【技术实现步骤摘要】
基于光芯粒的微波光子片上系统
[0001]本专利技术涉及微波光子学
,具体涉及一种基于光芯粒的微波光子片上系统。
技术介绍
[0002]随着光芯片制造工艺的日趋成熟,基于不同材料体系的光子集成芯片有其独特的优势和不足,例如:三五族材料属于直接带隙半导体,可用于外延生长激光器、半导体光放大器等有源器件,但是由于涉及到多层外延生长,器件及波导传输损耗和工艺制作难度较大:硅、氮化硅等材料化学性质比较稳定,因而制作的器件及波导传输损耗很低,制作周期相对较短,但是无法用作发光器件的制作。
[0003]集成微波光子学应用多种光学器件进行光、电信号的处理,其发展的方向主要有,基于同一材料平台单片集成,通过在工艺上寻求改善,突破材料体系的限制、提升原有器件的性能,这种方案时间成本较高,而且灵活性受到限制,即芯片某部分的工艺缺陷将致使整个系统性能的不达标;基于片间耦合的异质材料混合集成,这种方案的优点是充分利用了各个平台的特有优势,带来的问题是基于不同材料的波导在直接耦合时由于光场模斑尺寸有较大差异,大大降低耦合效率,带来了较大 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于光芯粒的微波光子片上系统,包括:硅衬底基板;若干沟槽,设置在硅衬底基板上;以及光芯粒,设置在沟槽内,相邻的光芯粒之间通过聚合物波导连接。2.根据权利要求1所述的微波光子片上系统,其特征在于,所述光芯粒为分立芯片。3.根据权利要求1所述的微波光子片上系统,其特征在于,所述光芯粒采用激光隐形切割的方法获得。4.根据权利要求1所述的微波光子片上系统,其特征在于,根据光芯...
【专利技术属性】
技术研发人员:李明,张国杰,金烨,石暖暖,李伟,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:
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