用于铌酸锂薄膜电光调制器偏置电压控制的监测装置制造方法及图纸

一种用于铌酸锂薄膜电光调制器偏置电压控制的监测装置，包括铌酸锂薄膜调制器芯片、起偏片、输入光纤、输出光纤、光纤固定块、光电探测器和偏置控制电路；所述铌酸锂薄膜调制器芯片上制作有波导结构、射频电极结构和偏置电极结构；所述波导结构包括第一主波导、第一分束结构、第一分支波导、第二分支波导、第二分束结构、第三分支波导和第四分支波导。本发明专利技术通过用于铌酸锂薄膜电光调制器偏置电压控制的监测装置实现了降低引起较大幅度或者频率的直流工作点漂移的可能性，提高了调制线性度，降低了误码率，从而提高系统的整体性能，使得薄膜器件有更加广阔的应用前景。薄膜器件有更加广阔的应用前景。薄膜器件有更加广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
用于铌酸锂薄膜电光调制器偏置电压控制的监测装置


[0001]本专利技术涉及光电调制器监测
，尤其涉及一种用于铌酸锂薄膜电光调制器偏置电压控制的监测装置。

技术介绍

[0002]电光调制器作为现代光通信产业的核心器件，能将电信号转化为光信号，使其能够在光纤中实现远距离高速传输。其中，基于铌酸锂晶体的电光调制器，因带宽高、啁啾可调、非线性失真小，是目前应用最为成熟的外调制器。
[0003]然而，基于铌酸锂晶体的电光调制器具有半波电压高、体积大、不易集成等特点，使其在光通信系统特别是相干光通信系统中的应用受到了极大的制约。近年来，由于对铌酸锂薄膜微结构的加工技术取得了较大的突破，对铌酸锂薄膜电光调制器的研究成为关注热点，关于铌酸锂薄膜芯片波导的制备，已有多篇文献报道。由于高的折射率差和微、纳米量级的薄膜厚度，光波导可以把光限制在微米量级的微小区域中，使光以导模形式在其中传播，由于波导弯曲损耗较小，较之铌酸锂体晶体调制器，芯片体积可以大幅度减小。同时，由于电极间距较小、电光重叠因子较高、无需采用较厚缓冲层结构等，较之铌酸锂晶体的电光调制器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于铌酸锂薄膜电光调制器偏置电压控制的监测装置，其特征在于，包括铌酸锂薄膜调制器芯片、起偏片、输入光纤、输出光纤、光纤固定块、光电探测器和偏置控制电路；所述铌酸锂薄膜调制器芯片上制作有波导结构、射频电极结构和偏置电极结构；所述波导结构包括第一主波导、第一分束结构、第一分支波导、第二分支波导、第二分束结构、第三分支波导和第四分支波导；其中，输入光纤固定块末端与芯片连接处设置一起偏片，然后与所述第一主波导相连接，输出光纤与所述第三分支波导连接；或者，所述输入光纤与所述第一主波导相连接，输出光纤固定块与芯片连接处设置一起偏片，然后与所述第三分支波导连接；或者，采用无起偏片结构，输入光纤固定块末端与所述第一主波导相连接，输出光纤与所述第三分支波导连接；光信号通过所述输入光纤进入第一主波导后接着进入第一分束结构，然后分成两束光波信号，第一束光波信号通过第一分支波导，第二束光波信号通过第二分支波导，两束光波信号的相位分别被铌酸锂薄膜调制器芯片上的射频电极结构和偏置电极结构上所加的电信号进行调制，两束光波信号在第二分束结构会聚后再分别进入第三分支波导和第四分支波导，第三分支波导的光进入所述输出光纤，第四分支波导中的的光穿出芯片后入射到光电探测器，定义为第一实施方式；或者，光信号通过所述输入光纤进入第一主波导后接着进入第一分束结构，然后分成两束光波信号，第一束光波信号通过第一分支波导，第二束光波信号通过第二分支波导，两束光波信号的相位分别被芯片上的射频电极结构和偏置电极结构上所加的电信号进行调制，两束光波信号在第二分束结构会聚后再进入第三分支波导，光电探测器固定在第三分支波导上方，用来检测第三分支波导上方的泄漏光强，定义为第二实施方式；光电探测器的检测电流作为输入信号进入偏置控制电路，经过电路运算后，所述电路运算包括基于运算放大器的功率检测方案和基于导频信号的谐波分析方案，产生输出电信号，然后将偏置控制电路的输出电信号加载到偏置电极结构上，实现对所述第一分支波导与第二分支波导内的传输光进行调制。2.根据权利要求1所述的用于铌酸锂薄膜电光调制器偏置电压控制的监测装置，其特征在于，所述铌酸锂薄膜调制器芯片采用铌酸锂薄膜材料，铌酸锂薄膜为单晶结构且厚度范围为500nm～10um。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭阳，陈伟，祝宁华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：