【技术实现步骤摘要】
碲纳米线垂直阵列的生长方法
[0001]本专利技术属于低维纳米材料制备领域,尤其涉及一种碲纳米线垂直阵列的生长方法。
技术介绍
[0002]随着科技的进步和时代的发展,人们对电子器件的需求越来越高,为了更加适应人们的需求以及进一步发掘电子器件的潜力,微纳材料的性能进一步发掘和提高成为了如今的研究热点。常见的微纳材料有零维的量子点、一维的纳米线、二维的纳米片等。微纳材料特殊的尺寸结构使得微纳材料衍生了一些特殊的量子效应,适用于微纳器件的应用。
[0003]纳米线作为纳米材料的重要部分,被广泛的应用于力、热、声、光、电的研究。碲纳米线由碲原子的三元螺旋链依靠范德瓦尔斯力并列结合而成,碲晶体结构中螺旋链间作用力较小,晶格振动所需能量较小,螺旋链,链内结合形成共价键,电子在链内传输阻碍较小。这种结构使得碲纳米线具有优异的力学、热学、声学、电学性能,同时,碲纳米线带隙对应吸收近红外波,可应用于光通信领域。但由于碲纳米线自身尺寸较小、稳定性较差,以及大多数碲纳米线的制备工艺和目前常用的CMOS工艺不匹配,难以集成化应用,所以经常 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碲纳米线垂直阵列的生长方法,包括:将碲粉放置于石英管中作为前驱体源;将所述石英管放置在管式炉中,所述碲粉位于所述管式炉的升温区;清洗衬底并干燥,将清洗干燥后的衬底固定于所述石英管中作为沉积材料,所述衬底位于所述管式炉的降温区;将所述管式炉内的真空度抽至10
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20Pa,通入惰性气体,清除所述管式炉内残留的氧气;打开等离子体源激励所述惰性气体发生电离,形成等离子体,所述等离子体激发所述碲粉转化为小颗粒碲粉;以及加热所述管式炉,位于所述管式炉的升温区的所述小颗粒碲粉受热气化转移至所述管式炉的降温区并在所述衬底处进行沉积,生长出所述碲纳米线垂直阵列。2.根据权利要求1所述的生长方法,其中,所述衬底的一个表面的法线方向指向所述石英管的圆心,所述碲纳米线垂直阵列的生长方向朝向所述石英管的圆心。3.根据权利要求1所述的生长方法,其中,清洗所述衬底包括:依次用丙酮清洗20min、无水乙醇清洗20min、去离子水超声清洗20min。4.根据权利要求1所述的生长方法,其中,所述衬底的耐受温度大于300℃,优选地,所述衬底材料包括:硅、二氧化硅、云母、聚乙酰亚胺、碳纤维。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:王丽丽,李林林,沈国震,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:
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