本发明公开了一种GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线，其中，该制备方法包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有金属薄膜层的复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN纳米线。长GaN...

本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了...

一种基于传感光纤的分布式扰动测量方法、扰动测量系统，该分布式扰动测量方法包括：将探测光信号输入被施加有外部扰动的待测传感光纤中，得到带有外部扰动信息的背向散射光信号；将背向散射光信号与本振光信号进行拍频，得到拍频信号；利用滑动窗口对拍频...

本发明提供一种跷跷板加速度计及其制备方法，制备方法包括：采用阳极键合工艺，将硅

本发明提供一种肖特基势垒二极管及其制备方法，肖特基势垒二极管包括：异质结，异质结包括依次叠加的氮化镓层，石墨烯插入层和势垒层；其中，石墨烯插入层用于提高氮化镓层与势垒层之间的二维电子气迁移率。本发明提供的肖特基势垒二极管突破了GaN材料...

本公开提供了一种改变激光扫描分辨率的异形透镜组件，包括：平板透镜，其包括相对设置且相互平行的第一平面及第二平面；N个第一直角透镜，位于平板透镜的第一平面；其中，每个第一直角透镜对应一束激光扫描光线，用于将与其对应的激光扫描光线进行聚焦透...

本公开提供了一种基于漫反射激光外差相干的原位密度测量装置和方法，该装置包括：激光器，用于产生探测激光；外差相干模块，设于激光器之后，用于将探测激光分为测量光和参考光，使测量光穿过透射式漫反射介质密度测量模块探测待测介质，测量光的返回光与...

本公开提供一种基于VR技术的元宇宙物体材质构建方法及装置，涉及虚拟现实技术领域。该方法包括：使用仿生触觉传感器获取表征真实物体材质信息的模拟信号；采集模拟信号，将模拟信号量化为元宇宙中材质空白的虚拟物体所需的数字信号；将数字信号作为虚拟...

本公开的实施例提供了基于光纤电流传感器的电流获取方法、装置及设备。所述方法包括：获取所述光纤电流传感器针对被测对象所测的电流初始值；获取所述光纤电流传感器所处的当前环境温度；根据所述电流初始值和所述当前环境温度，获取电流补偿系数；根据所...

一种前置放大的光探测器及其制备方法、光电探测装置，其中前置放大的光探测器包括：衬底，包括依次邻接的放大区域、无源区域和探测区域；光放大模块，设置于衬底上的放大区域，用于增强光信号的功率，并包括第一芯层；无源波导，设置于衬底上的无源区域和...

本公开提供了一种基于铁电多栅硅基的杂质原子晶体管及其制备方法。该杂质原子晶体管包括：硅衬底；氧化物绝缘层，设置于硅衬底上；源区硅电导台面、漏区硅电导台面、硅纳米线沟道，分别设置于氧化物绝缘层上表面，硅纳米线沟道的两端分别与源区硅电导台面...

本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括：衬底；沟道层，形成在衬底上，沟道层上形成有向下凹陷的台面；势垒层，形成在沟道层的未形成有台面的区域上，势垒层适用于在沟道层内极化产生二维电子气层；p型基区，形成在势垒层上的部分区域；n型发射区，...

本公开提供了一种微波频率测量系统包括：幅度测量模块，用于将待测微波信号调制在连续宽谱光波信号上，生成调制信号，以及，将所述调制信号分为上路调制信号和下路调制信号，分别引入第一延时和第二延时后，转换为第一电信号与第二电信号；频率测量模块，...

本发明公开了一种红外探测器，包括：N型硅衬底；光吸收层，设置于N型硅衬底上的部分区域，适用于吸收入射光；P型掺杂层，设置于光吸收层上，P型掺杂层设置有一凹陷区，凹陷区暴露光吸收层；光栅结构，设置于凹陷区内，光栅结构和P型掺杂层都与光吸收...

本发明公开了一种集成端面耦合器的硅基片上光源，包括倒脊型波导硅基激光器和端面耦合器。其中，倒脊型波导硅基激光器包括：衬底，衬底通过矩形槽形成位于衬底中段的梁，和位于衬底两端的第一平面和第二平面，第一平面设有连通沟槽；倒脊型波导微米线，倒...

本公开提供了一种日盲紫外通讯探测器，包括：硅片衬底；多组宽禁带半导体纳米带，设于硅片衬底上，每组数量为2，相互串联且呈90

一种四通道射频信号传输装置及信号传输系统，该四通道射频信号传输装置包括：介质基板，包括相对设置的第一表面和第二表面，以及相对设置的第一侧面和第二侧面；传输组件，包括四个射频微带线，四个所述射频微带线间隔设置于所述第一表面上，所述传输组件...

本发明公开了一种硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片，硅基氮化镓外延层的生长方法包括：将硅基衬底放入反应室中；在硅基衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化镓铝缓冲层；在氮化镓铝缓冲层上生长氮化镓铟插入层；在氮化镓铟插入层上...

本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的...

本发明涉及半导体激光器技术领域，特别公开了一种半导体激光器阵列结构。它包括边缘发光单元和中心发光单元，在总的发光面积不变的情况下，所述边缘发光单元和中心发光单元进行同样的变形，所有中心发光单元的面积相同且小于边缘发光单元的面积，内侧的边...