温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种含金属层Z切薄膜铌酸锂材料结构，该材料结构自下到上依次包括：衬底、金属层、缓冲层、Z切铌酸锂薄膜，满足Z切薄膜铌酸锂集成电光调控芯片制造需求。本发明在铌酸锂薄膜和衬底之间直接加入金属层，在电光调控结构应用中，金属层可直接作为...该专利属于南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司授权不得商用。