本发明提供了一种自旋过滤磁隧道结，包括：第一磁性层、隧穿层和第二磁性层；第一磁性层，与外接电极连接，用于产生自旋电流；隧穿层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间，用于隔绝第一磁性层和第二磁性层；第二磁性层，具有反铁磁性，以对自旋电流进行过...

本发明提出一种二维半导体异质结的制备方法，包括将反应前驱体置于反应容器中，反应前驱体包括一种硫属元素粉末及两种四族金属化合物粉末，硫属元素粉末置于第一位置，四族金属化合物粉末置于第二位置，两种四族金属化合物粉末熔点差不超过第一值；将衬底...

本申请提供了一种多温度区加热装置，通过设置加热平台提供加热微流体芯片的平台，并且在加热平台上分布式设置多个加热区域，每个加热区域内分别设置一个加热体，加热平台包括与每个加热体分别对应的多个狭缝，加热体由对应的狭缝伸出加热平台，从而实现多...

本发明提供了一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底。所述方法包括：在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，在所述GaAs缓冲层上沉积Ga原子层，在所述Ga原子层上外延生长界面失配位错阵列IMF，在所述界面失配位错阵列I...

本实用新型提供一种引线键合拉力测试机，由拉力测试模块，测试钩针，芯片夹具，移动平台，工作台，固定架，固定臂，照明灯，第一显微镜，第一显微镜固定座，第一显微镜旋转组件，第二显微镜，第二显微镜固定座，第二显微镜旋转组件，夹具底座，夹具旋钮，...

一种太赫兹偏振分束器，包括：周期性金属-介质-金属波导层；所述周期性金属-介质-金属波导层由交替排列的金属条带与介质条带构成，一个周期内包含多个介质宽度不同的波导层；所述太赫兹偏振分束器能够将入射的TE模式偏振波与TM模式偏振波进行分束...

本实用新型提供一种智能管家系统，所述系统包括：封装结构以及与封装结构连接的显示屏；封装结构的内部设置有处理器、存储器和充电模块，封装结构的外部设置有通信接口和充电接口；通信接口的第一端与待进行多媒体数据传输的智能设备连接，通信接口的第二...

本发明公开了一种光子晶体激光器，包括：有源层(6)；N型下波导层(5)，设置在有源层(6)下，用于形成电流注入通道和纵向光场限制；以及光子晶体波导层(4)，设置在N型下波导层(5)下，包括多个波导组件，每个波导组件包括：高折射率层(41...

本公开提供一种交流发电机的相信号检测装置，包括：相信号处理单元，用于获取交流发电机的输出电压的相信号，能够对所述相信号进行分压处理，得到分压相信号；电压信号获取单元，用于将所述分压相信号的电压值与设定于所述电压信号获取单元的阈值进行比较...

本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触...

本发明提供一种量子级联激光器，包括由下至上依次设置的衬底、下波导层、下限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上限制层以及上波导层；其中，所述量子级联激光器包括两个布拉格反射镜以及两个增益区，两个所述布拉格反射镜以及两个所述增益区沿横向...

一种具有半金属性的补偿亚铁磁薄膜，包括：基片(1)，平滑层(2)，生长于基片(1)上，为磁性层(3)提供良好的界面和晶格匹配，磁性层(3)，生长于平滑层(2)上，具有半金属性和补偿亚铁磁性，覆盖层(4)，生长于磁性层(3)上，具有保护薄...

本公开提供一种反馈控制扫频光电振荡系统，涉及微波光子技术领域，光电振荡器，用于对扫频光信号进行处理，得到扫频电信号并输出，所述光电振荡器包括：扫频激光器，用于产生所述扫频光信号；补偿器，能够对所述光电振荡器中的扫频电信号的频率漂移进行补...

本公开提供一种稳频光电振荡器，涉及微波光子技术领域，包括：光源单元，用于发出单频光信号并将所述单频光信号等分为两路；光电振荡器，用于将接收的一路单频光信号转换为扫频电信号，并将所述扫频电信号分成两路，一路作为输出信号输出，另一路形成闭合...

本公开提供了一种基于石墨烯

本发明公开了一种将外延片衬底完全去除的方法，外延片自下而上顺次包括衬底、腐蚀停止层、外延层，该方法包括如下制作步骤：对外延片的衬底进行切削，得到超薄衬底的外延片；将超薄衬底的外延片的外延层与临时牺牲片键合，得到键合外延片；利用腐蚀液对键...

本发明公开了一种多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器，其中，上述多层磁性薄膜器件包括从下至上依次设置的如下结构：衬底、第一磁性层、非磁层、第二磁性层；上述第一磁性层的居里温度高于上述第二磁性层；上述非磁层用于实现上述第一磁性层与上述第...

本公开提供了一种三维梯度渐变图形光刻方法及底托，该三维梯度渐变图形光刻方法包括：提供一衬底；在衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底；在图形衬底上涂覆光刻胶；通过垂直曝光，将第一图形平行转移到光刻胶上；通过倾斜曝光，将第一图形以预设角度转...

本公开提供了一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，包括：S1，将多个半导体激光器放置于真空环境中，并对多个半导体激光器的衬底进行加热处理后保持恒温；S2，采用磁控溅射设备在预置参数下对经过S1步骤处理后的每个半导体激光器的两端...

本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上；接触层，设置于...