本发明公开了一种双激光裂片方法和装置，该方法和装置为对脆性材料进行裂片的方法和装置，利用超短脉冲激光束的高峰值功率和“冷加工”的特点在材料非线性吸收，使得材料的局部位置发生爆破，形成微裂纹实现材料改质，然后利用短脉冲激光束或连续激光束的...

本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：将连接层转移至第一衬底上或在第一衬底上制备连接层，其中，连接层为至少一层且每层为具有单原子或单分子厚度的层状二维材料，连接层的层间原子间通过范德华力结合，和/或连接层与第一衬底...

本发明公开了一种用于神经调控的光电集成模块，包括：人造颅骨单元，用于为神经监测提供光学窗口，人造颅骨单元包括柔性透明薄膜制成的颅骨盖；柔性光学刺激阵列单元，柔性光学刺激阵列单元贴附于人造颅骨内侧，柔性光学刺激阵列单元包括若干光刺激点和记...

本发明提供一种用于增加点阵密度的点阵投影成像系统及方法，用于增加点阵密度的点阵投影成像系统包括：投影模块用于投射点阵激光；角度调节模块用于调节点阵激光的光线角度；控制模块用于控制角度调节模块以预设的偏移角度进行旋转；成像模块用于获取角度...

一种背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法，包括：衬底、π型层、p型层、n

本发明公开了一种光纤放大器，包括：导热管；缠绕光纤，包括至少一路光纤，光纤缠绕在导热管的外壁上，光纤包括输入端和输出端，输入端输入初始光信号；激光阵列，包括至少一个泵浦光源，均匀环绕在导热管周围，泵浦光源发射泵浦光对缠绕光纤进行照射，泵...

本发明公开了一种光电器件，包括：衬底，衬底为P型重掺杂或N型重掺杂的Ge金属；绝缘层，形成在衬底一侧的部分表面上；GeSe二维材料层，自衬底的部分表面延伸至绝缘层上，GeSe二维材料层包括至少一片GeSe薄膜，配置为响应于光而产生光生载...

本发明提供一种亲子沟通引导方法、装置及电子设备，该方法包括：获取语音采集装置采集的语音信号；对语音信号进行声学特征识别，基于识别出的声学特征确定说话人身份信息；对语音信号进行语音识别，得到说话人身份信息对应的语音内容；对语音信号进行音量...

本发明公开了一种InP半导体激光器的制作方法，包括：在InP衬底上生长第一外延层；在第一外延层上生长InP间隔层、光栅层；在光栅层上生长包括InP填充层、刻蚀停止层、InP包层及InGaAs盖层的第二外延层；刻蚀InP包层、InGaAs...

本发明提供一种水下光电探测阵列，包括：衬底和光电晶体管。多个所述光电晶体管集成到所述衬底上，光电晶体管包括：栅电极，设置于所述衬底之上；介质层，覆盖于所述栅电极表面；掺杂纳米线，设置于所述介质层之上，适用于俘获光电子并将俘获的光电子贮存...

本发明提供一种推荐信息确定方法、装置及电子设备，该推荐信息确定方法包括：采集目标儿童的成长数据；基于该成长数据，利用设定的推荐算法对儿童成长模型进行分析，得到用以指示目标儿童的成长发展方向的目标推荐信息并显示，儿童成长模型用于对输入的成...

本发明提供一种台灯光线自动调节方法、装置、电子设备及存储介质，本发明通过实时采集人体姿态信息通过姿态估计获得人头部的注意力中心点，进而通过注意力中心点的位置对台灯光线的中心点的位置进行调整。与此同时，还通过对环境光线的参数采集，结合多情...

本公开提供一种超宽带功率放大器，包括：晶体管M1，源极接地，栅极作为输入端，漏极作为输出端；输入匹配电路，接收射频输入信号，用于将功率放大器的输入阻抗与射频源的输出阻抗匹配；栅极偏置电路，用于对晶体管M1的栅极进行直流供电，控制晶体管M...

本公开提供一种隧道级联多有源区半导体激光器的制备方法，包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长第一发光区；在所述第一发光区上生长第一反偏的PN结构；在所述的第一反偏的PN结构上生长第二发光区；在所述第二发光区上生长第二反偏的PN结构...

本发明提供一种视频关键帧标识方法及装置，其中，该方法包括：获取视频数据，所述视频数据包括多帧图像，根据所述前后帧图像之间的相似度或/和根据音频变化信息确定关键视频帧，根据所述关键视频帧将视频数据分为多个视频段；解析所述视频段是否显示有预...

本发明公开了一种采用激光清除光盘数据的清洗装置和方法，装置包括：激光器，用于发出激光；一维振镜，用于偏转激光至待处理的光盘上，并控制激光在光盘上的轨迹呈线状；夹具，用于夹持固定待处理的光盘；电机，电机的输出轴与夹具连接，电机的输出轴与夹...

本发明公开了一种用于复合材料层板挖补修复的损伤层激光剥除方法，复合材料层板包括多层纤维丝复合而成，剥除方法包括：对复合材料层板进行探测，获得损伤区域的中心位置和损伤深度；根据复合材料层板单层的厚度和损伤深度计算获得复合材料层板需要剥除的...

一种磷化铟基波导探测器及其制备方法，该探测器包括：磷化铟衬底；沉积于所述磷化铟衬底上的外延结构层，外延结构层包括：第一欧姆接触层，形成于磷化铟衬底上；强化吸收层，形成于第一欧姆接触层上，强化吸收层形成包层

本公开提供一种硅光电倍增管，可用于光电探测技术领域，硅光电倍增管包括：衬底，由P型低阻硅构成；外延层，形成于衬底的表面，外延层由p型高阻硅构成；多个N

本发明公开了一种光发射器，包括：基板；半导体制冷组件，设置在基板上；发光组件，安装在半导体制冷组件上，使得半导体制冷组件对发光组件降温，发光组件被构造成产生激光束；管壳，安装在基板上，以封装半导体制冷组件和发光组件；光纤，适用于将发光组...