专利查询
首页
专利评估
登录
注册
中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
集成器件及其制备方法技术
本发明提供了一种集成器件及其制备方法,集成器件包括:衬底;调制器区和激光器区,调制器区和激光器区形成在衬底的同一表面并相邻设置;其中,调制器区上设有深脊波导,激光器区上设有浅脊波导;过渡区,形成于调制器区和激光器区之间并与调制器区和激光...
一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器技术
本公开提供了一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器,其中,氮化镓基激光器制备方法包括:在衬底的上表面制作n型限制层;在第一预设生长环境中在n型限制层的上表面制作下波导层;在下波导层的上表面制作量子阱有源区;在第二预设生长环境中在量子...
双模态传感器及其数据处理方法技术
本公开提供了一种双模态传感器及其数据处理方法,该双模态传感器包括:活性层,设置于柔性衬底上;第一传感元件和第二传感元件,设置于活性层上;第二传感元件对称设置于第一传感元件两侧;第一传感元件和第二传感元件被配置为共用一个工作电极;填充层,...
一种短波双色红外探测器及其制备方法技术
本发明提供一种短波双色红外探测器,包括:衬底,衬底的材料包括GaSb材料,缓冲层,形成于衬底表面,缓冲层的材料包括GaSb材料,短波红外单元,包括依次叠设在缓冲层表面的第一P型层、短波吸收层、第一N型层,其中,第一P型层、短波吸收层、第...
应用于MMIC中的紧凑型电容、电阻并联结构制造技术
本公开提供了应用于MMIC中的紧凑型电容、电阻并联结构,包括:薄膜电阻、第一金属层、介质层、第二金属层和空气桥;薄膜电阻和第一金属层分别制作在衬底上,薄膜电阻第一端与第一金属层连接;介质层制作在第一金属层和薄膜电阻上;第二金属层制作在介...
激光器的制备方法及激光器技术
本公开提供了一种激光器的制备方法及激光器,其制备方法包括:提供衬底;在衬底上形成包括未混杂有源区的第一外延层;在第一外延层上的部分区域形成掩膜层;在第一外延层上的裸露区域形成混杂层,用于提供向未混杂有源区扩散的缺陷;通过热退火工艺将混杂...
一种红外焦平面阵列及其制备方法技术
本公开提供了一种红外焦平面阵列及其制备方法,其中,红外焦平面阵列包括:图形衬底;IV族材料外延层,生长于上述图形衬底上;钝化层,覆盖于上述IV族材料外延层上,且设有第一电极孔和第二电极孔;第一电极,设置于上述第一电极孔内,与上述图形衬底...
一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统技术方案
本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统,包括:S1,研磨Bi2O3、Fe2O3粉末,将研磨后的混合粉末压制成溅射靶;S2,洗涤衬底,衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001);S3,采用射频溅射使溅...
锑化镓晶片湿法腐蚀方法技术
本发明公开了一种锑化镓晶片湿法腐蚀方法,包括:将锑化镓晶片进行去蜡处理,减少颗粒和杂质的吸附;将去蜡后的锑化镓晶片置于腐蚀液中浸泡,去除锑化镓晶片表面残留颗粒和杂质;对腐蚀后的锑化镓晶片进行冲洗并干燥。该方法能够有效减少锑化镓晶片表面的...
纯电读写的磁性随机存储器及其制备方法技术
本公开提供了一种纯电读写的磁性随机存储器及其制备方法,该存储器的结构包括衬底;磁记录部包括:自旋轨道耦合层,设置在衬底上;磁性隧道结,设置在自旋轨道耦合层上;两个电磁部,包括第一电磁部和第二电磁部,分别形成于磁记录部的两端;第一电磁部包...
并联式多波段多格式微波信号产生装置制造方法及图纸
本发明公开了一种并联式多波段多格式微波信号产生装置,包括:激光器,用于发出光信号;微波源,用于调节输入并联式调制模块的微波信号功率,发出微波信号;第一电压源,用于输入直流偏压;第二电压源,用于输入直流偏压;任意波形发生器,用于发出基带信...
石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构及制备方法技术
一种石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构及制备方法,该集成结构包括n型硅基区、p
低温磁场环境下的波矢分辨布里渊光谱测量系统技术方案
一种低温磁场环境下的波矢分辨布里渊光谱测量系统,包括:恒温装置,适用于放置待测样品且将待测样品的温度保持在低温环境下;物镜,适用于将目标激光聚焦到待测样品上,以激发待测样品产生带有待测样品光谱特性的布里渊散射光;磁场产生装置,适用于给待...
经穴定位方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸
本发明提供一种经穴定位方法、装置、电子设备及存储介质,所述方法包括:获取单张RGB图像;预处理所述单张RGB图像,得到目标人体图像;获取所述目标人体图像中的关节点,基于所述关节点构建目标人体的三维人体模型;当选择第一定位法时,获取所述三...
一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法技术
一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法,包括:在刚性衬底上生长氧化锌缓冲层,在氧化锌缓冲层上外延生长铁酸钴单晶薄膜,在铁酸钴单晶薄膜上旋涂一层溶有黑蜡的有机溶剂,得到黑蜡薄膜保护层,将刚性衬底放置在酸液中湿法腐蚀氧化锌缓冲层,待氧化锌缓冲层腐...
用于铌酸锂薄膜电光调制器偏置电压控制的监测装置制造方法及图纸
一种用于铌酸锂薄膜电光调制器偏置电压控制的监测装置,包括铌酸锂薄膜调制器芯片、起偏片、输入光纤、输出光纤、光纤固定块、光电探测器和偏置控制电路;所述铌酸锂薄膜调制器芯片上制作有波导结构、射频电极结构和偏置电极结构;所述波导结构包括第一主...
一种制备高化学计量比二维六方氮化硼的方法技术
本发明提供一种制备高化学计量比二维六方氮化硼的方法,包括:S1,将淀积腔室抽至一本底真空度,其中,淀积腔室内放置有衬底及六方氮化硼靶材;S2,将衬底加热至目标温度后,在氮气气氛下对衬底进行退火;S3,在氮气气氛下,将脉冲激光照射到六方氮...
一种多温度区加热装置制造方法及图纸
本申请提供了一种多温度区加热装置,通过设置加热平台提供加热微流体芯片的平台,并且在加热平台上分布式设置多个加热区域,每个加热区域内分别设置一个加热体,加热平台包括与每个加热体分别对应的多个狭缝,加热体由对应的狭缝伸出加热平台,从而实现多...
等离激元激光器微腔及其制备方法技术
本公开提供一种等离激元激光器微腔,包括:金属基板,其上设置有多个凹槽;以及半导体纳米线,对应所述多个凹槽上方设置于所述金属基板表面。同时还提供一种等离激元激光器微腔的制备方法,用于制备上述等离激元激光器微腔,包括:操作S1:以云母为基底...
空间光调制器及其制备方法技术
本公开公开了一种空间光调制器,包括:绝缘调制层(300);导电调制层(400),设置于绝缘调制层(300)上,并包括多个调制电极;电极层(200),设置于绝缘调制层(300)下,并包括多个与多个调制电极配合的配合电极;其中,绝缘调制层(...
首页
<<
78
79
80
81
82
83
84
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133943
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68154
中兴通讯股份有限公司
67281
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51641
最新更新发明人
银联商务支付股份有限公司
70
佛山市创联科技有限公司
20
中国地质大学武汉
11442
湖北睿荣智能科技有限公司
1
苏州天哲云智物联网科技有限公司
2
长城汽车股份有限公司
25193
北京航空航天大学杭州创新研究院
922
深圳市智能派科技有限公司
259
太原理工大学
14445
摩尔线程智能科技北京股份有限公司
649