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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
单片集成窄线宽耦合腔半导体激光器制造技术
本发明提供了一种单片集成窄线宽耦合腔半导体激光器,该单片集成窄线宽耦合腔半导体激光器,包括:N面电极;下接触层,形成在N面电极上;N型衬底,形成在下接触层上;耦合腔,形成在N型衬底上,其中,耦合腔包括回音壁型微腔和FP型微腔;其中,回音...
模斑转换器及其制备方法技术
本公开提供了一种模斑转换器,应用于半导体技术领域,包括:自下而上依次设置的衬底层、下包层、第一波导层、中包层、第二波导层和上包层,第一波导层包括依次沿长度方向连接的第一波导部分、第二波导部分和第三波导部分,第一波导部分,用于接收光信号,...
碲纳米线垂直阵列的生长方法技术
本发明公开了一种碲纳米线垂直阵列的生长方法,包括:将碲粉放置于石英管中作为前驱体源;将所述石英管放置在管式炉中,所述碲粉位于所述管式炉的升温区;清洗衬底并干燥,将清洗干燥后的衬底固定于所述石英管中作为沉积材料,所述衬底位于所述管式炉的降...
激光器的制备方法及激光器技术
本公开提供了一种激光器的制备方法及激光器,其制备方法包括:提供衬底。在衬底上形成包括未混杂的有源区的外延层。在外延层上的部分区域形成至少一层混杂层,用于提供目标离子。在混杂层和外延层上的裸露区域上形成抑制层,以抑制未被混杂层覆盖的外延层...
微波、红外双隐身复合材料制造技术
本发明公开了一种微波、红外双隐身复合材料,自上而下依次包括:红外屏蔽及透波层,包括:第一衬底;多个第一频率选择表面单元,多个第一频率选择表面单元周期性排布在第一衬底上,第一频率选择表面单元用于透过微波且屏蔽红外线;至少两个微波吸收层,用...
相干光谱测量系统及测量方法技术方案
本发明提供一种相干光谱测量系统,包括:第一激光模块,适用于产生周期性光脉冲序列;第二激光模块,适用于输出光信号;时域拉伸模块,与所述第一激光模块的输出端连接,适用于对所述周期性光脉冲序列进行时域拉伸处理,输出周期性啁啾光脉冲;光混频模块...
加加速度测量装置制造方法及图纸
本公开提供了一种加加速度测量装置,应用于光纤测量技术领域,包括:光纤加加速度探头、微分Mach
一种光接收集成芯片制造技术
本公开提供一种光接收集成芯片,包括阵列波导光栅以及探测器阵列;阵列波导光栅包括多个输出波导;探测器阵列包括对应多个输出波导设置的多个探测器端口以及设于探测器端口与输出波导之间的多个第一波导结构;其中,第一波导结构包括呈相邻设置的锥形部以...
波长6微米的激光器的有源区和激光器制造技术
本公开实施例提供了一种波长6微米的激光器的有源区和激光器。该有源区包括:多个周期级联的子有源区;其中,每个周期的子有源区包括:第一注入区,第一注入区包括第一注入势垒;发光区,发光区包括:至少五个第一量子阱,位于上方的第一量子阱与第一注入...
加加速度计制造技术
本公开提供了一种加加速度计,应用于光纤传感技术领域,包括:ASE光源,所述ASE光源的输出端与第一耦合器的一端光纤连接,所述第一耦合器,所述第一耦合器的一端还与第一探测器和第二探测器输入端光纤连接,所述第一耦合器另一端与第二耦合器一端通...
硅基集成的外腔窄线宽激光器制造技术
本公开提供了一种硅基集成的外腔窄线宽激光器,包括:硅衬底,上表面为外延生长区;增益芯片,通过异质外延或异质键合于外延生长区的一端;多模干涉波导结构,外延生长于外延生长区内,输入端与增益芯片的反馈光端面相对;反射结构,设于外延生长区的一端...
一种提高空穴注入的氮化镓基激光器制造技术
本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器,包括P型电极和N型电极,还包括:第一限制层,设置于所述P型电极和所述N型电极之间,用于限制光场;多量子阱,设置于所述第一限制层与所述N型电极之间,用于使电子和空穴在此处发生辐射复合发光;空穴...
一种宽带宽阵列波导光栅制造技术
本发明提供一种宽带宽阵列波导光栅,包括阵列波导光栅以及第一波导结构;阵列波导光栅包括依次光路连接的输入波导以及输入平板波导;第一波导结构设于输入波导与输入平板波导之间,第一波导结构包括呈相对设置的初始端以及末尾端,初始端光路连接至输入波...
一种光电子集成器件及其制备方法技术
本公开提供一种光电子集成器件,包括:第一激光器(1);第二激光器(2);光电子集成芯片(3),第一激光器(1)、第二激光器(2)通过光子引线(4)与光电子集成芯片(3)实现光学连接和耦合。本公开还提供一种光电子集成器件的制备方法。本公开...
用于光模块封装的紫外胶固化时长的确定方法技术
本公开提供了一种用于光模块封装的紫外胶固化时长的确定方法,包括:S1,对需要封装的相同的N个器件分别通过紫外胶进行光路耦合,固化时用同一紫外光照射不同时长,固化后记录封装后N个器件光强的数值大小;S2,对固化后的N个器件分别进行同一机械...
危险材料检测装置制造方法及图纸
本公开提供了一种危险材料检测装置及其检测方法,该检测装置包括:红外激光光源(1),用于输出红外激光扫描待测物,以获取扫描待测物的目标信号和未扫描待测物的参考信号;同步模块(2),用于同步目标信号和参考信号的相位;处理模块(3),与同步模...
太赫兹波成像系统及方法技术方案
本公开提供一种太赫兹波成像系统及方法,系统包括:太赫兹探测器(A),用于探测太赫兹调制光信号,并利用解调信号对太赫兹调制光信号进行采样,得到采样信号;CSA积分模块(B),用于依次对采样信号进行积分放大,得到光电流信号;信号处理模块(C...
太赫兹波读出电路制造技术
本公开提供一种太赫兹波读出电路,包括:探测器模型(A),用于模拟输入的太赫兹调制光电流信号得到第一模拟信号,以及对第一模拟信号进行解调并采样得到采样信号;积分放大模块(B),用于对采样信号进行积分放大得到放大信号;积分信号采样模块(C)...
半导体微腔激光器制造技术
本发明公开了一种半导体微腔激光器,包括:N型电极层;衬底,设置于N型电极层上;微腔,其形状为弧边三角形,设置于衬底上;波导,连接于微腔角区;以及P型电极层,设置于微腔上。设置于微腔上。设置于微腔上。
掩埋异质结器件及其制备方法技术
本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法,该方法包括:在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层;在第一二氧化硅层上制作填充窗口;将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面,形成沟槽并填充掩埋材料;通过腐蚀形成辅助脊;第一掺杂层和...
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