中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本发明公开了一种温度传感器的校准装置,包括:信号屏蔽装置,信号屏蔽装置具有第一容纳腔,信号屏蔽装置将第一容纳腔的信号和信号屏蔽装置外侧的信号进行电隔离;恒温装置,设置于第一容纳腔内,恒温装置被构造为六面体,恒温装置的每个外表面具有相同的...
  • 本公开提供了一种基于光声谱气体探测的微波检测方法,包括:微波信号发生电路控制信号发射电极产生扫频微波信号,扫频微波信号入射至气室,信号接收电极接收经过气室的微波信号,信号处理电路分别获得信号发射电极和信号接收电极的初始微波信号的特征数据...
  • 本发明公开了一种垂直磁各向异性磁隧道结,包括:自旋霍尔通道层,具有横向不对称设计,用于产生自旋流和垂直于自旋霍尔通道层的奥斯特磁场,自旋霍尔通道层的两端与电极电连接,在电极施加电流的情况下,自旋霍尔通道层中的电流密度在垂直于电流的方向上...
  • 一种基于动态视觉和灰度脉冲传感器的片上脉冲图像处理系统,包括:片内外数据交互模块,用于获取来自片外存储器的数据;系统微控制模块,用于响应来自片外存储器的数据来生成控制信号;传感模块,用于响应所述控制信号和光的强度量生成动态视觉像素数据和...
  • 本公开提供了一种光电探测器,包括:衬底、N型接触层、收集层、悬崖层、吸收层、电子阻挡层、P型接触层、钝化层、第一通孔、第二通孔、p型电极、n型电极和微透镜,钝化层生长于衬底的上表面、N型接触层的上表面和侧面、收集层和悬崖层的侧面、吸收层...
  • 本发明提供一种3D图像采集系统及方法,系统包括:点阵投射设备、TOF成像设备、数据处理设备,TOF成像设备与点阵投射设备相连,与数据处理设备相连,点阵投射设备用于向待采集物体投射第一均匀点阵;调整参数后的点阵投射设备投射第二均匀点阵;T...
  • 本公开提供了一种利用气液柱进行加强的植入式柔性神经微电极,包括:自上而下紧密接合的柔性层、记录电极层及柔性绝缘层;其中,柔性层包括:柔性外壳、空腔及气液体注入口,其中,柔性外壳内部形成空腔,气液体注入口与空腔连接;记录电极层包括:多个电...
  • 本发明提供一种高灵敏红外光谱传感器及其制作方法,其中,所述高灵敏红外光谱传感器包括:集成的阵列排布的多个红外光传感器单元和阵列排布的多个红外滤光膜单片;其中,每个所述红外光传感器单元的表面覆盖有一个所述红外滤光膜单片,所述多个红外滤光膜...
  • 本发明提供一种青少年儿童脊柱监测方法、装置、电子设备及存储介质,其中方法包括:将青少年儿童脊柱的待测影像数据输入至预设脊柱监测模型的预设参数编码模块,获取青少年儿童脊柱的潜姿势参数;将潜姿势参数输入至预设脊柱监测模型的预设姿势识别模块,...
  • 本发明提供一种图像采集方法、装置、存储介质和程序产品,其中,所述图像采集方法通过图像采集设备采集图像;对所述图像进行图像识别,确定目标用户在所述图像中的初始位置;在确定所述初始位置未处于所述图像中的预设位置的情况下,控制所述图像采集设备...
  • 本公开提供了一种MOS器件的沟道迁移率和光刻变化量的检测方法,包括:制备第一MOS器件和第二MOS器件;根据第一MOS器件线性区的导通电阻R1和第二MOS器件线性区的导通电阻R2,得到两者之间的差值ΔR1;根据第一栅沟槽的个数、单位长度...
  • 一种光栅激光器及制备方法,该光栅激光器包括:InP衬底;InP缓冲层,形成于InP衬底的一侧;下限制层,形成于InP缓冲层上;多量子阱层,形成于下限制层上;上限制层,形成于多量子阱层上;InP间隔层,形成于上限制层上;刻蚀停止层,形成于...
  • 本实用新型提供一种超宽带功率放大器,包括:晶体管M1,源极接地,栅极作为输入端,漏极作为输出端;输入匹配电路,接收射频输入信号,用于将功率放大器的输入阻抗与射频源的输出阻抗匹配;栅极偏置电路,用于对晶体管M1的栅极进行直流供电,控制晶体...
  • 本公开提供了一种波导探测器集成芯片,包括:衬底、模斑转换器和波导探测器;衬底包括相邻的模斑转换区域和探测区域,模斑转换器设置于模斑转换区域,波导探测器设置于探测区域;模斑转换器和波导探测器相接触;模斑转换器包括芯层,波导探测器包括吸收层...
  • 本发明公开了一种脑电信号自适应压缩重建方法,包括:将脑电信号进行预处理和离散余弦变换处理,得到离散余弦变换结果;选取离散余弦变换结果的多点作为主成分并将主成分输入到训练完成的神经网络中;利用训练完成的神经网络对主成分进行解压缩,得到压缩...
  • 本发明公开了一种掩埋结构半导体激光器的制作方法,包括:在InP衬底上形成第一外延层,第一外延层适用于产生激光;在第一外延层上依次外延生长InP包层、InGaAs盖层;刻蚀InP包层、InGaAs盖层,以由InP包层和InGaAs盖层形成...
  • 本公开提供一种低功率损耗半导体激光器及制备方法,器件包括:半导体衬底层,以及依次叠设外延于半导体衬底层上的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层和欧姆接触层;P型限制层包括叠设的第一P型子限制层和第二P型子限制层,第一P...
  • 本发明公开了一种单晶纳米线偏振光探测器的制备方法,包括:生长锑铋硫单晶材料;剥离锑铋硫单晶材料,将锑铋硫单晶材料剥离成锑铋硫单晶纳米线并转移至衬底上;在锑铋硫单晶纳米线两端制备电极,得到单晶纳米线偏振光探测器。本发明将具有各向异性的锑铋...
  • 本发明提供一种心理咨询推荐方法及装置,方法包括:采集目标对象的面部信息和肢体信息;将所述目标对象的面部信息和肢体信息输入心理评估模型,得到所述心理评估模型输出的所述目标对象的心理状态;其中,所述心理评估模型用于提取所述目标对象的表情和姿...
  • 一种基于受激布里渊散射放大的随机信号生成装置及方法,该随机信号生成装置包括:泵浦增益模块;第一可调谐激光器;第一相位调制器;第一光耦合器;环形器;非线性光纤;光滤波器;光电探测器;以及功分器。本发明还提供了利用该随机信号生成装置的随机信...