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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
透射光谱系统技术方案
本实用新型提供了一种透射光谱系统,包括第一输出装置,用于输出激光;第二输出装置,用于输出第一准直光;第二分光镜,设置在激光和准直光束的光路上,用于透射激光和反射第一准直光,得到第一光,第一光包括激光和第二分光镜反射的第一准直光;聚焦装置...
Σ-Δ型模数转换器制造技术
本公开提供一种∑
主被动成像探测系统及方法技术方案
本发明公开了一种主被动成像探测系统,包括:主动探测分系统,用于生成射频功率信号,包括:主动信号处理分机,用于生成中频发射信号;主动变频分机,与主动信号处理分机相连,用于对中频发射信号进行上变频处理,得到射频发射信号;主动射频前端分机,与...
一种硅基III-V族半导体材料的制备方法技术
本发明提供一种硅基III
图像感知芯片制造技术
本发明公开了一种图像感知芯片,包括:衬底;光电探测器阵列,包括形成在衬底上的多个光电探测器;其中,通过调节多个光电探测器的光响应度,以使多个光电探测器识别待识别图像时叠加输出相应的光电流。通过调节光电探测器阵列中的每个光电探测器的光响应...
一种复用变频系统技术方案
一种复用变频系统,包括:输入输出调理电路,适用于对中频发射信号进行调理,得到第一调理信号,以及对射频接收信号进行调理,得到第二调理信号;光电混合信号源,适用于发出光本振信号、上变频本振信号和高本振信号;微波上变频链路,适用于根据上变频本...
一种钙原子束光钟的原子束流准直特性的测量装置及方法制造方法及图纸
本申请公开了一种钙原子束光钟的原子束流准直特性的测量装置及方法。测量方法为:利用电动位移平台系统,对探测激光与钙原子共振跃迁的辐射荧光信号进行扫描测量,得到原子束流发射路径上不同位置的钙原子分布,实现原子束流准直特性的测量,包括束流发散...
晶圆级光互连与交换片上系统技术方案
本发明提供一种晶圆级光互连与交换片上系统,包括:片间交换模块,用于实现片间互连,包括第一激光阵列和至少两组片间互连波导;片内计算存储模块,用于片内节点数据的接收、存储、计算和发射,包括第二激光阵列和第二光电收发引擎;中央交换节点模块,与...
片上光电收发引擎制造技术
一种片上光电收发引擎,包括:发射单元,用于将串行数字电信号调制转变为并行输出的多路光信号,包括依次连接的第一串并转换器、微环控制驱动、微环调制器和发射波导,以及连接发射波导输入端的激光阵列,微环调制器为至少两个,微环控制驱动和发射波导均...
基于波分复用的片上光电收发引擎制造技术
本发明提供一种基于波分复用的片上光电收发引擎,包括:发射单元,用于将第一数字电信号转换为光信号,包括依次连接的第一串并转换器、微环控制驱动、微环调制器和发射波导,以及连接所述发射波导输入端的激光器,所述微环控制驱动为至少两个,所述微环调...
光谱探测器及其制备方法技术
本公开涉及了一种光谱探测器及其制备方法,其中光谱探测器包括:光电转换部,设置成对红外波段光进行光电转换;隔离层,设置于光电转换部上,用于电隔离;以及转移层,设置于隔离层上,以吸收来自于外部的紫外光和可见光并转换为所述红外波段光,使得所述...
反转型太赫兹光电探测器及其制备方法技术
本公开提供一种反转型太赫兹光电探测器,包括:衬底,依次叠设于衬底上的缓冲层、第一势垒层、反转型超晶格吸收层、第二势垒层、盖层;其中,反转型超晶格吸收层包括周期性交叉叠设的InAs层和GaSb层,每一周期内叠设的InAs层GaSb层厚度需...
新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法技术
一种新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法,该高速光电探测器包括:基底,材料为三维材料硅;介电层,形成于基底表面上;有源层,材料为二维材料硒化亚锗,设于基底表面与介电层表面的相邻区域上;源电极,设于有源层与介电层的相邻区域上...
掩埋结构半导体激光器及其制备方法技术
本公开提供了一种掩埋结构半导体激光器,包括:衬底(10)、缓冲层(20)、有源层(30)、盖层(40)、掩埋结构(70)及接触层(80);缓冲层(20)、有源层(30)、盖层(40)自下而上生长于衬底(10)上,被刻蚀至衬底(10),形...
掩埋结构半导体激光器及其制备方法技术
本公开提供了一种掩埋结构半导体激光器,包括:衬底、缓冲层、有源层、盖层、接触层及掩埋层;衬底设于底部,接触层设于顶部,缓冲层、有源层、盖层自下而上设于衬底和接触层之间,两侧被掩埋层掩埋;缓冲层、有源层、盖层均分为激光器区域和模斑转换器区...
紫外LED模组制造技术
本发明提供了一种紫外LED模组,包括:若干紫外LED模块、基板、匀光薄膜、变阻器、定时开关和电源,若干紫外LED模块设在基板上,匀光薄膜覆盖若干紫外LED模块,紫外LED模块与变阻器、定时开关和电源电连,变阻器电阻可调以便调节紫外LED...
一种提高空穴注入的氮化镓基激光器制造技术
本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器,包括P型电极和N型电极,还包括:第一限制层,设置于所述P型电极和所述N型电极之间,用于限制光场;多量子阱,设置于所述第一限制层与所述N型电极之间,用于使电子和空穴在此处发生辐射复合发光;空穴...
超对称半导体激光器及其应用制造技术
本公开涉及了一种超对称半导体激光器及其应用,其中超对称半导体激光器包括:主阵列,主阵列的至少一部分的波导层具有有源区,以提供增益促使基横模激射;以及超配对阵列,设置于主阵列的旁侧,由超对称变换得到超配对阵列,超配对阵列的波导层为无源区,...
量子级联激光器的封装装置制造方法及图纸
本公开提供一种多波长量子级联激光器封装装置,包括:散热鳍片;半导体热电制冷器,安装在散热鳍片上;热沉,安装在半导体热电制冷器上;多个波长不同的量子级联激光器,安装于热沉上,用于发射不同波长的激光;测温组件,用于测量量子级联激光器的工作温...
单片集成光收发芯片及其制备方法技术
本公开提供了一种单片集成光收发芯片及其制备方法,该芯片包括:衬底、无源波导层、激光器材料层、探测器材料层和接触层,从下至上分布;无源波导层包括无源波导区、激光器区和探测器区;无源波导区包括合/分波器、第一连接波导、第二连接波导和输入/输...
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