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本发明公开了一种碲纳米线垂直阵列的生长方法，包括：将碲粉放置于石英管中作为前驱体源；将所述石英管放置在管式炉中，所述碲粉位于所述管式炉的升温区；清洗衬底并干燥，将清洗干燥后的衬底固定于所述石英管中作为沉积材料，所述衬底位于所述管式炉的降温区...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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