绝缘栅双极型晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上；接触层，设置于压控沟道层上；内电极金属层，设置于部分p型基区和部分接触层上。设置于部分p型基区和部分接触层上。设置于部分p型基区和部分接触层上。

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制作领域，具体地，涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]传统绝缘栅型晶体管为硅器件，其性能以接近材料极限，想要进一步提高器件性能，氮化镓基半导体材料是一种良好的选择。这是因为氮化镓基半导体材料具有大带隙宽度、高临界击穿电场强度和高电子饱和漂移速度等特点，在中低功率、射频电子和光电子等领域中都具有明显的优势，是半导体领域中重要的研究方向之一。
[0003]目前，氮化镓基绝缘栅双极型晶体管与传统的硅基绝缘栅双极型晶体管，其中双极型部分为pnp型，会存在由于高载流子浓度的p型材料制备难度较大、p型材料上金属电极接触较差、材料位错密度难以降低等问题，严重制约绝缘栅双极型晶体管的耐压与导通电阻参数。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，以解决上述至少之一的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括：n型集电区；p型基区，设置于所述n型集电区上，露出部分所述n型集电区；n型发射区，设置于所述p型基区上，露出部分所述p型基区；压控沟道层，设置于部分所述n型集电区上；接触层，设置于所述压控沟道层上；内电极金属层，设置于部分所述p型基区和部分所述接触层上。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，还包括：衬底；缓冲层，设置于所述衬底上，所述n型集电区设置于所述缓冲层上；发射极金属层，设置于所述n型发射区上；集电极金属层，设置于部分所述n型集电区上；绝缘层，设置于所述n型发射区、所述p型基区、所述内电极金属层、所述接触层、所述压控沟道层的侧面、所述n型集电区的部分表面；栅极金属层，设置于部分所述绝缘层上。3.根据权利要求1～2任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其中，所述内电极金属层设置于所述发射极金属层和所述栅极金属层之间；所述栅极金属层设置于所述内电极金属层和所述集电极金属层之间。4.根据权利要求1～2任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其中，所述n型集电区和所述n型发射区的掺杂元素为Si，掺杂浓度为1
×
10
16
～1
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10
22
/cm3；所述p型基区的掺杂元素为Mg，掺杂浓度为1
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22
/cm3；所述n型集电区、所述n型发射区、所述p型基区的材料均包括：GaN或AlGaN。5.根据权利要求1～2任一项所述的绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：程哲，张韵，张连，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：