本发明涉及一种红外探测器，包括：衬底；沉积于所述衬底上的外延结构包括：P型掺杂缓冲层，形成于衬底上；长波红外单元，形成于P型掺杂缓冲层上，所述长波红外单元形成P

本发明公开了一种光探测器，包括：衬底；二氧化硅层，覆盖于衬底上；脊型波导结构，设置于二氧化硅层上，脊型波导结构包括：第一氮化硅层，设置于二氧化硅层上；石墨烯层，设置于第一氮化硅层上；绝缘层，设置于石墨烯层上，所述绝缘层上设有至少一对电极...

本公开提供一种太赫兹波TOF三维成像系统，包括：太赫兹像素阵列(A)，用于接收太赫兹波调幅信号并输出解调后的第一模拟信号；信号读出模块(B)，用于对第一模拟信号进行积分放大，得到积分信号，并将积分信号转换为数字信号；控制模块(C)，用于...

本发明提供了一种面发射半导体激光器，包括：衬底；位于衬底上的下分布反馈反射镜；下分布反馈反射镜的顶面一侧设置第一隔离层和第一电极，另一侧设置有源层、上分布反馈反射镜、第二隔离层和第二电极；第一隔离层位于第一电极和下分布反馈反射镜之间，第...

本发明提供了一种量子级联激光器，包括N个单路量子级联激光器、金反射镜和N

本公开提供了一种面发射激光器及其制作方法，面发射激光器包括一悬浮型光栅，悬浮型光栅的制作方法包括：S1，在衬底上依次形成牺牲层和高折射率差亚波长光栅层，牺牲层所用材料为GaInP；S2，刻蚀高折射率差亚波长光栅层，得到光栅图形；S3，刻...

本公开提供一种逐次逼近型模数转换器，包括：信号采样模块，用于对模拟信号进行采样；差分电容阵列，包括分段电容阵列，其中，低段电容阵列由二进制编码的电容阵列构成，高段电容阵列由非二进制编码的整数权重的电容阵列构成；信号采样模块通过高段电容的...

本公开提供了一种硅波导端面耦合结构，包括：硅衬底，硅衬底部分被刻蚀形成悬空结构，悬空结构用于避免模场泄漏至硅衬底中；下包层，位于硅衬底的表面上，下包层上刻蚀形成多个通孔，多个通孔用于为刻蚀硅衬底时提供通道；第一梯形波导，位于下包层的部分...

本发明公开了一种MicroLED三基色发光结构及其制备方法，涉及光电显示技术领域。所述发光结构包括：显示基板；位于所述显示基板上的无衬底高温多晶硅

本发明提供一种光电器件及其制备方法、偏振成像装置。光电器件包括衬底、氧化物绝缘层、二维材料层及电极，二维材料层由具有面内各向异性的二维单晶GeSe材料构成，Ge和Se摩尔比为1∶1.05，电极至少包括一组源极和漏极。光电器件制备方法包括...

本公开实施例提供了一种对象统计模型的训练方法、对象统计方法及装置。该训练方法包括：获取训练样本数据集，其中，训练样本数据集中的训练样本包括训练图像以及训练图像的标签数据，其中，训练图像包括多个对象，对象包括动物和/或植物；将训练图像输入...

本公开实施例提供了一种对象分类模型的训练方法、对象分类预测方法及装置，该对象分类模型的训练方法包括：获取训练样本数据集，其中，训练样本数据集中的训练样本包括训练图像以及训练图像的标签数据，其中，训练图像表征对象的多种姿势，对象包括动物，...

本发明提供一种MEMS谐振器制备方法，包括以下步骤：获取SOI基片，其中，所述SOI基片包括由上至下依次设置的顶硅层、埋氧层以及衬底层；刻蚀所述顶硅层，形成封装环以及处于所述封装环内的芯片部；刻蚀所述芯片部，形成沿水平向依次呈间隔设置的...

本发明提供一种微机械谐振器的制备方法，其包括以下步骤：获取衬底结构，所述衬底结构形成有谐振部以及处于所述谐振部两侧且呈间隔设置的两个电极部；在所述衬底结构上生长牺牲层并图形化，呈部分显露所述谐振部以及所述两个所述电极部设置；淀积第一多晶...

本公开提供了一种终端设备，该终端设备包括：数据处理模块，用于接收信号源产生的信号，将信号处理为调制发射模块预设的数据类型后传输给调制发射模块，以及将探测接收模块传输的信号处理为信号源预设的数据类型并传输给信号源；调制发射模块，用于将接收...

本发明公开了一种单光子雪崩二极管图像传感器像素器件、制备方法，上述像素器件，包括：衬底；衬底内部设置第一P型硅掺杂区域；衬底上设置N型外延层；N型外延区域内部设置第二P型硅掺杂区域、第三P型硅掺杂区域、第四P型硅掺杂区域、N型硅掺杂区域...

本公开提供了一种双波长激光输出装置，应用于光学技术领域，包括：光源模块，用于输出不同偏振态的偏振光；反射光栅，用于将偏振光中第一指定波长的光束进行一级衍射得到第一指定波长的衍射光，以及，对偏振光进行零级衍射得到零级衍射光；全反射镜，用于...

本公开实施例提供了一种扫频电信号生成系统。该系统包括扫频光发生模块、光电振荡器环路和检测反馈模块。扫频光发生模块包括半导体激光器，用于生成单频光信号；分光器，用于将单频光信号生成扫频光信号和第一反馈光信号。光电振荡器环路包括第一光电转换...

本发明提供了一种晶体锗材料的表面非晶化的方法，包括：在晶体锗材料表面形成保护层；采用等离子体浸没离子注入技术，向形成有保护层的晶体锗材料表面注入惰性气体原子，使晶体锗材料表面预设深度非晶化；刻蚀保护层，露出非晶化的晶体锗材料的非晶层表面...

本发明公开了一种含惰性气体原子的晶格损伤层的重结晶方法，包括：制备一种表面具有晶格损伤的晶体材料，其中，晶体材料的晶格损伤层含有惰性气体原子；利用脉冲激光对晶格损伤层进行辐照使晶格损伤层熔融；通过液相外延生长，获得晶格损伤层的重结晶。获...