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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
用于存储器的纠错方法、装置、电子设备及介质制造方法及图纸
本公开提供了一种用于存储器的纠错方法,包括:将第一引导序列插入需要存储第一数据的预设位置,得到第二数据;对第二数据进行编码,得到含有校验位信息的第三数据;将第三数据在存储器中读写后,第一引导序列受噪音影响转变成第二引导序列,得到第四数据...
一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法技术
本发明提供一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法,包括:衬底,依次叠设于衬底上的缓冲层、分布式布拉格反射镜层、下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层、下介质膜层、上介质膜层。其中应变补偿多量子阱层为张应变量子垒层和压应变量子阱层交叉叠设而成...
基于GaNHEMT的激光器驱动电路及其单片集成方法技术
本公开提供一种基于GaN HEMT的激光器驱动电路,包括:第一GaN HEMT模块,被设置为响应输入的第一电压脉冲信号,输出第二电压脉冲信号;电压脉冲反相模块,与所述第一GaN HEMT模块相连,被设置将所述第二电压脉冲信号进行反相得到...
感温电路、基于感温电路的CMOS温度传感器及其校准方法技术
本公开提供了一种感温电路、基于感温电路的CMOS温度传感器及其校准方法,该感温电路包括:充电模块,充电模块的输出端用于与控制开关的第一端连接;放电模块,放电模块的输入端用于与控制开关的第二端连接;施密特触发器,一端连接控制开关,用于根据...
LED的制备方法及LED外延片技术
本公开提供了一种LED的制备方法,包括:在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层后,经过第一退火、第二退火处理后,得到第二样品;光刻第二样品的表面后,刻蚀至n...
一种电声调谐等离激元激光器及其制备方法技术
本公开提供一种电声调谐等离激元激光器及其制备方法,电声调谐等离激元激光器包括压电晶体、金属光栅、纳米线以及金属电极。压电晶体压电晶体的上端面有一压电形变面;金属光栅设于压电形变面,金属光栅包括多条间隔设置的金属条纹;纳米线设于金属光栅的...
有源反馈分布式反馈激光器及其制作方法技术
本发明公开了一种有源反馈DFB的制作方法,包括:在衬底上形成两个掩膜条、位于两个掩膜条中间的生长窗口,每个掩膜条包括有源区掩膜和反馈区掩膜,有源区掩膜的宽度大于反馈区掩膜的宽度;在生长窗口上依次形成缓冲层、有源层、光栅层、光栅覆盖层;由...
场效应存储器件制造技术
本公开提供一种场效应存储器件,涉及半导体技术领域。该器件包括:半导体基片;源区和漏区,形成于半导体基片上且相互隔开,源区与漏区之间形成有沟道区,沟道区上形成有栅氧层,栅氧层的两端与源区和漏区相接,栅氧层具有可移动带电缺陷,栅氧层上形成有...
基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器及其应用制造技术
一种基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器及其应用,该多腔耦合激光器包括N面电极层;N型波导层,设置在N面电极层上;有源区层,设置在N型波导层上;P型波导层,设置在有源区层上,其上设有至少两个增益损耗脊型波导单元,每个增益损耗脊型波导单元均...
一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法技术
本发明提供一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法,包括:S1,在异质衬底上生长石墨烯薄膜;S2,等离子体处理石墨烯薄膜,使石墨烯薄膜表面形成大量悬挂键;S3,在石墨烯薄膜表面金属有机化学气相沉积氮化铝薄膜;S4,高温退火,得到表面结...
片上集成窄线宽激光器制造技术
本发明提供一种片上集成窄线宽激光器,其中,均匀光栅与第一反射式半导体光放大器构成第一子谐振腔,均匀光栅与第二反射式半导体光放大器、第一微环谐振器、第二微环谐振器、移相器、光耦合器构成第二子谐振腔,第一子谐振腔和第二子谐振腔通过均匀光栅耦...
功率放大电路及集成电路制造技术
本发明提供了一种功率放大电路,包括:第一匹配电路、RC并联电路、非均匀晶体管电路和第二匹配电路;第一匹配电路的输入端与信号源输出端连接;RC并联电路的输入端与第一匹配电路的输出端连接,RC并联电路用于与第一匹配电路结合,减小非均匀晶体管...
液下气泡多角度光学特征分析装置制造方法及图纸
本公开提供一种液下目标多角度光学特征分析装置,包括:支撑框架(1);定位装置,适用于对分析目标进行定位,分析目标定位于定位装置的中心轴线上;旋转机构,设置成环绕中心轴线可转动地安装在支撑框架(1)上;照明装置,安装在旋转机构上,照明装置...
光发射模块制造技术
本公开涉及了一种光发射模块,包括:激光器,用于发出持续的光信号;调制器,用于将电信号调制到接收的光信号上;透镜,设置于激光器和调制器之间;以及光隔离器,设置于透镜和调制器之间;其中,激光器与调制器互呈45
钙钛矿单晶的生长方法及装置制造方法及图纸
本公开提供了一种钙钛矿单晶的生长方法,包括:将装有钙钛矿前驱体溶液的第一容器置于装有反溶剂的第二容器中,第二容器中的反溶剂蒸汽向第一容器扩散;向前第一容器、第二容器分别持续注入钙钛矿前驱体溶液、反溶剂;通过控制钙钛矿前驱体溶液、反溶剂的...
用于固定光纤的支架及其制备方法技术
公开了一种用于固定光纤的支架,包括:支架底座模块和支架连接模块;支架底座模块包括第一底板、第二底板、第一支撑板和第二支撑板,第一底板和第二底板呈对称分布,第一支撑板与第一底板相互垂直,第二支撑板与第二底板相互垂直,第一支撑板与第二支撑板...
锑化镓单晶表面的氧化层厚度的控制方法技术
本公开公开了一种锑化镓单晶表面的氧化层厚度的控制方法,包括:对锑化镓抛光片用化蜡剂稀释液进行去蜡处理后,用去离子水冲洗;将所述锑化镓抛光片置于有机溶液中处理后,用去离子水冲洗;将所述锑化镓抛光片进行化学腐蚀液处理后,用去离子水冲洗;将所...
聚合酶链式反应芯片制造技术
本申请实施例提供了一种聚合酶链式反应芯片,以解决现有聚合酶链式反应芯片无法使得聚合酶链式反应液相材料在变性后快速降温至退火温度,从而导致扩增效率慢的技术问题。该聚合酶链式反应芯片包括:储液区,用于储存聚合酶链式反应液相材料;以及控温区,...
宽工作电压范围的CMOS电荷泵泵压装置制造方法及图纸
一种宽工作电压范围的CMOS电荷泵泵压装置,包括:时钟电路,用于生成时钟信号以及时钟信号的反相时钟信号,所述时钟信号的信号频率以及所述时钟信号的反相时钟信号的信号频率均与输入电源电压的大小成反比;电荷泵泵压电路,用于在所述时钟信号以及所...
可穿戴式无创光疗装置制造方法及图纸
本公开提供了一种可穿戴式无创光疗装置,包括:光动力模块,包括至少一个主动发光单元,用于辐射光子束,为光疗装置提供初始光动力,其中,至少一个主动发光单元为发光二极管、有机发光二极管、超辐射二极管、半导体激光器中的一种或多种;驱动显示模块,...
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