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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
光电子芯片的混叠集成封装装置及其封装方法制造方法及图纸
本公开提供了一种光电子芯片的混叠集成封装装置及其封装方法,装置包括:光电子芯片,所述光电子芯片上设置有多个功能单元;所述多个功能单元分为需要整体温度稳定与需要局部温度快速调谐两种类型;所述多个功能单元中至少有一个为需要局部温度快速调谐的...
一种图形转移方法技术
本发明公开了一种图形转移方法,包括:提供一衬底;在衬底上涂覆光刻胶;通过激光照射在光刻胶上形成欠曝光区域,其中,欠曝光区域呈上宽下窄的梯形槽状;通过对欠曝光区域的光刻胶显影、坚膜、减薄、刻蚀后,得到目标图形。得到目标图形。得到目标图形。
多腔复合脉冲激光器及多腔复合脉冲激光放大器制造技术
本公开提供一种多腔复合脉冲激光器,包括:外谐振腔,包括:泵浦源,用于产生泵浦光;外腔增益光纤,用于吸收泵浦源产生的泵浦光并辐射外腔信号激光;外腔反射型布拉格光栅,用于将外腔信号激光在外腔反射型布拉格光栅内振荡,形成激光振荡;内谐振腔,包...
单光子雪崩光电探测器及其制备方法技术
本发明提供了一种单光子雪崩光电探测器及其制备方法,该单光子雪崩光电探测器,包括:衬底;倍增层,覆盖于衬底上,倍增层上形成有电荷层;第一二氧化硅层,覆盖于电荷层和部分倍增层上,其中,第一二氧化硅层上开有外延窗口;光吸收层,布置于外延窗口中...
波导耦合的雪崩光电探测器及其制备方法技术
本发明提供了一种波导耦合的雪崩光电探测器及其制备方法,其中,本发明的一个方面提供了一种波导耦合的雪崩光电探测器,包括:SOI衬底,包括:底部硅材料层、中间二氧化硅填埋层和顶层硅;倍增层,覆盖于顶层硅上,倍增层上形成有电荷层;光吸收层,覆...
超低损耗硅波导及其制备方法技术
本公开提供了一种超低损耗硅波导及其的制备方法,制备方法包括以下几个步骤:挑选作为衬底的SOI晶圆;热氧化第一硅层的上部;刻蚀第二二氧化硅层;沉积二氧化硅,形成第三二氧化硅层;在第三二氧化硅层上方注入氧离子,形成富氧离子层;刻蚀除去第二二...
外延片及光电探测器芯片制造技术
本发明提供了一种外延片,包括:衬底(2)及依次层叠在所述衬底(2)表面的N型欧姆接触层(3)、收集层(5)、崖层(6)、过渡层、本征吸收层(9)、P型吸收层(10)、阻挡层(11)、P型欧姆接触层(12);所述P型吸收层(10)在本征吸...
基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法技术
本发明提供一种基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法,包括:解理氟金云母,得到氟金云母衬底,其中,氟金云母衬底包括F
硅基电光调制器及其制备方法技术
本发明提供了一种硅基电光调制器及其制备方法。方法包括选择SOI晶圆,SOI晶圆为多层结构,自下而上为硅衬底、第一二氧化硅埋层、顶部硅层;顶部硅层中制备第二二氧化硅埋层,将顶部硅层分为上下两层,上层为第一硅层,下层为波导层,第二二氧化硅埋...
光网络的故障定位方法、电子设备及计算机可读存储介质技术
本公开实施例提供了一种光网络的故障定位方法、电子设备及计算机可读存储介质。该方法包括:获取光网络的多个故障位置信息和告警信息;根据每一个告警信息和多个故障位置信息,生成故障告警隶属关系;利用多元二次方程处理故障位置信息和故障告警隶属关系...
连续激射的微腔量子级联激光器及制备方法技术
本公开提供了一种连续激射的微腔量子级联激光器及制备方法,该激光器包括:衬底;微腔,包括:下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层和半绝缘InP:Fe层;上波导层内设有一凹槽,半绝缘InP:Fe层形成于上波导层的凹槽中;正面电极;背...
一种分段电源管理电路、上电电路及芯片制造技术
本发明公开了一种分段电源管理电路,可应用于耗尽型GaN分段驱动电路,分段电源管理电路包括:电压预调整电路,负压直流
电泵激光器及其制备方法技术
本发明提供了一种电泵激光器,包括:下金属电极、图形化衬底、倒脊型波导III
光谱仪激发光、分束器和滤光片的联动切换装置制造方法及图纸
本发明提供了一种光谱仪激发光、分束器和滤光片的联动切换装置,其特征在于,所述联动切换装置包括:底板;旋转位移台,通过旋转位移台支架固定于所述底板;转动管,固定于所述旋转位移台的中心孔;转动反射镜,固定于所述转动管的入射端;转动分束器固定...
硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及其制作方法技术
本发明提供一种硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及制备方法,该探测器包括:SOI晶片;脊形单模传输波导;吸收层,具有缺陷能级,外延形成于单模传输波导上;波导与吸收层之间通过倏逝波进行光的耦合;倍增层,形成于吸收层中;P型电极接触层,形成...
一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法技术
本发明提供一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法,宽光谱偏振光探测器包括基底层以及偏振层;基底层具有一成型面;偏振层设于所述成型面上,包括由左至右依次设置的源电极、有源层以及漏电极;其中,有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯。在本发明提供...
垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法技术
一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法,该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括:本征金刚石衬底;P+型漏区,材料为P+型掺杂金刚石,形成于本征金刚石衬底上;P型漂移区,材料为P型掺杂金刚石,形成于P+型漏区上;漏电极,形...
半导体激光器及其制备方法技术
一种半导体激光器及其制备方法,其中,半导体激光器包括自下而上依次生长的N电极、N型衬底、N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层和P电极;其中,所述N型衬底包括预留空间。底包括预留空间。底包括预留空间。
一种自干扰信号消除装置及其消除方法制造方法及图纸
本公开提供了一种自干扰信号消除装置及其消除方法用于消除接收天线从发射天线收到的接收信号中的自干扰信号,以得到期望接收到的目标信号,包括:S1,将接收信号和参考信号分别调制到光信号中,所述接收信号和参考信号具有延时引入的相位差;S2,对所...
一种点胶质量检测装置、检测方法、电子设备和存储介质制造方法及图纸
本公开提供了一种点胶质量检测装置,该装置包括:检测平台;载物台,可旋转安装于检测平台上;基座,放置在载物台上,设有预设位置用于点胶;固定模块,安装于载物台上,用于固定基座;透镜,放置在基座的预设位置;激光器,固定在透镜上,与基座位于透镜...
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