沉积具有第一应力的第一超导薄膜层；3)在第二沉积条件下于所述第一超导薄膜层表面沉积具有第二应力的第二超导薄膜层，所述第一超导薄膜层和所述第二超导薄膜层的厚度和材质相同，所述第一应力与所述第二应力方向相反。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括步骤：1)提供一衬底；2)在第一沉积条件下于所述衬底表面沉积具有第一应力的第一超导薄膜层；3)在第二沉积条件下于所述第一超导薄膜层表面沉积具有第二应力的第二超导薄膜层，所述第一超导薄膜层和所述第二超导薄膜层的厚度和材质相同，所述第一应力与所述第二应力方向相反。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于：所述第一沉积条件包括第一氩气压强，所述第二沉积条件包括第二氩气压强，所述第一氩气压强和所述第二氩气压强不同。3.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于：所述第一应力为压应力，所述第二应力为张应力；或，所述第一压力为张应力，所述第二应力为压应力。4.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于：所述第一应力与所述第二应力绝对值相等。5.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于：所述薄膜沉积方法还包括重复所述步骤2)至少一次的步骤。6.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于：所述薄膜沉积方法还包括重复所述步骤2)和所述步骤3)至少一次的步骤。7.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于：所述步骤1)和所述步骤2)之间还包括清洗所述衬底的步骤。8.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于：所述步骤2)和所述步骤3)之间还包括在沉积所述第一超导薄膜层后表征所述第一超导薄膜层的所述第一应力，以根据表征结果确定所述第二沉积条件。9.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴禹，应利良，任洁，王镇，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31