本公开提供一种多通道数字

本公开提供了一种制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件。方法包括：第一温度下，在衬底上生长GaN缓冲层；将第一温度升至第二温度，并在第二温度下，在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；将第二温度降低至设定温度，在非...

本公开提供一种可调谐半导体激光器驱动装置，包括：控制模块，用于与上位机进行通信从而传递指令信号；电流驱动电路，分别与所述控制模块和半导体激光器相连，用于驱动半导体激光器工作；温控环路，分别与所述控制模块和半导体激光器相连，用于控制半导体...

本公开提供了一种光子信号发生器，包括：激光器，用于产生光载波；任意波形发生器，用于产生基带相位编码微波信号或抛物线型微波信号；第一马赫增德尔调制器，用于将任意波形发生器产生的微波信号通过电光效应调制到光载波上，形成第一光信号；光电振荡器...

本公开提供了一种目标追踪方法，包括：获取目标图像和待追踪图像，目标图像包括目标对象；分别对目标图像和待追踪图像进行划分，得到多个第一图像块和多个第二图像块；从多个第一图像块和多个第二图像块中提取第一特征图和第二特征图；以及根据第一特征图...

本公开提供一种基于单片机总线复用的多路并行DAC配置电路结构，包括：单片机模块，包括一单片机芯片；外部只读存储器；锁存器模块，其输入连接至单片机芯片的一I/O口；逻辑门模块，其一输入端连接至单片机芯片的另一I/O口，另一输入端连接至单片...

一种光电探测器，包括：衬底；电极层，形成在衬底上，包括两个叉指单元，两个叉指单元的多个叉指相向延伸并互相绝缘；以及微米层，覆盖多个叉指单元的多个叉指，叉指单元的叉指与微米层之间基于范德华力结合。范德华力消除了金属电极层和纳米层界面处化学...

本发明公开了一种蓝光半导体激光器合束装置及高亮度蓝光输出方法,涉及半导体激光器技术领域。发明包括TO封装的半导体单管、快慢轴准直镜、反射镜、1/2玻片、偏振棱镜以及耦合聚焦镜。所述结构将48个TO单管半导体激光器分为两组，每组为8

本公开涉及一种光催化剂的制备方法，包括：S1：将硼氢化钠溶液加入氯金酸溶液还原得到纳米金溶液；S2：配置金纳米棒生长溶液，加入纳米金溶液得到一定长径比的金纳米棒AuNRs，离心后复溶成AuNRs溶液待用；S3：将AuNRs溶液分散在L

本公开涉及了一种光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用。一种光电传感器包括：衬底；绝缘层，设置于衬底上；探测及成像层，设置于绝缘层上；至少一组源电极和漏电极，设置于探测及成像层上并一个延伸方向上依次设置，源电极和漏电极延伸出探测及成...

本公开提供了一种周期渐变超晶格宽光谱红外探测器，包括：GaSb衬底(1)、外延片结构及第一金属电极(7)、第二金属电极(8)，外延片结构依次包括GaSb缓冲层(2)、P型欧姆接触层(3)、InAs/InAsSb周期渐变超晶格层(4)、N...

一种雪崩光电探测器及其制备方法。一种雪崩光电探测器，包括：SOI衬底，SOI衬底包括多层含Si层；掺杂层，设置在SOI衬底的上部，并包括：倍增区；n型掺杂区，设置在倍增区的横向一侧，n型掺杂区设有与倍增区具有相同厚度的阶梯部；p型掺杂区...

本公开提供了一种晶体管激光器及其制备方法，该晶体管激光器包括：衬底；集电层材料层、基极材料层、基极高Al组份材料层、量子阱材料层、发射极高Al组份材料层、发射极材料层依次生长于衬底上；发射极材料层、发射极高Al组份材料层、量子阱材料层及...

本公开提供了一种微水测量仪，适用于测量待测液体中的水含量，包括：探测部，适用于浸入到所述待测液体中；发光部，被构造成向所述探测部发射光束；调制部，设置在所述探测部和所述发光部之间，适用于将所述发光部发射的光束调制为第一光束和第二光束，其...

本公开提供一种AlGaN及其生长方法，方法包括：以第一温度制备基底(1)；在基底(1)上以第二温度生长GaN层(2)；在GaN层(2)上以第三温度生长AlN插入层(3)；在AlN插入层(3)上以第四温度生长AlGaN层(4)；其中，第一...

本公开提供一种Si基GaN及其生长方法，方法包括：在基础层(1)上生长混合梯度AlGaN层(2)；在混合梯度AlGaN层(2)上生长GaN层(3)；其中，混合梯度AlGaN层(2)中，靠近GaN层(3)一侧的Al含量小于靠近基础层(1)...

本申请涉及高功率大能量脉冲激光放大技术领域，尤其涉及一种用于调Q脉冲光纤激光器的波形控制器。其中，该波形控制器，包括：输入光纤导入第一脉冲激光；分束单元将第一脉冲激光分束为至少三路光纤传输的第二脉冲激光；延时单元对至少三路的第二脉冲激光...

本公开提供了一种多像素有机柔性透明近红外图像传感器及其制备方法，该传感器包括：Ti3C2T

一种表面等离极化激元激光器及其制备方法和应用，该制备方法包括：将银纳米线分散液旋涂在衬底上，得到器件一；将器件一在惰性气氛下加热一段时间，得到器件二；在器件二上制备三氧化二铝薄膜；在三氧化二铝薄膜上旋涂染料分散液后退火，得到所述表面等离...

本公开提供了一种MicroLED发光阵列结构，该结构包括：多个MicroLED像素单元，成行线和列线互联的阵列结构排列；所述MicroLED像素单元包括：衬底；MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底上；以及吸收层，形成于所述衬底上...