中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构及封装方法
    本发明提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构及封装方法,所述封装方法包括:提供一SQUID平面梯度计芯片;于所述SQUID平面梯度计芯片的下方设置至少一层缓冲层;于所述缓冲层的下方设置一基板,并于所述基板上制作与所述SQUID平面梯...
  • 一种SiC热电堆型高温热流传感器及其制备方法
    本发明提供一种SiC热电堆型高温热流传感器及其制备方法,包括:硅衬底,具有第一表面和第二表面,在第一表面上设有沟槽以及由沟槽围绕形成的平台区域;复合介质膜,覆盖沟槽及平台区域;隔热腔体,设于硅衬底中,由第二表面向内凹入,位于平台区域的部...
  • 基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法
    本发明提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法,包括:SiC衬底,具有第一表面和第二表面,第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域;复合介质膜,覆盖沟槽及平台区域;隔热腔体,设于SiC衬底中,由第二表面向内凹入,位于平...
  • 基于铁磁悬臂梁的低振动阈值监控二级能量采集器
    本发明提供一种基于铁磁悬臂梁的低振动阈值监控二级能量采集器,包括固定架,及固定在固定架内的第一级低频振子和第二级高频振子;第一级低频振子包括:第一端固定在固定架一侧,第二端为自由端的第一悬臂梁;位于第一悬臂梁第二端第一表面的永磁体;位于...
  • 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池
    本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池,包括:n型硅衬底;窗口层,包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅;背场层,包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅;第一透明导电薄膜...
  • 一种超导全张量探测装置及超导全张量探测方法
    本发明提供一种超导全张量探测装置及超导全张量探测方法,包括一个或两个超导全张量探测单元,分别在两个相互正交的检测位置进行梯度检测,以获取全张量信息;超导全张量探测单元包括三棱柱模块及三个SQUID平面梯度计,三棱柱模块的顶面和底面为直角...
  • 用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路
    本发明提供一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路,其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块,且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动的IGBT的栅极...
  • 一种基于超导连接的轴向梯度计的制造装置及方法
    本发明提供一种基于超导连接的轴向梯度计的制造装置及方法,所述轴向梯度计包括SQUID芯片和梯度线圈,所述制造装置包括铌线退火设备和铌线键合设备;所述铌线退火设备用于对铌线进行退火操作;所述铌线键合设备用于将退火后的铌线分别超声键合在所述...
  • 一种三模冗余电路的版图设计方法
    本发明提供一种三模冗余电路的版图设计方法,包括:输入时序设置文件及库文件;根据时序或寄生参数要求摆放顶层宏单元;对电源、地进行规划和绕线;分别设定第一三模冗余电路中三路电路的单元摆放区域;根据设定的位置摆放所述第一三模冗余电路中三路电路...
  • 一种绝缘体上石墨烯的制备方法
    本发明提供一种绝缘体上石墨烯的制备方法,包括:提供一牺牲衬底;于牺牲衬底表面形成一层石墨烯层;于石墨烯层表面形成一层介质层;提供一支撑衬底,并将上述得到的结构键合于支撑衬底的上表面,介质层与支撑衬底上表面相接触;通过氧化工艺去除牺牲衬底...
  • 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路
    本发明提供一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路,包括用于进行信息存储的存储器阵列;并联于存储器阵列的位线上的缓冲隔离单元,从缓冲隔离单元的输出端获取存储器阵列中存储单元操作时的位线电压,并将要读取的位线电压与测试端隔离,减小测试端引...
  • 基于3D纳米桥结的超导量子干涉滤波器及其制备方法
    本发明提供一种基于3D纳米桥结的超导量子干涉滤波器及其制备方法,包括:于基片上形成第一超导材料层并图形化,形成第一电极;覆盖绝缘材料层;于绝缘材料层的表面形成第二超导材料层并图形化,形成第二电极;去除第一电极上方的绝缘材料层,于第一、第...
  • 场效应晶体管结构及其制备方法
    本发明提供一种场效应晶体管结构及制备方法,制备包括提供基底,于基底表面沉积由至少一层第一材料层及至少一层第二材料层;定义有源区和浅沟槽隔离区;刻蚀有源区形成沟道区及源区和漏区;腐蚀沟道区内的第一材料层或第二材料层,得到至少一条纳米线沟道...
  • 制作垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的方法
    本发明提供一种垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的制作方法,包括步骤:提供一{100}半导体衬底,在该衬底上制备成对凹槽;采用各向异性腐蚀法腐蚀成对凹槽内衬底材料,槽侧壁形成似锯齿型结构;在凹槽底部制作与其窗口中心对准的新凹槽,...
  • 一种基于GPS授时的高精度光泵磁力仪计频装置及方法
    本发明涉及一种基于GPS授时的高精度光泵磁力仪计频装置及方法,其中,所述装置包括:依次连接的一用于提供GPS秒脉冲信号的GPS接收机、一FPGA板卡、一频率计算模块和一晶振修正模块,以及一与所述FPGA板卡连接的多路选择器以及一与所述多...
  • 对等网络文件系统、访问控制/管理方法/系统、及终端
    本发明提供一种对等网络文件系统、访问控制/管理方法/系统、及终端,所述访问控制方法包括:访问所述访问端节点下文件目录,并判断所述访问端节点与其指定的共享端节点之间是否已建立数据访问处理连接;若否,则动态配置与共享端节点之间的数据访问处理...
  • 一种检测伯胺的方法
    本发明涉及一种检测伯胺的方法,包括步骤:S1,提供一种具有聚集诱导荧光增强效应的化合物;S2,通过提拉、旋涂或蒸镀的方法将该化合物形成在基底上以制备传感薄膜;或者将该化合物溶解于溶剂中形成浸入液,然后将滤纸条浸入该浸入液中后取出晾干以制...
  • 一种太赫兹准高斯平行激光束的实现装置及实现方法
    本发明涉及一种太赫兹准高斯平行激光束的实现装置,包括太赫兹量子级联激光器与驱动电源连接并发出太赫兹发散激光;可移动地安装在低温样品架上的调节系统;安装于调节系统上的离轴抛物面反射镜,其收集太赫兹发散激光并输出太赫兹准平行激光束;设置于低...
  • 一种面向无线传感器网层次化分析的路由调度方法
    本发明涉及一种面向无线传感器网层次化分析的路由调度方法,利用层次化分析方法建立判定矩阵,判定矩阵以邻居节点的剩余能量、需要消耗的传输能量、到基站的距离和节点度为关键因素。以判定矩阵最大特征值对应特征向量的元素值分别作为三个因素的权重,计...
  • 一种在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构
    本发明提供一种在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构,所述制备方法包括:S1:提供一基板;S2:在基板表面制备多晶硅层,对多晶硅层进行掺杂;S3:在掺杂的多晶硅层表面制备顶绝缘层;S4:在顶绝缘层表面制备铜薄膜层;S5:在铜薄膜层表...