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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
一种CMOS兼容硅衬底上的III-V族化合物材料生长方法技术
本公开提供了一种CMOS兼容硅衬底上的III
一种空穴自旋量子比特的制备方法技术
本发明提出一种空穴自旋量子比特的制备方法,该方法包括以下两个步骤:基于CMOS工艺制备倾斜量子阱结构,通过控制倾斜角度以实现生长[110]方向量子阱,量子阱结构为P型掺杂锗量子阱;基于电偶极矩自旋共振(EDSR)技术在量子阱结构中制备二...
半导体激光器温控电路制造技术
本公开提供一种半导体激光器温控电路,包括:半导体制冷器,用于为半导体激光器降温;功率放大模块,与半导体制冷器相连,用于给半导体制冷器提供驱动电流;温控PID电路,与所述功率放大器模块相连,用于控制所述驱动电流;以及可编程的数字电位计模块...
产生深紫外激光的装置制造方法及图纸
本公开涉及了一种产生深紫外激光的装置,包括:固体激光器,提供持续稳定的激光;聚焦透镜,用于对固体激光器射出的激光进行聚焦;氮气腔室,聚焦透镜设置于氮气腔室外侧,氮气腔室被构造成提供氮气环境;非线性超表面,设置在氮气腔室内,具有三阶非线性...
一种沟槽MOS结构的侧壁电容的提取方法技术
一种沟槽MOS结构的侧壁电容的提取方法。包括步骤1:确定待测的沟槽MOS结构与预先制备的两组沟槽MOS结构的总电容
可调谐宽带随机光电振荡器制造技术
本发明提供一种可调谐宽带随机光电振荡器,包括:激光源1,用于产生连续激光;强度调制器2、光环形器7、光滤波器8、光放大器9、光电探测器10、电滤波器12及电放大器13依次连接构成的正反馈环路,正反馈环路用于接收连续激光以产生微波信号,并...
一种激光器光源系统技术方案
本实用新型提供一种激光器光源系统,包括:集成板装置,包括:铜板,设置有多个台阶,多个所述台阶整体呈阶梯状;多个激光光源,设置于多个所述台阶上,且每个所述台阶设置有一个所述激光光源;所述激光光源用于两端发射激光,分别形成第一光路与第二光路...
用于多辐照度定时照射的实验装置制造方法及图纸
本实用新型提供了一种用于多辐照度定时照射的实验装置,该实验装置包括:架体,内置有工作腔,所述架体有一开口面;至少一个发光件,设置在所述工作腔内的顶部;两个第一滑槽,以第一高度开设于所述架体相对的两个壁面上,并从所述开口面沿向所述工作腔内...
一种半导体光放大器芯片制造技术
本发明公开了一种半导体光放大器芯片,包括依次层叠设置的如下组成部分:下(N面)电极层、衬底、缓冲层、无源波导层、掩埋异质有源区、掩埋倾斜波导层、盖层和上(P面)电极层;掩埋倾斜波导层包括:条形倾斜波导、锥形倾斜波导,其中,所述锥形倾斜波...
显微角分辨光谱测量系统技术方案
本实用新型提供一种显微角分辨光谱测量系统,包括显微物镜与收集模块。待测样品位于显微物镜的焦点处,收集模块依次包括第一凸透镜、空间滤波孔、第二凸透镜,空间滤波孔位于第一凸透镜与第二凸透镜的共同焦点处,显微物镜有效焦距f1、第一凸透镜焦距f...
空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法技术
本发明提出一种空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法,该方法在传统锗量子阱结构的基础上在界面处插入了一个或多个硅原子层,能够获得一个数量级提升的空穴线性Rashba自旋劈裂。本发明还提供了一种超晶格势垒替代硅锗合金势垒构建锗量子...
一种孤子光电振荡器系统技术方案
本公开提供了一种孤子光电振荡器系统,包括:激光光源、相位调制器、双通带陷波滤波器、光信号延时器、光探测器、放大器及无源功分器;其中,激光光源、相位调制器、双通带陷波滤波器及光探测器构成了一个双通带微波光子滤波器,用于选择该孤子光电振荡器...
多模式光路由单元制造技术
本发明提供了一种多模式光路由单元,包括:两个多模耦合分束器件,每个多模耦合分束器件具有4个端口;两个多模移相器;多模波导交叉结构,多模波导交叉结构具有4个端口;一多模耦合分束器件的其中3个端口分别通过两个多模移相器和多模波导交叉结构的其...
LED芯片结构及其制备方法技术
本公开提供了一种LED芯片结构及其制备方法,该LED芯片结构包括:衬底、外延层、PN电极层和感光显影层,外延层形成于所述衬底的表面上;PN电极层形成于所述外延层的表面上,且位于所述外延层表面的两端;感光显影层覆盖所述衬底和所述外延层的剩...
采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法技术
本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器,包括:P型衬底;在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层;在P型限制层上形成有P型波导层;在P型波导层上形成有有源层;在有源层上形成有N型波导层,N型波导层的厚度大于P型波...
一种半导体激光器制造技术
本公开提供了一种半导体激光器,包括:过渡热沉;散热结构,设置于过渡热沉的上表面,散热结构的横截面为梯形,梯形的下底与过渡热沉的上表面相接触;半导体激光器管芯,包括有源区,半导体激光器管芯设置于散热结构的上表面,半导体激光器管芯的下表面的...
近-远红外宽光谱超晶格探测器制造技术
本发明公开了一种近
基于光芯粒的微波光子片上系统技术方案
一种基于光芯粒的微波光子片上系统,该微波光子片上系统包括硅衬底基板,若干沟槽,设置在硅衬底基板上;以及光芯粒,设置在沟槽内,相邻的光芯粒之间通过聚合物波导连接。本发明采用了基于聚合物波导的光子引线键合方法,实现了不同材料体系光芯片的低损...
数据模拟装置及方法制造方法及图纸
本公开提供一种数据模拟装置及方法,装置包括:可编程逻辑器件,用于实现至少一种接口协议,以根据接口协议分别对模拟数据和测试数据进行发送和接收,其中,模拟数据包括第一数据和第二数据,第一数据的传输速率小于第二数据的传输速率;至少一个第一接口...
时间分辨布里渊光谱系统技术方案
一种时间分辨布里渊光谱系统,包括:准粒子激发装置,以在样品局部激发准粒子;激光光源,用于产生激光,激光聚焦于样品的目标位置上并与准粒子发生布里渊散射,产生布里渊散射光;法布里
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