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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
半导体pn结构及其制备方法技术
本发明公开了一种半导体pn结构,包括:第一基材层;第二基材层,包括Mg元素掺杂的p型GaN基材料,生长在第一基材层上;石墨烯层,设置在第二基材层上;第三基材层,包括n型GaN基材料,生长在石墨烯层上,第二基材层与第三基材层形成pn结;其...
水下空间选通气泡探测及统计的方法技术
本发明提供了一种水下空间选通气泡探测及统计的方法。探测方法具体为:构造水下空间选通气泡探测模型,其中,水下空间选通气泡探测模型为改进的ResNet
用于外腔窄线宽激光器的微环反射结构及制备方法技术
本发明公开了一种用于外腔窄线宽激光器的微环反射结构,包括:微环波导,微环波导包括环形本体,环形本体上一体成型地设置有反射部;以及直波导,设置在微环波导的外部,以使在直波导内传输的输入激光中具有预定波长的预定激光在直波导与微环波导最接近的...
DBR激光器及其制作方法技术
本申请提供了一种DBR激光器的制作方法,应用于半导体技术领域,采用带胶剥离低温生长的二氧化硅的工艺方法,制备具有不同光栅耦合系数的DBR激光器,不同光栅耦合系数的反射谱可以实现强DL效应的同时,减少往返增益的稀释效应,克服传统DBR激光...
大应变红外量子级联激光器及其制备方法技术
本公开提供一种大应变红外量子级联激光器及其生长方法,自下而上包括:InP下波导层、量子阱级联层、InP上波导层;其中,量子阱级联层是多周期级联的,其每个周期包括:8~12周期的量子阱层/势垒层,为InGaAs/InAlAs超晶格材料;低...
植入式光源及其制备方法技术
本公开提供一种植入式光源,包括:硅衬底,设置有针状部和与所述针状部相连的供电部;以及薄膜LED阵列,包括至少两个薄膜LED,所述至少两个薄膜LED均匀电连设置于所述硅衬底的针状部上,所述供电部用于给所述薄膜LED阵列供电;其中,硅衬底自...
光电探测器的制备方法技术
本发明公开了一种光电探测器的制备方法,包括:形成衬底;在衬底上制备电极层;在电极层上制备钙钛矿薄膜;在钙钛矿薄膜上制备Ti3C2T
GaN半桥功率器及其制备方法技术
本发明提供了一种GaN半桥功率器,包括:基板,表面设有多个安装区,每个安装区设有多个电触点、以及电触点之间的连线;驱动芯片、第一GaN功率器件和第二GaN功率器件,分别安装在安装区,并通过多个焊球分别与电触点电连接,驱动芯片包括分别与第...
量子级联激光器及其制作方法技术
本发明公开了一种量子级联激光器及其制作方法,涉及激光器技术领域,量子级联激光器包括衬底层;下波导层,位于衬底层上;有源层,位于下波导层上,并包括多个注入层,位于下波导层上;以及多个发光层,发光层的电子由高能级向低能级跃迁,适用于激发电子...
量子点的制备方法技术
本公开提供一种量子点制备方法,包括:采用二维材料制备二维材料衬底;将二维材料衬底置于生长腔中,升高生长腔的温度使二维材料衬底处于第一预设温度;通过分子束外延束源炉将原材料以预设密度的束流喷射至二维材料衬底的表面,使反应物以范德华外延模式...
神经元晶体管及其制备方法技术
本发明公开了一种神经元晶体管,包括:衬底,衬底形成有沟道区、源区和漏区,源区和漏区分别设置在沟道区的两端;分别形成在源区和漏区上的源电极和漏电极;第一栅介质层,覆盖在沟道区上;多个相变内栅,设置在第一栅介质层上,每个相变内栅适用于用做记...
一种基于微谐振腔的多微波本振源产生装置制造方法及图纸
本公开提供了一种基于微谐振腔的多微波本振源产生装置,其特征在于,包括:分束器,用于将泵浦光进行分束处理,得到第一泵浦光及第二泵浦光;第一微谐振腔,用于将第一泵浦光进行四波混频处理,得到第一光学频率梳,其中,该第一光学频率梳具有第一频率间...
一种基于多芯光纤的多路光延时系统技术方案
本发明提供一种基于多芯光纤的多路光延时系统,包括:阵列光发射及复用模块,用于产生经过复用的多波长光载波;延时及解复用模块,包括多芯光纤(4)和解复用组件(5);多芯光纤用于产生多路延时;解复用组件用于将特定波长的光信号从经过复用的多波长...
基于光学频率梳的下变频装置及下变频方法制造方法及图纸
本公开提供一种基于光学频率梳的下变频装置及下变频方法,该装置包括:第一光学频率梳模块和第二光学频率梳模块,第一光学频率梳模块和第二光学频率梳模块分别用于输出第一光学频率梳和第二光学频率梳;强度调制器,用于接收微波信号和第二光学频率梳,并...
氯化铷掺杂的钙钛矿、钙钛矿太阳能电池及其制备方法技术
本公开了一种氯化铷掺杂的钙钛矿、钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其中,该氯化铷掺杂的钙钛矿包括钙钛矿主体和(PbI2)2RbCl,其中(PbI2)2RbCl的XRD特征峰位于11.3
一种光电混合集成芯片制造技术
本公开提供了一种光电混合集成芯片,包括:衬底;凹槽,开设于衬底的上表面;第一光子集成元件和第二光子集成元件设置于衬底上,且位于凹槽的两侧;凹槽靠近第一光子集成元件和第二光子集成元件的侧面之间的夹角大于0
一种氮化镓基激光器制造技术
本公开提供了一种氮化镓基激光器,包括:衬底;缓冲层,制作在衬底的上表面;下限制层,制作在缓冲层的上表面;In
带间级联激光器外延结构、激光器、芯片及制备方法技术
本公开提供了一种带间级联激光器外延结构,所述带间级联激光器外延结构包括在衬底上依次生长的缓冲层、下超晶格包层、下分别限制层、有源层、上分别限制层、上超晶格包层和盖层,所述盖层采用厚度大于10nm,且与所述衬底材料晶格匹配的单一成分的材料...
紧凑型直接数字式频率合成器及正弦数据压缩方法技术
本公开提供一种紧凑型直接数字式频率合成器,包括:相位生成模块,用于对选取的频率控制字进行循环求和累加,得到完整周期的相位数据;正弦波生成模块,与所述相位生成模块相连,用于将相位数据转换成完整周期的数字正弦波数据;数模转换模块,与所述正弦...
提高薄膜厚度均匀性的制备方法技术
本公开提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法及其薄膜,其中,本公开的一个方面提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法,包括:利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长薄膜籽晶层,得到具有薄膜籽晶层的衬底;通过不同于脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具...
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