含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构制造技术

本发明专利技术公开了一种含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构，该材料结构自下到上依次包括：衬底、金属层、缓冲层、Z切铌酸锂薄膜，满足Z切薄膜铌酸锂集成电光调控芯片制造需求。本发明专利技术在铌酸锂薄膜和衬底之间直接加入金属层，在电光调控结构应用中，金属层可直接作为一个电极层置于薄膜铌酸锂光波导正下方，与置于薄膜铌酸锂光波导正上方电极构建电场，对夹在上下电极中间的薄膜铌酸锂光波导进行电光调控，调控电极间距不受限于工艺精度，切电光重叠因子比传统结构更高，电光调控效率更高。电光调控效率更高。电光调控效率更高。

【技术实现步骤摘要】
含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构


[0001]本专利技术属于光电集成芯片材料领域，特别是一种含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构。

技术介绍

[0002]传统Z切薄膜铌酸锂(LN)材料结构，是由Z切铌酸锂薄膜通过键合层直接与衬底集成实现，在电光调控结构应用中，需要信号电极和地电极中的一个电极置于Z切薄膜铌酸锂光波导正上方、另外一个电极置于光波导旁边构建电场，实现对Z切薄膜铌酸锂光波导的电光调控。在这种结构中，为了提高电光调控效率，需要信号电极和地电极之间的间距尽量小，对芯片加工精度要求较高，而且啁啾效应严重。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构，极大降低电极间距工艺精度要求和啁啾效应，满足Z切薄膜铌酸锂电光调控器件芯片制造需求。
[0004]实现本专利技术目的的技术解决方案为：一种含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构，该材料结构自下到上依次包括衬底、金属层、缓冲层和Z切铌酸锂薄膜。
[0005]进一步的，所述缓冲层为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或聚合物。
>[0006]进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构，其特征在于，该材料结构自下到上依次包括衬底(1)、金属层(2)、缓冲层(3)和Z切铌酸锂薄膜(4)。2.根据权利要求1所述的含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构，其特征在于，所述缓冲层(3)为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或聚合物。3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱广，
申请(专利权)人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：