一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、分布式布拉格反射镜层、下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层、下介质膜层、上介质膜层。其中应变补偿多量子阱层为张应变量子垒层和压应变量子阱层交叉叠设而成，应变补偿多量子阱层外表面均布置为张应变量子垒层。下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层的总光学厚度为λ、1.5λ、2λ的一种，其中，λ为掺Yb超快光纤激光器的激射波长。本发明专利技术半导体可饱和吸收镜具有较高的调制深度，应用于掺Yb光纤超快激光器可实现自动锁模，重复周期稳定。重复周期稳定。重复周期稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法


[0001]本专利技术属于超快激光
，尤其涉及一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法。

技术介绍

[0002]超快激光器凭借其高峰值功率，窄脉冲宽度等优点，在材料精细加工，生物医疗，科学研究，军事国防等领域获得了广泛的应用。半导体可饱和吸收镜作为一种锁模器件，因其具有自启动、易于集成、覆盖波段范围广、结构紧凑以及设计灵活等优点，已经广泛应用于固体、光纤和半导体等各种类型超快激光器。目前工业市场上主流的皮秒级固体和光纤激光器均为基于半导体可饱和吸收镜(SESAM)的被动锁模激光器，而且随着掺Yb光纤超快激光器的广泛应用，满足其所需的SESAM成为超快激光行业关注的焦点。
[0003]光纤激光器对SESAM的特性参数要求与固体激光器有所不同，固体激光器通常要求SESAM的调制深度为0.5
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3％，而光纤激光器要求SESAM的调制深度高达10
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30％，即是要求SESAM拥有更厚的吸收层。应用于掺Yb光纤超快激光器的SESAM的吸收层一般选用InGaAs材料，其中In的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：衬底(110)；依次叠设于所述衬底(110)上的缓冲层(120)、分布式布拉格反射镜层(130)、下隔离层(140)、应变补偿多量子阱层(150)、上隔离层(160)；所述应变补偿多量子阱层(150)为张应变量子垒层(151)和压应变量子阱层(152)交叉叠设而成，所述应变补偿多量子阱层(150)外表面均布置为所述张应变量子垒层(151)。2.根据权利要求1所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述衬底(110)材料包括GaAs材料。3.根据权利要求1所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述下隔离层(140)、上隔离层(160)的物理厚度为4
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10nm。4.根据权利要求1所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中，所述下隔离层(140)、应变补偿多量子阱层(150)、上隔离层(160)的总光学厚度为λ、1.5λ、2λ的一种，其中，λ为掺Yb超快光纤激光器的激射波长。5.根据权利要求1所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述应变补偿多量子阱层(150)周期数为10
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45。6.根据权利要求1所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述张应变量子垒层(151)材料包括GaAsP材料，所述压应变量子阱层(152...

【专利技术属性】
技术研发人员：林楠，熊聪，马骁宇，刘素平，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：